650V、10 A 低損耗Trench Gate M系列IGBT

N 通道增強模式邏輯電平 40 V,最大 0.8mOhm,360A,STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
汽車級 N溝道增強模式邏輯電平40V,最大0.75mOhm,373 A,STripFET F8功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝