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東芝開發(fā)出可減輕SiC功率模塊中并聯(lián)芯片間寄生振蕩的技術(shù),該技術(shù)具有最小柵極電阻,可支持高速開關(guān)
2024-07-26
東芝推出全新可重復(fù)使用的電子熔斷器(eFuse IC)系列產(chǎn)品
2024-07-18
擴(kuò)大功率MOSFET的產(chǎn)品線,集成高速二極管的功率MOSFET,有助于提高電源效率。
2024-07-17
東芝推出支持PCIe®5.0和USB4®等高速差分信號(hào)的2:1多路復(fù)用器/1:2多路譯碼器開關(guān)
2024-07-11
東芝開發(fā)出48V至1V非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器IC
2024-06-28
東芝發(fā)布容量高達(dá)10TB的MG10-D系列企業(yè)級(jí)硬盤
2024-06-25
有助于減少對(duì)環(huán)境影響的雙極晶體管的產(chǎn)品線擴(kuò)展
2024-06-19
有助于降低設(shè)備能耗的雙極型晶體管的產(chǎn)品線擴(kuò)展
2024-06-12
有助于實(shí)現(xiàn)工業(yè)設(shè)備高效化和小型化的1200V SiC MOSFET模塊產(chǎn)品線擴(kuò)展
2024-06-05
東芝成功在降低SBD嵌入式SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻的同時(shí)確保了其可靠性和短路耐受性
2024-06-03
東芝新的300mm晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠竣工
2024-05-23
東芝通過(guò)新增電壓等級(jí)擴(kuò)展了浪涌保護(hù)齊納二極管的產(chǎn)品線,助力電子設(shè)備質(zhì)量提升
2024-05-15
東芝成功展示了容量超過(guò)30TB的近線存儲(chǔ)硬盤
2024-05-14
有助于降低電源功耗的U-MOSX-H系列150 V N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品線擴(kuò)展
2024-04-17
東芝推出帶有嵌入式微控制器的SmartMCD™系列柵極驅(qū)動(dòng)IC
2024-03-28
東芝推出適用于電機(jī)控制的Arm® Cortex®-M4微控制器
2024-03-26
適用于柵極驅(qū)動(dòng)電路、電流開關(guān)和LED驅(qū)動(dòng)電路的雙極型晶體管的產(chǎn)品線擴(kuò)展
2024-03-21
東芝在其電機(jī)控制軟件開發(fā)套件中新增位置估算控制技術(shù),旨在簡(jiǎn)化電機(jī)磁場(chǎng)定向控制
2024-03-19
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