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芯片打靜電復(fù)位的原因？
最近也是在EMC測(cè)試，我們是生產(chǎn)驅(qū)動(dòng)器廠家，客戶(hù)對(duì)EMC這方面有要求，我們?cè)跍y(cè)試ETHCAT接口驅(qū)動(dòng)器時(shí)，打靜電會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器復(fù)位的情況，我們查了芯片手冊(cè)，芯片承受電壓可以到3KV，外面的靜電經(jīng)過(guò)隔離，泄放等器件，到MCU的電壓應(yīng)該很小，不足以讓芯片復(fù)位，我們查了很久找不到原因，不知道從哪些方面去找靜電過(guò)不了的原因？
首先，需要確定芯片所通過(guò)的靜電測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與進(jìn)行接口端的靜電測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是否相同，通常后者屬于系統(tǒng)級(jí)的測(cè)試，參考規(guī)范為IEC61000-4-2，對(duì)應(yīng)ESD能量等級(jí)要遠(yuǎn)高于芯片手冊(cè)中的靜電等級(jí)。
其次，需要確定靜電的耦合路徑，靜電能量可能通過(guò)傳導(dǎo)和空間耦合的方式干擾被測(cè)物：
1. 傳導(dǎo)方式，可以檢查下所用泄放器件如TVS等是否最靠近ESD放電點(diǎn)，并聯(lián)式泄放器件的兩個(gè)管腳連接出去的走線是否足夠短，所用器件規(guī)格是否合適，如鉗位電壓等；
2. 空間耦合方式，可以嘗試通過(guò)對(duì)MCU區(qū)域做屏蔽或者拉開(kāi)放電點(diǎn)和MCU的空間距離來(lái)簡(jiǎn)單判斷下是否為空間耦合干擾，可以嘗試在被干擾的信號(hào)或電源等上加泄放器件，此時(shí)器件位置應(yīng)該靠近MCU；
3. 電源，復(fù)位信號(hào)等可以考慮磁珠，TVS等，注意所加器件的位置；
4. MCU參考地平面的完整度對(duì)ESD放電也會(huì)有影響，地平面完整能夠減小ESD能量導(dǎo)致的地平面上電壓波動(dòng)帶來(lái)的影響。