目標(biāo)遠(yuǎn)大：基美電子(KEMET)的KONNEKT?技術(shù)是高密度的封裝技術(shù)，可以在不使用金屬框架的情況下實(shí)現(xiàn)組件互連，從而降低電容器的 ESR、ESL和熱阻。這項(xiàng)技術(shù)使用創(chuàng)新的瞬態(tài)液相燒結(jié)(TLPS) 材料來(lái)創(chuàng)建表面貼裝多芯片解決方案。

C0G KONNEKT電容器也稱(chēng)作采用 KONNEKT 技術(shù)的 KC-Link電容器，以基金屬電極 (BME)技術(shù)制造，無(wú)直流偏置和壓電效應(yīng)，電容值也不會(huì)隨溫度變化， 誤差僅在+-30ppm/°C之間，因此特別適用于需要高效能的應(yīng)用。它們還可用于高達(dá)150°C的溫度，并且提供商用和車(chē)用型款。這些電容器的數(shù)值范圍為14至880nF，電壓范圍為 500 至 2000V。

U2J KONNEKT電容器還使用 I 類(lèi)陶瓷材料，例如溫度系數(shù)為 N750 (-750+-120ppm/°C)的NP0 (C0G)材料。與 C0G 相比，在電壓為 50V下，可能的電容值范圍將擴(kuò)展至940nF和1.4μF。

X7R KONNEKT 電容器專(zhuān)為需要更高電容和電壓的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。最新一代1812和2220 尺寸電容器還具有柔性端接，以提升機(jī)械彎曲性和熱循環(huán)性能。作為 X7R II 類(lèi)組件，它們?cè)?55°C至+125°C環(huán)境溫度下具有最小的電容變化(±15%)。這些電容器的數(shù)值范圍為 2.4nF 至 20μF，電壓可能范圍為 25V 至 3000V，還提供商用和車(chē)用型款。

為了進(jìn)一步提高性能，大多數(shù)組件可以同時(shí)采用水平和垂直芯片排列，這稱(chēng)為“低損耗”變化型款，因?yàn)槠溥M(jìn)一步提升了 ESR 和 ESL 數(shù)值，有可能達(dá)到更高的紋波電流。

要點(diǎn)總結(jié)：

技術(shù)特點(diǎn)：

? 外殼尺寸：1812;2220;3640

? 電壓：25 – 3,000V

? 電介質(zhì)：X7R;C0G;U2J

? 電容：2.4nF – 20μF

應(yīng)用：

預(yù)定應(yīng)用包括寬帶隙 (WBG)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 系列、數(shù)據(jù)中心、LLC 諧振轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)槽式轉(zhuǎn)換器、無(wú)線(xiàn)充電系統(tǒng)、光伏系統(tǒng)、電源轉(zhuǎn)換器、逆變器、直流鏈路和緩沖器 .