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顯卡芯片業(yè)務(wù)對(duì)AMD很重要

近日《福布斯》文章指出，AMD與英特爾之間的競(jìng)爭(zhēng)異常慘烈，實(shí)際上，這個(gè)慘烈的程度之高很容易讓人忘記英特爾并非AMD唯一的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。自從2006年收購(gòu)顯卡芯片廠商ATI之后，AMD就陷入了與專業(yè)顯卡芯片廠商N(yùn)vidia的競(jìng)

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2009-10-10

AMD 顯卡芯片電腦
采用0.18µm CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路

本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計(jì)了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)?；旌系姆椒ㄟM(jìn)行設(shè)計(jì)，第一級(jí)用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)16:4的復(fù)用，第二級(jí)用模擬電路實(shí)現(xiàn)4:1的復(fù)用，從而實(shí)現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明，當(dāng)電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時(shí)，電路可以工作在2.5b/s，功耗約為6mW。

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2009-10-10

收發(fā)器復(fù)用器 CMOS MICRO
溫度自適應(yīng)性DRAM刷新時(shí)鐘電路

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)需要通過(guò)刷新來(lái)保持內(nèi)部的數(shù)據(jù)。為降低存儲(chǔ)器刷新過(guò)程的電路功耗，設(shè)計(jì)一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新控制電路。根據(jù)二極管的電流在閾值電壓附近的溫度特性，利用電容充放電的結(jié)構(gòu)，提出一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新時(shí)鐘電路，使存儲(chǔ)器刷新頻率隨電路溫度變化而變化，其趨勢(shì)符合動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的刷新要求。仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，新的電路在保證DRAM信息得到及時(shí)刷新的前提下，有效地降低了其刷新過(guò)程中的功耗。

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2009-10-10

DRAM 溫度時(shí)鐘電路 BSP
火車(chē)站信號(hào)自動(dòng)語(yǔ)音播報(bào)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

介紹一種鐵路信號(hào)自動(dòng)語(yǔ)音播報(bào)系統(tǒng)的硬件電路設(shè)計(jì)和軟件編程方案。詳述了基于ISD4004芯片設(shè)計(jì)的單片機(jī)控制系統(tǒng)，對(duì)鐵路信號(hào)進(jìn)行采集、識(shí)別，實(shí)現(xiàn)了信號(hào)室控制臺(tái)信息的語(yǔ)音自動(dòng)播報(bào)，消除了控制臺(tái)電鈴提示噪音，降低了值班員的勞動(dòng)強(qiáng)度，改善工作環(huán)境，提高了反違章操作的警示作用。設(shè)計(jì)的樣機(jī)經(jīng)現(xiàn)場(chǎng)安裝使用，系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定，信號(hào)播報(bào)準(zhǔn)確、可靠，具有一定的推廣使用價(jià)值。

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2009-10-10

信號(hào) BSP 語(yǔ)音播報(bào)系統(tǒng) ISD4004
科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種可轉(zhuǎn)換為半導(dǎo)體的高導(dǎo)性碳納米管

據(jù)英國(guó)皇家化學(xué)學(xué)會(huì)網(wǎng)站18日?qǐng)?bào)道，美國(guó)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種簡(jiǎn)單、可行的碳納米管混合物的凈化方式。其可借助紫外線和空氣中的氧生成凈化的半導(dǎo)性納米管，這對(duì)發(fā)展下一代計(jì)算機(jī)芯片具有非凡價(jià)值。相關(guān)文章發(fā)表于近期的《

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2009-10-10

半導(dǎo)體金屬碳納米管 BSP
具有成熟的可靠性的新型高精度扁平片式電阻（Vishay）

器件采用薄膜技術(shù)，具有低至±0.05％的容限，TCR低至±5ppm/K，外殼尺寸分別為0603、0805和1206 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型TNPU e3系列高精度薄膜扁平片式電阻，外殼尺寸分別為0603、0805和1206。

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2009-10-10

高精度電阻 Vishay BSP
美國(guó)家半導(dǎo)體公司CEO計(jì)劃下月底退休 COO接任

北京時(shí)間10月10日消息據(jù)國(guó)外網(wǎng)站報(bào)道，美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司在提交給監(jiān)管機(jī)構(gòu)的文件中稱，公司首席執(zhí)行官（CEO）布賴恩·哈拉（Brian Halla）計(jì)劃在11月底退休，接替他的是公司首席運(yùn)營(yíng)官（COO）唐納德·麥克列奧德（

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2009-10-10

iPhone 國(guó)家半導(dǎo)體 CE COO
加速度計(jì)不再是MEMS專利 Epson完成石英加速度計(jì)開(kāi)發(fā)

由于感測(cè)加速度與角速度等物理量變化并非硅微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的專利，石英組件供貨商Epson Toyocom亦預(yù)定在2010年推出以石英為基礎(chǔ)的加速度感應(yīng)器，以分食龐大的加速度感應(yīng)器市場(chǎng)大餅。Epson Toyocom開(kāi)發(fā)技術(shù)統(tǒng)括部暨

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2009-10-10

加速度計(jì) 石英 MEMS EPS
小摩調(diào)高聯(lián)電、臺(tái)積電目標(biāo)價(jià)

聯(lián)電（2303）轉(zhuǎn)機(jī)題材越來(lái)越具吸引力！摩根大通證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師J. J. Park昨（9）日預(yù)估，聯(lián)電未來(lái)2年毛利年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)45％，帶動(dòng)股價(jià)/凈值比（P/B值）至少向1倍靠攏，因此，將目標(biāo)價(jià)由15.5

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2009-10-10

聯(lián)電臺(tái)積電臺(tái)積電營(yíng)收控管
聯(lián)電Q3營(yíng)收超越財(cái)測(cè) 外資喊進(jìn)

晶圓雙雄營(yíng)收公布，聯(lián)電九月?tīng)I(yíng)收達(dá)95.34億元，創(chuàng)近二年新高，累計(jì)第三季營(yíng)收達(dá)274.06億元，超越公司財(cái)測(cè)，臺(tái)積電第三季營(yíng)收899億元，則是逼近當(dāng)初設(shè)定900億元高標(biāo)，聯(lián)電優(yōu)異表現(xiàn)，讓摩根大通、野村等外資，持續(xù)給予

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2009-10-10

電子聯(lián)電臺(tái)積電晶圓廠
臺(tái)積電2009年-九月?tīng)I(yíng)收同比減少3%

臺(tái)積電9日公布2009年九月?tīng)I(yíng)收?qǐng)?bào)告，就非合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，營(yíng)收約為新臺(tái)幣280億2,400萬(wàn)元，較今年八月減少了3.0%，較去年同期減少了0.8%。累計(jì)2009年一至九月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣1,967億4,700萬(wàn)元，較去年同期減少了24.6%

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2009-10-10

臺(tái)積電臺(tái)積電營(yíng)收
Air Liquide將為中芯國(guó)際深圳晶圓廠供氣

中芯國(guó)際選擇了Air Liquide作為長(zhǎng)期氣體供應(yīng)商，為其2010年初投產(chǎn)的深圳200mm和300mm晶圓廠供應(yīng)氣體。Air Liquide將投入1300萬(wàn)美元用于設(shè)施改造以滿足中芯國(guó)際的需求?！吧钲谑侵袊?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)，此次新建的晶圓廠

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2009-10-10

中芯國(guó)際晶圓廠 IDE LIQUID
恒憶、群聯(lián)電子和海力士合作開(kāi)發(fā)NAND存儲(chǔ)器系統(tǒng)解決方案

2009年5月6日—— 恒憶半導(dǎo)體（Numonyx）、群聯(lián)電子（Phison Electronics Corp.）和海力士（Hynix）今天宣布三家公司簽署一份合作開(kāi)發(fā)協(xié)議，三方將按照J(rèn)EDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC" 4.4產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為下一代managed-NAND解

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2009-10-09

電子存儲(chǔ)器聯(lián)電 NAND
GLOBALFOUNDRIES將在GSA展突顯32nm/28nm技術(shù)領(lǐng)先地位

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">隨著半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始向下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)過(guò)渡，GLOBALFOUNDRIES有望占據(jù)代工技術(shù)領(lǐng)先者的地位。10月1日，在加利福尼亞州

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2009-10-09

節(jié)點(diǎn) 柵極 GSA GLOBALFOUNDRIES
ARM與GLOBALFOUNDRIES建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，利用28納米高k工藝生產(chǎn)應(yīng)用優(yōu)化型系統(tǒng)芯片產(chǎn)品

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">ARM公司擁有一流的低功率處理器架構(gòu)和優(yōu)化的物理知識(shí)產(chǎn)權(quán)，建立了合作伙伴產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系，GLOBALFOUNDRIES公司則有先

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2009-10-09

ARM 金屬系統(tǒng)芯片 GLOBALFOUNDRIES

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顯卡芯片業(yè)務(wù)對(duì)AMD很重要

采用0.18µm CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路

溫度自適應(yīng)性DRAM刷新時(shí)鐘電路

火車(chē)站信號(hào)自動(dòng)語(yǔ)音播報(bào)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種可轉(zhuǎn)換為半導(dǎo)體的高導(dǎo)性碳納米管

具有成熟的可靠性的新型高精度扁平片式電阻（Vishay）

美國(guó)家半導(dǎo)體公司CEO計(jì)劃下月底退休 COO接任

加速度計(jì)不再是MEMS專利 Epson完成石英加速度計(jì)開(kāi)發(fā)

小摩調(diào)高聯(lián)電、臺(tái)積電目標(biāo)價(jià)

聯(lián)電Q3營(yíng)收超越財(cái)測(cè) 外資喊進(jìn)

臺(tái)積電2009年-九月?tīng)I(yíng)收同比減少3%

Air Liquide將為中芯國(guó)際深圳晶圓廠供氣

恒憶、群聯(lián)電子和海力士合作開(kāi)發(fā)NAND存儲(chǔ)器系統(tǒng)解決方案

GLOBALFOUNDRIES將在GSA展突顯32nm/28nm技術(shù)領(lǐng)先地位

ARM與GLOBALFOUNDRIES建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，利用28納米高k工藝生產(chǎn)應(yīng)用優(yōu)化型系統(tǒng)芯片產(chǎn)品

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