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  • 臺積電獲美國IDT半導(dǎo)體制程及產(chǎn)品制造轉(zhuǎn)移

    8月6日消息，臺積電今日表示，美國半導(dǎo)體廠商IDT決定將位于奧瑞岡州半導(dǎo)體廠的制程及產(chǎn)品制造業(yè)務(wù)移轉(zhuǎn)給臺積電，并在移轉(zhuǎn)完成之后關(guān)閉這座晶圓廠，并已聘請第三人在市場上尋求潛在接手者。 臺積電在一份聲明中稱，I

  • 直流和脈沖電鍍Cu互連線的性能比較

    針對先進納米Cu互連技術(shù)的要求，比較了直流和脈沖兩種電鍍條件下Cu互連線的性能以及電阻率、織構(gòu)系數(shù)、晶粒大小和表面粗糙度的變化。實驗結(jié)果表明，在相同電流密度條件下，脈沖電鍍所得cu鍍層電阻率較低，表面粗糙度較小，表面晶粒尺寸和晶粒密度較大，而直流電鍍所得鍍層(111)晶面的擇優(yōu)程度優(yōu)于脈沖。在超大規(guī)模集成電路Cu互連技術(shù)中，脈沖電鍍將有良好的研究應(yīng)用前景。

  • 將PIC16C711片內(nèi)8位A/D提高到11位的方法

    介紹一種將PIC16C711片內(nèi)8位A/D提高到11位的方法。此方法電路簡單，速度快，可提高單片機應(yīng)用系統(tǒng)的性能價格比，具有一定的推廣價值。

    模擬
    2009-08-07
    ADC OV A/D PIC16

  • RIM申請混合式觸摸屏技術(shù)新專利

    黑莓的廠商RIM日前為一種融合了電阻/電容式技術(shù)的混合式觸摸屏設(shè)計申請了新專利。使用這種新技術(shù)，觸摸屏不僅可以保持多點觸摸的精度，還可以迅速對手指動作做出反應(yīng)。電容式觸摸屏的缺點主要是價格高昂，因此一般只

  • 警惕盜版“盯”上3G測試儀器租賃行業(yè)

    打擊盜版是如今信息業(yè)界的中心話題之一，盜版在中國的情況也相當(dāng)嚴(yán)重，當(dāng)前中國軟件盜版主要反映在非法制作、銷售盜版軟件光盤，計算機硬件服務(wù)商非法預(yù)裝軟件，企業(yè)用戶擅自安裝未經(jīng)授權(quán)的軟件等方面，為了打擊猖獗

  • 東芝向Obducat訂購一臺納米壓印光刻設(shè)備

    納米壓印光刻設(shè)備供應(yīng)商Obducat AB稱公司收到來自分銷商的訂單，將向Toshiba發(fā)貨一臺設(shè)備。Toshiba將使用Obducat的納米壓印光刻系統(tǒng)來進行先進的技術(shù)研發(fā)，包括光電子等。相關(guān)鏈接：http://www.eetimes.com/news/sem

  • 華虹NEC、宏力新建12寸廠遭擱置　傳邱慈云異動

    大陸晶圓廠華虹NEC與上海宏力半導(dǎo)體整合案原本傳出9月可望有明顯進展，然在此關(guān)鍵時刻，大陸半導(dǎo)體業(yè)界卻傳出因金融海嘯過后，大陸整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并未完全復(fù)原，使得華虹NEC與宏力攜手興建12寸廠計畫恐再遭擱置，將暫

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    2009-08-07
    華虹 NEC 晶圓廠

  • 基于AT89S52的溫濕度檢測系統(tǒng)的設(shè)計

    引言溫度、濕度是工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的主要環(huán)境參數(shù)．對其進行適時準(zhǔn)確的測量具有重要意義。利用單片機對溫、濕度控制。具有控溫、濕精度高、功能強、體積小、價格低，簡單靈活等優(yōu)點，很好的滿足了工藝要求。本文介紹了利用

  • EVG開發(fā)出芯片與晶圓鍵合新方法，大幅度縮短層疊芯片的時間

    style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">奧地利EV Group（EVG）開發(fā)出了在采用TSV（硅通孔）的3維層疊上低成本實現(xiàn)芯片與晶圓鍵合的技術(shù)。該方法能夠大幅縮

  • WCDMA分布式基站低噪聲放大器電路設(shè)計

    引 言 LNA用于接收機前端電路，主要用來放大從天線接收到的微弱信號，降低噪聲干擾，其噪聲指標(biāo)直接影響接收機的靈敏度，而靈敏度是通信接收機的關(guān)鍵指標(biāo)之一，所以LNA電路設(shè)計的優(yōu)略對于接收機性能至關(guān)重要，且

  • 6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比突破1，DDR3 SDRAM開始發(fā)力

    市場調(diào)研公司VLSIResearch指出，6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個月來首次超過1。 VLSIResearch的數(shù)據(jù)顯示，6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來首次突破1。6月全球設(shè)備訂單額達25億美元，較5月增長40%

  • 二季度IC廠商排名劇烈動蕩，AMD跌出前十

    據(jù)市場調(diào)研公司IC Insights，第二季度芯片銷售反彈，導(dǎo)致整體IC廠商排名出現(xiàn)重大變化。 據(jù)IC Insights，按第二季度銷售額，IC銷售額排名上升的廠商包括海力士半導(dǎo)體、聯(lián)發(fā)科與臺積電。排名下降的廠商包括AMD、飛思卡

  • 基于新型共基質(zhì)電子傳輸層的有機發(fā)光器件

    研究了Liq：Bphen混合層的電子傳輸特性。采用該混合層作為共基質(zhì)電子傳輸層制備了結(jié)構(gòu)為[ITO／m—MTDATA/NPB／Alq3／Liq(33％)：Bplaen／LiF／A1]的有機發(fā)光器件，基于共基質(zhì)電子傳輸層的器件驅(qū)動電壓比傳統(tǒng)器件降低了13％而效率卻提高了21％。研究表明通過優(yōu)化混合層的摻雜濃度，可以顯著提高電子傳輸層的導(dǎo)電率，降低驅(qū)動電壓，從而提高器件的效率。

  • 2×8低噪聲InGaAs／InP APD讀出電路設(shè)計

    對In0．53Ga0.47As／InP雪崩光電二極管(APD)探測器進行了特性分析。以大陣列研究為基礎(chǔ)，結(jié)合器件特性設(shè)計了一個2×8低噪聲讀出電路(ROIC)，電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關(guān)雙采樣(CDS)電路單元構(gòu)成，并對讀出電路的時序、積分電容等進行了設(shè)計。電路采用0．6 μm CMOS工藝流片，芯片面積為2 mm×2 mm，電荷存儲能力為5×107個，功耗小，噪聲低，設(shè)計達到預(yù)期要求。

  • 非離子型活性劑在ULSl堿性Cu拋光液中的性能

    使用四種非離子表面活性劑分別添加到以SiO2水溶膠為磨料、H202為氧化劑的堿性Cu拋光液中進行拋光實驗。結(jié)果表明，所選用的非離子型表面活性劑對材料去除率的影響不大，當(dāng)烷基酚聚氧乙烯醚在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0．25％時，拋光表面質(zhì)量提高，表面粗糙度(Ra)由1．354 nm下降到了0．897 6 nm，同時有效地減輕了Cu拋光表面的劃痕和腐蝕，其原因是聚氧乙烯鏈可以通過醚鍵與水分子形成氫鍵，在聚氧乙烯周圍形成一層溶劑化的水膜保護了被吸附表面。

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