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  • 采用定向耦合器和RF對(duì)數(shù)放大器實(shí)現(xiàn)VSWR的檢測(cè)和保護(hù)

    電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio，VSWR)是用于描述電路阻抗失配程度的參數(shù)。差的VSWR可能引起RF電路中的許多問題。VSWR引起的最壞情況是RF/微波高功率放大器(HPA)的永久性損壞，這通常被稱為VSWR故障。因此，

  • 小波閾值去噪技術(shù)在ECG信號(hào)處理中的應(yīng)用

    1、 引言　　心臟細(xì)胞除極和復(fù)極的電生理現(xiàn)象，是心臟運(yùn)行的基礎(chǔ)。心電信號(hào)記錄了心臟細(xì)胞的除極和復(fù)極過程，在一定程度上客觀反映了心臟個(gè)部位的生理狀況，因而在臨床醫(yī)學(xué)中有重要意義。[1] 由于人體心電信號(hào)隨著檢

  • 低功耗、低成本無(wú)線心電圖監(jiān)視儀設(shè)計(jì)技巧

    傳統(tǒng)心電監(jiān)護(hù)儀通常需要隨身攜帶記錄監(jiān)視儀，放在靠近病人頸部或腕部的口袋里，而無(wú)線心電圖監(jiān)視儀的噪聲和干擾大大降低，尺寸減小到甚至可以安裝在電極背面，能夠提供比傳統(tǒng)方案更精確的信號(hào)。這種電路價(jià)格便宜，且

  • 開關(guān)電源阻尼輸入濾波器

    開關(guān)式電壓調(diào)節(jié)器通常優(yōu)于線性調(diào)節(jié)器，因?yàn)樗鼈兏咝В_關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)則十分依賴輸入濾波器。這種電路元件與電源的典型負(fù)動(dòng)態(tài)阻抗相結(jié)合，可以誘發(fā)振蕩問題。本文將闡述如何避免此類問題的出現(xiàn)。 　　一般而言，所有

  • 低頻微弱信號(hào)的模擬預(yù)處理

    引言　　微弱信號(hào)檢測(cè)是隨著工程應(yīng)用而不斷發(fā)展的一門學(xué)科，是利用電子學(xué)、信息論和物理的方法，分析噪聲產(chǎn)生的原因和規(guī)律，研究被測(cè)信號(hào)的特點(diǎn)與相關(guān)性，采用一系列信號(hào)處理的方法，檢測(cè)被噪聲背景淹沒的微弱信號(hào)。

  • 非侵入式血氧儀的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和解決方案

    脈沖血氧儀通過在人體的指尖、足尖或耳垂等處放置外設(shè)探針(傳感器)而非采用侵入式監(jiān)測(cè)血氧含量。探針通常包含兩個(gè)發(fā)光二極管(LED)：一個(gè)LED工作在可見紅色光譜(660nm)，另一個(gè)LED工作在紅外光譜(940nm)，但某些設(shè)計(jì)可

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    2009-02-27
    電壓 引腳 AD BSP

  • 符合ZigBee協(xié)議的RF解決方案的實(shí)現(xiàn)

    降低單位成本和功耗是用于短距離無(wú)線通信系統(tǒng)中的RF-IC新品開發(fā)的主要驅(qū)動(dòng)力。使用性價(jià)比高的CMOS技術(shù)并采用具有高集成度的發(fā)射器與接受器結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)低成本，低功耗的關(guān)鍵。此外，CMOS技術(shù)的使用，使得用于無(wú)線通信的真正意義上的系統(tǒng)級(jí)芯片(SOCs)的實(shí)現(xiàn)變?yōu)榭赡?。?duì)于IEEE802.15.4/ZigBee所強(qiáng)調(diào)的市場(chǎng)，SOCs因其可以節(jié)省整個(gè)系統(tǒng)的成本，所以越來(lái)越受到重視和期待。

  • 基于CY7C68013A和 LGS一8GL5的USB電視棒設(shè)計(jì)

    兩種架構(gòu)都對(duì)上層應(yīng)用屏蔽了具體設(shè)備的細(xì)節(jié)，實(shí)現(xiàn)這種屏蔽需要編寫相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)完成從系統(tǒng)調(diào)用到自定義操作的轉(zhuǎn)換過程。虛擬設(shè)備的操作直接暴露給操作系統(tǒng)以增強(qiáng)靈活性，而實(shí)際的操作轉(zhuǎn)換為基本的I2C操作或紅外操作，并經(jīng)過USB進(jìn)行包裝發(fā)送給底層固件，固件剝離出原始數(shù)據(jù)后對(duì)模塊執(zhí)行實(shí)際的I2C操作或返回紅外設(shè)備數(shù)據(jù)。針對(duì)不同操作系統(tǒng)，各自驅(qū)動(dòng)的編寫分別為：在Linux上主要為注冊(cè)dvb_USB_devlceproperties結(jié)構(gòu)中相關(guān)的方法；在BDA架構(gòu)上主要為填充Bda—sup．1ib中要求的屬性方法集。對(duì)主機(jī)的要求主要集中在兩個(gè)方面：具備能夠流暢解碼當(dāng)前數(shù)字電視壓縮的音視頻的能力；操作系統(tǒng)最好支持多線程，以方便解碼和播放同步操作。

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    2009-02-27
    USB LG CY7C68013A BSP

  • CP2102與C8051F040的USB-CAN轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

    在遵守USB和CAN協(xié)議的基礎(chǔ)上，USB和CAN都采用了接收中斷方式，通過通信同步的握手協(xié)議，實(shí)現(xiàn)了USB數(shù)據(jù)與CAN數(shù)據(jù)之間的協(xié)議轉(zhuǎn)換和轉(zhuǎn)發(fā)，很好地解決了USB的高速率和CAN的低速率，以及USB的大數(shù)據(jù)包與CAN的小數(shù)據(jù)包之間的矛盾，能夠保證數(shù)據(jù)完整和協(xié)議的可靠轉(zhuǎn)換。

  • 基于Cortex一M3的MP3播放器設(shè)計(jì)

    提出一種基于Cortex—M3處理器的MP3播放器的設(shè)計(jì)方法。硬件設(shè)計(jì)上，介紹了具體模塊間的硬件連接情況；軟件設(shè)計(jì)上，主要介紹2個(gè)核心模塊的主要函數(shù)功能。該播放器采用STM32作為微控制器，采用VSl003作為解碼芯片，采用SD卡存儲(chǔ)MP3／WMA文件，PC機(jī)可通過USB接口操作開發(fā)板上SD卡的文件。該系統(tǒng)的軟件使用RealView MDK開發(fā)。

  • IEEE1451．2的智能變送器模塊設(shè)計(jì)

    IEEEl451標(biāo)準(zhǔn)提出一種通用的傳感器接口標(biāo)準(zhǔn)，解決了傳統(tǒng)傳感器與各種網(wǎng)絡(luò)相互不兼容的問題。本文以IEEEl451標(biāo)準(zhǔn)中IEEEl451．2標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)，利用MSP430單片機(jī)設(shè)計(jì)出一個(gè)智能變送器模塊，可使傳統(tǒng)的傳感器變?yōu)榫哂型ㄓ玫慕涌?、能夠?qū)崿F(xiàn)“即插即用”功能的智能傳感器；同時(shí)，利用LabVIEW軟件編寫的參數(shù)配置界面，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)智能傳感器內(nèi)部電子數(shù)據(jù)表格(TEDS)的配置，為IEEEl451標(biāo)準(zhǔn)智能傳感器模塊的研制提供了實(shí)例。

  • 全球電子互連行業(yè)的區(qū)域采購(gòu)出現(xiàn)逆向轉(zhuǎn)移趨勢(shì)

    IPC-國(guó)際電子工業(yè)連接協(xié)會(huì)近期開展一項(xiàng)調(diào)查，42%參與調(diào)查的公司指出，過去兩年中，客戶的采購(gòu)模式有所變化，主要區(qū)域從亞洲轉(zhuǎn)回了北美或者歐洲。概括了該調(diào)查結(jié)論的《全球電子互連行業(yè)的區(qū)域采購(gòu)出現(xiàn)逆向轉(zhuǎn)移趨勢(shì)》于

  • IIC首次西部開展，TI攜領(lǐng)先技術(shù)登陸西安

    第十四屆國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC China 2009）將于3月2日在西安開幕。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商德州儀器（TI）將攜其陣容強(qiáng)大的領(lǐng)先產(chǎn)品與解決方案將亮相于本次盛會(huì)。西安是2009年IIC展會(huì)新增城市，作為IIC C

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    2009-02-26
    IIC CHINA

  • 2008年4Q DRAM廠市占率公布 韓國(guó)陣營(yíng)高達(dá)46.3%

    DRAM廠2008年第4季受到價(jià)格重挫，加上自2008年9月開始，DRAM廠因?yàn)椴豢疤潛p都紛紛宣布減產(chǎn)，因此三星電子(Samsung　Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、爾必達(dá)(Elpida)等DRAM大廠的營(yíng)收都紛紛下滑，根據(jù)集邦

  • 天科合達(dá)將高質(zhì)量碳化硅晶圓價(jià)格推向歷史新低

    目前，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展再次激發(fā)了現(xiàn)代技術(shù)的革新。作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料，SiC 在熱學(xué)、電學(xué)、抗腐蝕等性能方面優(yōu)越于常用的襯底材料，可廣泛用于制造半導(dǎo)體照明、微電子、電力電子等半導(dǎo)體器件。 根據(jù)權(quán)

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