a级一级视频a毛片,毛片在线看不用播放器

用梯度均值法提高LPC2138的A／D分辨率

本設(shè)計是基于LPC2138的梯度均值法A／D系統(tǒng)的實現(xiàn)，將LPC2138內(nèi)部A／D轉(zhuǎn)換器的分辨率由10位提高到12位。梯度均值法在不改變系統(tǒng)噪聲水平的條件下，實現(xiàn)降低等效量化單位，進(jìn)一步提高系統(tǒng)分辨率。使用了LPC2138內(nèi)部的A／D和D／A轉(zhuǎn)換器，外圍電路較簡單，移植μC／OS—II操作系統(tǒng)，用C語言編程完成控制和數(shù)據(jù)處理，并輸出最后結(jié)果。

模擬
2008-12-26

LPC2138 BSP 精度 VI
基于AD8351的大帶寬多路差分模擬放大電路設(shè)計

介紹ADI公司的大帶寬AD8351運(yùn)算放大器特性及其引腳功能；描述AD8351在采樣速率為400 Ms／s的多路模數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的應(yīng)用：給出多路差分模擬放大電路的詳細(xì)設(shè)計方案和參考電路，同時也對工作中可能出現(xiàn)的問題進(jìn)行了討論，以供硬件設(shè)計者參考。

模擬
2008-12-25

帶寬電路設(shè)計 AD 模擬放大電路
一種新型程控濾波器的設(shè)計

基于開關(guān)電容濾波器的原理，提出了一種采用MAX263的新型程控濾波器的設(shè)計。該濾波器可設(shè)置為低通或高通模式，截止頻率及增益均由程序控制。整個系統(tǒng)設(shè)計結(jié)構(gòu)簡單，經(jīng)過實際測試具有良好效果。

模擬
2008-12-25

電壓程控濾波器 KHZ BSP
業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

模擬
2008-12-24

器件封裝 MOSFET 導(dǎo)通電阻
AT91SAM7X的多路USB2．0數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

隨著SoC技術(shù)的發(fā)展，應(yīng)用單芯片滿足應(yīng)用中的各種需求已經(jīng)成為一種趨勢。將更多設(shè)計中必需的通用外設(shè)集成到芯片內(nèi)部，不但可以降低成本，而且可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本文給出一種基于AT91SAM7X的單芯片多路USB2．O數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案。芯片本身集成USB2．O接口和8路10位A／D轉(zhuǎn)換器，外部標(biāo)準(zhǔn)的一5～+5 V信號可以直接接入本系統(tǒng)進(jìn)行采集，達(dá)到了降低成本、提高系統(tǒng)穩(wěn)定性的目的。

模擬
2008-12-24

USB 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) AT91 SAM
低功耗低噪聲CMOS放大器設(shè)計與優(yōu)化

分析了兩種傳統(tǒng)的基于共源共柵結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器LNA技術(shù)：實現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配SNIM技術(shù)并在功耗約束下同時實現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配PCSNIM技術(shù)。針對其固有不足，提出了一種新的低功耗、低噪聲放大器設(shè)計方法。

模擬
2008-12-24

低功耗低噪聲放大器設(shè)計 CMOS
全新微型濾波器（ST）

到2010年，超過75%的新手機(jī)將具有MP3音樂播放功能。隨著音樂手機(jī)普及，音頻性能成為設(shè)計者的關(guān)注焦點(diǎn)。新手機(jī)設(shè)計將更要求改進(jìn)降噪性能，意法半導(dǎo)體（ST）針對新的市場需求，推出全新濾波器EMIF02-SPK02F2。在珍

模擬
2008-12-24

濾波器微型 ST EMI
基于LTC2753的數(shù)模轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計

介紹了Linear公司的雙路電流輸出的數(shù)模(D／A)轉(zhuǎn)換器LTC2753的主要特性、電路結(jié)構(gòu)及應(yīng)用電路。并在此基礎(chǔ)上設(shè)計了偏移量和增益調(diào)整電路。

模擬
2008-12-23

電路設(shè)計數(shù)模轉(zhuǎn)換器 LTC BSP
低壓差線性穩(wěn)壓器設(shè)計要點(diǎn)

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)是一種高性能、高效率、使用方便、成本低廉的線性穩(wěn)壓器件。首先對線性穩(wěn)壓器的基本類型作了比較，然后詳細(xì)闡述LDO的電路設(shè)計要點(diǎn)及LDO的布局，最后對LDO的常見故障加以分析。

模擬
2008-12-23

輸出電壓低壓差線性穩(wěn)壓器 LDO BSP
拯救臺灣存儲芯片業(yè)：聯(lián)手美、日企業(yè)？

日前，由臺灣地區(qū)最高經(jīng)濟(jì)主管機(jī)構(gòu)緊急召開的當(dāng)?shù)卮鎯π酒瑯I(yè)拯救會議，并沒有出現(xiàn)期待中的直接以資金落實救援的計劃。該機(jī)構(gòu)負(fù)責(zé)人之一、“協(xié)助DRAM產(chǎn)業(yè)項目小組”召集人施顏祥表示，將采用直接資金援助外加整合的

模擬
2008-12-23

三星爾必達(dá) 美光科技存儲芯片
花旗調(diào)降韓國海力士半導(dǎo)體目標(biāo)價及營業(yè)利潤預(yù)估

花旗調(diào)降韓國海力士半導(dǎo)體(000660.KS)目標(biāo)股價及營業(yè)利潤預(yù)測，但花旗指稱，海力士中期展望有扭轉(zhuǎn)回升的可能性。在一份12月17日的研究報告中，花旗將海力士目標(biāo)價由25,500韓圜降至22,500韓圜，并調(diào)降海力士2008年第

模擬
2008-12-23

半導(dǎo)體 DRAM 海力士
LG化學(xué)與意法半導(dǎo)體攜手改進(jìn)混合動力電動汽車的電池技術(shù)

半導(dǎo)體供應(yīng)商之一意法半導(dǎo)體與韓國最大的化工企業(yè)LG化學(xué)，公布了一項新的汽車電池組技術(shù)的細(xì)節(jié)，這項技術(shù)既可以降低汽油消耗，又可減少汽車的二氧化碳排放量，可以顯著提升電動及混合動力電動汽車（HEV）的市場潛力。

模擬
2008-12-23

意法半導(dǎo)體電池技術(shù) LG 混合動力電動汽車
全新ESD保護(hù)二極管（ST）

意法半導(dǎo)體（ST）推出全新ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品系列，新產(chǎn)品的尺寸比上一代縮小 67%，能夠承受最嚴(yán)格的IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的 ESD測試脈沖，低鉗位電壓特性有助于提高對調(diào)制解調(diào)器等低壓芯片的保護(hù)性能。 ESDALCxx-1U2

模擬
2008-12-23

二極管 ST ESD保護(hù) BSP
新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

模擬
2008-12-23

Vishay 功率MOSFET TRENCHFET BSP
廠商控制出貨量內(nèi)存價格將上揚(yáng)

隨著HynixSemiconductor（海力士半導(dǎo)體公司）宣布削減20%的DRAM內(nèi)存產(chǎn)量，以及各國政府紛紛表示將出面挽救內(nèi)存市場，內(nèi)存價格有了一定的提升。近幾個月來，內(nèi)存供應(yīng)商一直在清理庫存，現(xiàn)在卻開始進(jìn)入供不應(yīng)求的局

模擬
2008-12-22

DRAM 內(nèi)存控制 DDR

首頁上一頁 2163 2164 2165 2166 2167 2168 2169 2170 2171 2172 下一頁尾頁

發(fā)布文章

模擬

用梯度均值法提高LPC2138的A／D分辨率

基于AD8351的大帶寬多路差分模擬放大電路設(shè)計

一種新型程控濾波器的設(shè)計

業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

AT91SAM7X的多路USB2．0數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

低功耗低噪聲CMOS放大器設(shè)計與優(yōu)化

全新微型濾波器（ST）

基于LTC2753的數(shù)模轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計

低壓差線性穩(wěn)壓器設(shè)計要點(diǎn)

拯救臺灣存儲芯片業(yè)：聯(lián)手美、日企業(yè)？

花旗調(diào)降韓國海力士半導(dǎo)體目標(biāo)價及營業(yè)利潤預(yù)估

LG化學(xué)與意法半導(dǎo)體攜手改進(jìn)混合動力電動汽車的電池技術(shù)

全新ESD保護(hù)二極管（ST）

新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）

廠商控制出貨量內(nèi)存價格將上揚(yáng)

活動預(yù)告

論壇

相關(guān)標(biāo)簽

課程視頻