電容話筒的薄膜就是一只電容的活動(dòng)極。對(duì)于極性電容來說,膜片相對(duì)于定片的振動(dòng)產(chǎn)生了一個(gè)交流音頻輸出電壓。電容體的容值為10pF~60pF,因此,應(yīng)將其連接到一個(gè)有超高輸入電阻的阻抗轉(zhuǎn)換器,以獲得平坦的頻率響應(yīng)。
SoC(Systemon Chip,片上系統(tǒng))以其能提高產(chǎn)品性能、縮小產(chǎn)品體積等優(yōu)點(diǎn),逐漸成為嵌入式系統(tǒng)發(fā)展的主流趨勢。SOPC(System On a Programmable Chip,可編程片上系統(tǒng))利用可編程邏輯器件來實(shí)現(xiàn)SoC,具有設(shè)計(jì)方式靈活,可裁減
本例使用某個(gè)前例(參考文獻(xiàn)1)中的電路作為輸入。IC1和IC3為ADG5213四開關(guān),有獨(dú)立的邏輯電平控制輸入端(圖1與參考文獻(xiàn)2)。在輸入為高時(shí),開關(guān)S2和S3打開,開關(guān)S1和S4閉合。當(dāng)各個(gè)開關(guān)的控制輸入端為低時(shí),它們分別
要點(diǎn)1.一個(gè)隨機(jī)微粒缺陷的概率是布局特征間距的函數(shù)。因?yàn)榇鎯?chǔ)器有相對(duì)致密的結(jié)構(gòu),它們天生就對(duì)隨機(jī)缺陷更加敏感,于是就可能影響到器件的總良品率。2.一款關(guān)鍵區(qū)域分析工具要能精確地分析出存儲(chǔ)器冗余,就必須了解
目前計(jì)算機(jī)的USB接口已經(jīng)大量使用,一般每臺(tái)電腦都有2到4個(gè)USB口。當(dāng)一臺(tái)電腦同時(shí)接多個(gè)USB外部設(shè)備時(shí),如果這些外部設(shè)備介入了高電壓干擾,就可能會(huì)燒壞電腦的USB口甚至電腦以及外設(shè)。目前電腦的幾種通信接口中,MO
最近我的學(xué)生頻繁出現(xiàn)“卡殼”現(xiàn)象:看似很簡單的設(shè)計(jì),卻死活調(diào)不出來,人都快瘋掉了。大約一周前,小陳來找我的時(shí)候,一副懸崖上抓不牢樹枝,就想自己松手跳崖的樣子,猴急的都想給我說難聽話了。這兩天
摘要:在醫(yī)用電阻抗層析成像(Electrical Impedance Tomography)系統(tǒng)中電壓控制電流源的性能十分重要,大部分報(bào)道的電壓控電流源電路在低頻時(shí)有較高的輸出阻抗但是在高頻時(shí)性能大幅減弱。通過分析生物阻抗測量系統(tǒng)對(duì)電
所有系統(tǒng),包括濾波器,都是因果關(guān)系。這意味著它們不能在激勵(lì)源激勵(lì)之前對(duì)激勵(lì)(不可預(yù)知)做出任何反應(yīng)。那么,又該如何設(shè)計(jì)一款可“預(yù)測”的濾波器呢?好吧,這一切都取決于你對(duì)品質(zhì)的期待有多高以及這一預(yù)
電視的訊號(hào)處理流程與相關(guān)元件一般來說,影像信號(hào)皆是動(dòng)態(tài)呈現(xiàn)的,依照不同地區(qū)的規(guī)范,可分為每秒30個(gè)畫面(NTSC交錯(cuò)式掃瞄),或是每秒25個(gè)畫面(PAL交錯(cuò)式掃瞄),大量模擬影像信號(hào)轉(zhuǎn)成數(shù)字信號(hào)在頻寬耗用上非常龐大,
了解轉(zhuǎn)換器阻抗是信號(hào)鏈設(shè)計(jì)的一個(gè)重要內(nèi)容??傊?,若非真正需要,為什么要浪費(fèi)大筆資金去購買昂貴的測試設(shè)備,或者費(fèi)力去測量阻抗?不如使用數(shù)據(jù)手冊提供的RC并聯(lián)組合阻抗并稍加簡單計(jì)算,這種獲取轉(zhuǎn)換器阻抗曲線的方
“有緩沖”或“無緩沖”考慮輸入阻抗的影響時(shí),設(shè)計(jì)人員一般可以在兩類高速ADC之間選擇:有緩沖和無緩沖(即采用開關(guān)電容)。雖然有許多不同的轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可供選擇,但本文討論的應(yīng)用僅涉及流水
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配,即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管,這種產(chǎn)品
本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作
靜電放電(ESD)會(huì)給電子器件環(huán)境會(huì)帶來破壞性的后果。事實(shí)上,在各種各樣電路的電路封裝和經(jīng)過裝配、正在使用大電子器件中,超過25%的半導(dǎo)體芯片損壞歸咎于ESD。通常情況下,來自人體某個(gè)部分(手指)的放電將給給不同的
1 引言隨著電力電子裝置的迅速發(fā)展,產(chǎn)生了兩方面的問題:一是電力電子變流電路產(chǎn)生的諧波干擾已成為電力系統(tǒng)之中諧波的主要來源,諧波造成的危害日益嚴(yán)重。二是電力電子系統(tǒng)中的無源元件,特別是電解電容在成本、體