存儲(chǔ)器是一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的集成電路。存儲(chǔ)器的架構(gòu)可以分為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)等類型。
在電子設(shè)備中,電容損壞引發(fā)的故障率居高不下,其中尤以電解電容的損壞最為普遍。電容損壞形式多樣,包括容量衰減、完全失效、漏電以及短路等。
芯片架構(gòu)是芯片設(shè)計(jì)的核心,它決定了芯片的功能、性能以及與外部設(shè)備的協(xié)同工作方式。可以把芯片架構(gòu)理解為建筑設(shè)計(jì)圖,它描述了整個(gè)芯片的組織結(jié)構(gòu)和功能模塊,類似于房屋設(shè)計(jì)圖描繪了房間布局和各個(gè)功能區(qū)域。
?電池Pack的放電深度(Depth of Discharge,DoD)是指電池放電到某一特定電壓時(shí)所放出的電量占其額定容量的百分比?。放電深度是衡量電池使用程度的一個(gè)重要參數(shù),它直接影響電池的壽命和性能。
電磁耦合原理的非接觸式自動(dòng)識(shí)別技術(shù),通過閱讀器與電子標(biāo)簽間的無線通信實(shí)現(xiàn)目標(biāo)對(duì)象識(shí)別與數(shù)據(jù)交換。
天線主要負(fù)責(zé)射頻信號(hào)和電磁信號(hào)之間的相互轉(zhuǎn)換,射頻芯片主要負(fù)責(zé)射頻信號(hào)和基帶信號(hào)之間的相互轉(zhuǎn)換(即高頻率電磁波信號(hào)與二進(jìn)制信號(hào)的相互轉(zhuǎn)換),射頻前端負(fù)責(zé)將接收和發(fā)射的射頻信號(hào)進(jìn)行放大和濾波。
光通信信號(hào)分析儀是針對(duì)光通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)的專用測(cè)量設(shè)備,主要用于對(duì)光通信中的信號(hào)進(jìn)行分析。其核心功能在于對(duì)光通信中的信號(hào)進(jìn)行分析 [1]。該儀器對(duì)光通信中的信號(hào)進(jìn)行分析 [1]。
間歇工作、頻率可變模式、負(fù)荷變動(dòng)等可能導(dǎo)致人耳可聽頻率振動(dòng)聲波是在空氣中傳播的彈性波,人的聽覺可聽到大約20~20kHz頻率范圍的"聲音"。
線圈匝數(shù)指呈環(huán)形的導(dǎo)線纏繞物體的圈數(shù),是電感器、變壓器等電磁元件的核心參數(shù),直接影響磁場(chǎng)強(qiáng)度、電感量及電壓變換效果 [1-2]。
電力變壓器是一種靜止的電氣設(shè)備,是用來將某一數(shù)值的交流電壓(電流)變成頻率相同的另一種或幾種數(shù)值不同的電壓(電流)的設(shè)備。