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在全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)向 “長續(xù)航、快充電、高效率” 轉(zhuǎn)型的浪潮中,功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換的核心部件,直接決定車輛續(xù)航里程與能源利用效率。傳統(tǒng)硅基 IGBT 器件因?qū)〒p耗高、耐高溫性差等局限,已難以滿足超長距離電動(dòng)汽車(續(xù)航目標(biāo) 600km+)的技術(shù)需求。碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其卓越的電學(xué)特性,成為破解長距離出行痛點(diǎn)的關(guān)鍵技術(shù),其有效實(shí)施正在重塑電動(dòng)汽車功率系統(tǒng)的設(shè)計(jì)邏輯。