某35kv變電站主變線變組保護(hù)差流異常問題分析與解決方案

某35 kv變電站在實(shí)施線變組接線改造后 , 負(fù)荷投運(yùn)階段出現(xiàn)差動(dòng)保護(hù)差流異常現(xiàn)象 。經(jīng)全面排查 ,確認(rèn)故障原因?yàn)槭┕み^程中變壓器高、低壓側(cè)A/C相序反接 ,導(dǎo)致實(shí)際連接組別由設(shè)計(jì)要求的yd11變?yōu)閥d1。現(xiàn)系統(tǒng)闡述故障診斷過程 ,通過相量分析與現(xiàn)場試驗(yàn)相結(jié)合的方法 ,揭示了相序錯(cuò)接對(duì)保護(hù)系統(tǒng)的深層影響機(jī)制 ,并提出包含臨時(shí)處置措施與永久解決方案的系統(tǒng)性處理策略。

如何理解電路圖的核心在于掌握其規(guī)律

電氣設(shè)計(jì)領(lǐng)域常用的圖紙包括電氣原理圖、電器元件布置圖、電氣安裝接線圖以及二次電路圖。這些圖紙的繪制需遵循一定的原則和要求，以確保圖紙的準(zhǔn)確性和實(shí)用性。

開關(guān)電源DCM模式：原理、特性與應(yīng)用

斷續(xù)導(dǎo)通模式(Discontinuous Conduction Mode, DCM)是開關(guān)電源中電感電流在每個(gè)開關(guān)周期內(nèi)必然回落到零的工作狀態(tài)。其核心特征表現(xiàn)為電感電流波形呈現(xiàn)三角波形態(tài)，且在電流歸零后形成死區(qū)時(shí)間，此時(shí)次級(jí)整流二極管截止，初級(jí)側(cè)可能出現(xiàn)諧振現(xiàn)象。

地線的設(shè)計(jì)對(duì)于控制電磁干擾(EMI)非常重要

電路板繪制經(jīng)驗(yàn)積累是印制板設(shè)計(jì)最基本、最重要的要求，準(zhǔn)確實(shí)現(xiàn)電原理圖的連接關(guān)系，避免出現(xiàn)“短路”和“斷路”這兩個(gè)簡單而致命的錯(cuò)誤。

電磁干擾：原理、影響與應(yīng)對(duì)策略

在現(xiàn)代電子設(shè)備高度集成的環(huán)境中，電磁干擾(EMI)已成為影響系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性的關(guān)鍵因素。從手機(jī)通信到醫(yī)療設(shè)備，從工業(yè)控制到航空航天，電磁干擾無處不在，其影響不容忽視。

EMC嚴(yán)苛測試?到底有多嚴(yán)苛？

EMC嚴(yán)苛測試?是指對(duì)電子設(shè)備在極端電磁環(huán)境下的性能進(jìn)行全面檢測，以確保其在復(fù)雜電磁環(huán)境中仍能正常工作，并且不會(huì)對(duì)其他設(shè)備造成干擾。

絕緣柵雙極型晶體管兼有哪些優(yōu)點(diǎn)

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

從時(shí)域到頻域：傅里葉變換的數(shù)學(xué)魔法

當(dāng)法國數(shù)學(xué)家傅里葉在19世紀(jì)初提出"任何周期函數(shù)都能用正弦波疊加表示"時(shí)，他或許未曾想到，這個(gè)最初用于熱傳導(dǎo)研究的數(shù)學(xué)工具，會(huì)成為現(xiàn)代數(shù)字世界的基石。從手機(jī)信號(hào)處理到醫(yī)學(xué)影像診斷。

電容是衡量電子設(shè)備中儲(chǔ)存電荷能力的物理量

電容是衡量電子設(shè)備中儲(chǔ)存電荷能力的物理量，國際單位是法拉(F)。

任意排列多相機(jī)通用視覺里程計(jì)（中）