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在電子設(shè)備高頻化、集成化趨勢(shì)下,電磁兼容(EMC)與電磁干擾(EMI)問(wèn)題愈發(fā)突出,直接影響設(shè)備穩(wěn)定性與合規(guī)性。共模電感與差模電感作為EMI濾波的核心元件,分別針對(duì)不同類型干擾發(fā)揮抑制作用,其科學(xué)選型是保障電路電磁性能的關(guān)鍵。本文將從干擾抑制原理出發(fā),系統(tǒng)梳理兩類電感的選型邏輯、核心參數(shù)及實(shí)踐要點(diǎn)。
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為電力電子系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻、新能源發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域。在實(shí)際運(yùn)行中,過(guò)流引發(fā)的芯片燒毀是最常見(jiàn)的失效模式之一,而燒點(diǎn)位置的差異往往對(duì)應(yīng)著不同的失效機(jī)理。其中,芯片正中心出現(xiàn)燒點(diǎn)的現(xiàn)象在三相全橋等大功率應(yīng)用場(chǎng)景中尤為典型,其形成并非單一因素導(dǎo)致,而是電流分布、熱傳導(dǎo)、封裝結(jié)構(gòu)及保護(hù)機(jī)制等多因素協(xié)同作用的結(jié)果。本文將深入剖析IGBT過(guò)流時(shí)芯片正中心產(chǎn)生燒點(diǎn)的具體工況與內(nèi)在機(jī)理,為失效診斷與系統(tǒng)優(yōu)化提供參考。
在電力電子器件的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,米勒鉗位是保障器件穩(wěn)定工作的關(guān)鍵技術(shù)之一,尤其在碳化硅(SiC)MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景中,其必要性愈發(fā)凸顯。隨著新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、儲(chǔ)能等領(lǐng)域?qū)Ω咝?、高頻電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)需求的提升,碳化硅MOSFET以其高擊穿電壓、低導(dǎo)通損耗、快開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)成為核心器件。但與此同時(shí),其獨(dú)特的器件特性也帶來(lái)了新的驅(qū)動(dòng)挑戰(zhàn),米勒鉗位正是應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)的核心解決方案。本文將從米勒鉗位的基本定義與工作原理入手,深入剖析碳化硅MOSFET的特性痛點(diǎn),進(jìn)而闡明為何這類器件特別需要米勒鉗位技術(shù)。
本文中,小編將對(duì)AI芯片予以介紹,如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí),或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度,不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。
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