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在電子設備高頻化、集成化趨勢下,電磁兼容(EMC)與電磁干擾(EMI)問題愈發(fā)突出,直接影響設備穩(wěn)定性與合規(guī)性。共模電感與差模電感作為EMI濾波的核心元件,分別針對不同類型干擾發(fā)揮抑制作用,其科學選型是保障電路電磁性能的關鍵。本文將從干擾抑制原理出發(fā),系統(tǒng)梳理兩類電感的選型邏輯、核心參數及實踐要點。
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為電力電子系統(tǒng)的核心開關器件,廣泛應用于工業(yè)變頻、新能源發(fā)電、軌道交通等領域。在實際運行中,過流引發(fā)的芯片燒毀是最常見的失效模式之一,而燒點位置的差異往往對應著不同的失效機理。其中,芯片正中心出現燒點的現象在三相全橋等大功率應用場景中尤為典型,其形成并非單一因素導致,而是電流分布、熱傳導、封裝結構及保護機制等多因素協同作用的結果。本文將深入剖析IGBT過流時芯片正中心產生燒點的具體工況與內在機理,為失效診斷與系統(tǒng)優(yōu)化提供參考。
在電力電子器件的驅動系統(tǒng)中,米勒鉗位是保障器件穩(wěn)定工作的關鍵技術之一,尤其在碳化硅(SiC)MOSFET的應用場景中,其必要性愈發(fā)凸顯。隨著新能源汽車、光伏發(fā)電、儲能等領域對高效、高頻電力轉換系統(tǒng)需求的提升,碳化硅MOSFET以其高擊穿電壓、低導通損耗、快開關速度等優(yōu)勢成為核心器件。但與此同時,其獨特的器件特性也帶來了新的驅動挑戰(zhàn),米勒鉗位正是應對這些挑戰(zhàn)的核心解決方案。本文將從米勒鉗位的基本定義與工作原理入手,深入剖析碳化硅MOSFET的特性痛點,進而闡明為何這類器件特別需要米勒鉗位技術。
本文中,小編將對AI芯片予以介紹,如果你想對它的詳細情況有所認識,或者想要增進對它的了解程度,不妨請看以下內容哦。
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