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在電子設備高頻化、集成化趨勢下,電磁兼容(EMC)與電磁干擾(EMI)問題愈發(fā)突出,直接影響設備穩(wěn)定性與合規(guī)性。共模電感與差模電感作為EMI濾波的核心元件,分別針對不同類型干擾發(fā)揮抑制作用,其科學選型是保障電路電磁性能的關鍵。本文將從干擾抑制原理出發(fā),系統(tǒng)梳理兩類電感的選型邏輯、核心參數(shù)及實踐要點。
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為電力電子系統(tǒng)的核心開關器件,廣泛應用于工業(yè)變頻、新能源發(fā)電、軌道交通等領域。在實際運行中,過流引發(fā)的芯片燒毀是最常見的失效模式之一,而燒點位置的差異往往對應著不同的失效機理。其中,芯片正中心出現(xiàn)燒點的現(xiàn)象在三相全橋等大功率應用場景中尤為典型,其形成并非單一因素導致,而是電流分布、熱傳導、封裝結構及保護機制等多因素協(xié)同作用的結果。本文將深入剖析IGBT過流時芯片正中心產(chǎn)生燒點的具體工況與內(nèi)在機理,為失效診斷與系統(tǒng)優(yōu)化提供參考。