5G NR物理層關鍵技術的性能評估方法

5G NR（新無線）物理層作為無線通信網(wǎng)絡的基礎，其性能直接決定了5G網(wǎng)絡的數(shù)據(jù)傳輸速率、時延、連接密度等核心指標。本文將系統(tǒng)闡述5G NR物理層關鍵技術的性能評估方法，重點分析信道編碼、調制技術、大規(guī)模MIMO及波束賦形等技術的量化評估框架。

IDF組件系統(tǒng)的應用(上)

感應電壓、虛電壓、漏電壓、差模電壓、共模電壓，你都了解嗎

在這篇文章中，小編將為大家?guī)黼妷旱南嚓P報道，本文總共會介紹5種電壓。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

網(wǎng)卡有哪些作用？網(wǎng)卡連接不穩(wěn)定、無法連接到網(wǎng)絡，如何解決

在下述的內(nèi)容中，小編將會對網(wǎng)卡的相關消息予以報道，如果網(wǎng)卡是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

電容式觸摸傳感器（下）

MQTT協(xié)議通信（上）

發(fā)送 GET 和 POST 請求(下)

關于嵌入式的WiFi 管理

6G太赫茲通信的硬件挑戰(zhàn)與解決方案

隨著6G通信技術向太赫茲（0.1-10 THz）頻段邁進，硬件層面的技術瓶頸成為制約其商業(yè)化落地的核心挑戰(zhàn)。太赫茲波的獨特物理特性（如超短波長、高路徑損耗）對器件設計、系統(tǒng)集成和信號處理提出了顛覆性要求，而全球科研團隊正通過材料創(chuàng)新、架構重構和算法突破破解這些難題。

FET 關斷電壓緩沖的核心必要性

反向轉換器(尤以反激式拓撲為典型)中，功率 MOSFET 關斷瞬間面臨的電壓尖峰是制約電路可靠性的關鍵問題。其本質是變壓器漏感與 MOSFET 輸出電容(Coss)發(fā)生高頻諧振，疊加次級反射電壓(VOR)后形成過沖電壓，公式可表示為：\(V_{peak} = V_{DC} + L_\sigma \cdot \frac{di}{dt}\)。在 700V 母線電壓、200kHz 開關頻率的工況下，僅 10nH 的寄生電感就可能產(chǎn)生 100-500V 的尖峰，遠超 1200V 等級器件的安全裕量。這種尖峰不僅易導致 MOSFET 雪崩擊穿，還會加劇電磁干擾(EMI)和關斷損耗，因此必須通過緩沖電路實現(xiàn)電壓抑制與能量吸收。