5G NR物理層關(guān)鍵技術(shù)的性能評(píng)估方法

5G NR（新無(wú)線）物理層作為無(wú)線通信網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)，其性能直接決定了5G網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)傳輸速率、時(shí)延、連接密度等核心指標(biāo)。本文將系統(tǒng)闡述5G NR物理層關(guān)鍵技術(shù)的性能評(píng)估方法，重點(diǎn)分析信道編碼、調(diào)制技術(shù)、大規(guī)模MIMO及波束賦形等技術(shù)的量化評(píng)估框架。

IDF組件系統(tǒng)的應(yīng)用(上)

感應(yīng)電壓、虛電壓、漏電壓、差模電壓、共模電壓，你都了解嗎

在這篇文章中，小編將為大家?guī)?lái)電壓的相關(guān)報(bào)道，本文總共會(huì)介紹5種電壓。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

網(wǎng)卡有哪些作用？網(wǎng)卡連接不穩(wěn)定、無(wú)法連接到網(wǎng)絡(luò)，如何解決

在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)網(wǎng)卡的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果網(wǎng)卡是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

電容式觸摸傳感器（下）

MQTT協(xié)議通信（上）

發(fā)送 GET 和 POST 請(qǐng)求(下)

關(guān)于嵌入式的WiFi 管理

6G太赫茲通信的硬件挑戰(zhàn)與解決方案

隨著6G通信技術(shù)向太赫茲（0.1-10 THz）頻段邁進(jìn)，硬件層面的技術(shù)瓶頸成為制約其商業(yè)化落地的核心挑戰(zhàn)。太赫茲波的獨(dú)特物理特性（如超短波長(zhǎng)、高路徑損耗）對(duì)器件設(shè)計(jì)、系統(tǒng)集成和信號(hào)處理提出了顛覆性要求，而全球科研團(tuán)隊(duì)正通過(guò)材料創(chuàng)新、架構(gòu)重構(gòu)和算法突破破解這些難題。

FET 關(guān)斷電壓緩沖的核心必要性

反向轉(zhuǎn)換器(尤以反激式拓?fù)錇榈湫?中，功率 MOSFET 關(guān)斷瞬間面臨的電壓尖峰是制約電路可靠性的關(guān)鍵問(wèn)題。其本質(zhì)是變壓器漏感與 MOSFET 輸出電容(Coss)發(fā)生高頻諧振，疊加次級(jí)反射電壓(VOR)后形成過(guò)沖電壓，公式可表示為：\(V_{peak} = V_{DC} + L_\sigma \cdot \frac{di}{dt}\)。在 700V 母線電壓、200kHz 開關(guān)頻率的工況下，僅 10nH 的寄生電感就可能產(chǎn)生 100-500V 的尖峰，遠(yuǎn)超 1200V 等級(jí)器件的安全裕量。這種尖峰不僅易導(dǎo)致 MOSFET 雪崩擊穿，還會(huì)加劇電磁干擾(EMI)和關(guān)斷損耗，因此必須通過(guò)緩沖電路實(shí)現(xiàn)電壓抑制與能量吸收。