不同于聯(lián)發(fā)科、博通(Broadcom)等處理器大廠自行開發(fā)產(chǎn)品的模式，高通(Qualcomm)則與獨立型無線充電芯片商如IDT和安森美(On Semiconductor)展開合作，共同設(shè)計多模無線充電接收器(Rx)與傳送器(Tx)芯片，以加速拱大無線充電市場大餅。

高通產(chǎn)品管理資深總監(jiān)Mark Hunsicker表示，該公司已先后與IDT、安森美達(dá)成協(xié)議，將共同開發(fā)第一代和第二代整合磁感應(yīng)(Magnetic Induction)和磁共振(Magnetic Resonance)技術(shù)的多模無線充電Tx和Rx芯片，而最后的芯片所有權(quán)將歸高通所有。

Hunsicker指出，高通將以上述芯片為基礎(chǔ)，開發(fā)出完整的Rx和Tx參考設(shè)計并提交給無線電力聯(lián)盟(A4WP)進(jìn)行認(rèn)證，再提供給授權(quán)廠商，以滿足眾多品牌客戶對多模無線充電方案的需求。

高通同時布局多模無線充電的Rx和Tx，主要目的是建置完整的系統(tǒng)，讓無線充電在智能手機、平板裝置等產(chǎn)品皆可順暢運作，且合乎法規(guī)要求，并加速市場普及。至今，高通已有兩款Tx產(chǎn)品通過A4WP認(rèn)證。

Hunsicker認(rèn)為，多模方案存在的時間應(yīng)該會歷經(jīng)兩代智能手機，以每一代智能手機的產(chǎn)品生命周期約18～24個月推估，兩代時間約達(dá)48個月，這段時間終端消費者會使用雙模無線充電模式的產(chǎn)品;而在過渡期之后，支援單模磁共振的智能手機數(shù)量將會大增。

也因此，Hunsicker強調(diào)，該公司針對無線充電市場主要仍最關(guān)注磁共振標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展，事實上，現(xiàn)階段已有不少源始設(shè)備制造商(OEM)在開發(fā)支援單模A4WP磁共振無線充電技術(shù)的智能手機。