STM32F10xxx支持三種復(fù)位形式，分別為系統(tǒng)復(fù)位、上電復(fù)位和備份區(qū)域復(fù)位。

一、系統(tǒng)復(fù)位

除了時(shí)鐘控制器的RCC_CSR寄存器中的復(fù)位標(biāo)志位和備份區(qū)域中的寄存器(見圖4)以外，系統(tǒng)
復(fù)位將復(fù)位所有寄存器至它們的復(fù)位狀態(tài)。
當(dāng)發(fā)生以下任一事件時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)系統(tǒng)復(fù)位：
1. NRST引腳上的低電平(外部復(fù)位)
2. 窗口看門狗計(jì)數(shù)終止(WWDG復(fù)位)
3. 獨(dú)立看門狗計(jì)數(shù)終止(IWDG復(fù)位)
4. 軟件復(fù)位(SW復(fù)位)
5. 低功耗管理復(fù)位
可通過查看RCC_CSR控制狀態(tài)寄存器中的復(fù)位狀態(tài)標(biāo)志位識別復(fù)位事件來源。

軟件復(fù)位
通過將Cortex?-M3中斷應(yīng)用和復(fù)位控制寄存器中的SYSRESETREQ位置’1’，可實(shí)現(xiàn)軟件復(fù)位。請參考Cortex?-M3技術(shù)參考手冊獲得進(jìn)一步信息。
低功耗管理復(fù)位
在以下兩種情況下可產(chǎn)生低功耗管理復(fù)位：
1. 在進(jìn)入待機(jī)模式時(shí)產(chǎn)生低功耗管理復(fù)位：
通過將用戶選擇字節(jié)中的nRST_STDBY位置’1’將使能該復(fù)位。這時(shí)，即使執(zhí)行了進(jìn)入待機(jī)模式的過程，系統(tǒng)將被復(fù)位而不是進(jìn)入待機(jī)模式。
2. 在進(jìn)入停止模式時(shí)產(chǎn)生低功耗管理復(fù)位：
通過將用戶選擇字節(jié)中的nRST_STOP位置’1’將使能該復(fù)位。這時(shí)，即使執(zhí)行了進(jìn)入停機(jī)模式的過程，系統(tǒng)將被復(fù)位而不是進(jìn)入停機(jī)模式。

關(guān)于用戶選擇字節(jié)的進(jìn)一步信息，請參考STM32F10xxx閃存編程手冊。

二、電源復(fù)位

當(dāng)以下事件中之一發(fā)生時(shí)，產(chǎn)生電源復(fù)位：
1. 上電/掉電復(fù)位(POR/PDR復(fù)位)
2. 從待機(jī)模式中返回

電源復(fù)位將復(fù)位除了備份區(qū)域外的所有寄存器。(見圖1）

圖中復(fù)位源將最終作用于RESET引腳，并在復(fù)位過程中保持低電平。復(fù)位入口矢量被固定在地址0x0000_0004。更多細(xì)節(jié)，參閱圖2：其它STM32F10xxx產(chǎn)品(小容量、中容量和大容量)的向量表。

芯片內(nèi)部的復(fù)位信號會在NRST引腳上輸出，脈沖發(fā)生器保證每一個(gè)(外部或內(nèi)部)復(fù)位源都能有至少20μs的脈沖延時(shí)；當(dāng)NRST引腳被拉低產(chǎn)生外部復(fù)位時(shí)，它將產(chǎn)生復(fù)位脈沖。

復(fù)位電路

備份域復(fù)位

備份區(qū)域擁有兩個(gè)專門的復(fù)位，它們只影響備份區(qū)域(見圖1)。
當(dāng)以下事件中之一發(fā)生時(shí)，產(chǎn)生備份區(qū)域復(fù)位。
1. 軟件復(fù)位，備份區(qū)域復(fù)位可由設(shè)置備份域控制寄存器(RCC_BDCR)中的BDRST位產(chǎn)生。

備份域控制寄存器(RCC_BDCR)
偏移地址：0x20
復(fù)位值：0x0000 0000，只能由備份域復(fù)位有效復(fù)位
訪問：0到3等待周期，字、半字和字節(jié)訪問
當(dāng)連續(xù)對該寄存器進(jìn)行訪問時(shí)，將插入等待狀態(tài)。
注意： 備份域控制寄存器中(RCC_BDCR)的LSEON、LSEBYP、RTCSEL和RTCEN位處于備份域。因此，這些位在復(fù)位后處于寫保護(hù)狀態(tài)，只有在電源控制寄存(PWR_CR)中的DBP位置’1’后才能對這些位進(jìn)行改動。進(jìn)一步信息請參考5.1節(jié)。這些位只能由備份域復(fù)位清除(見6.1.3節(jié))。任何內(nèi)部或外部復(fù)位都不會影響這些位。

2. 在VDD和VBAT兩者掉電的前提下，VDD或VBAT上電將引發(fā)備份區(qū)域復(fù)位。

圖1

圖2