89C52是INTEL公司MCS-51系列單片機中基本的產(chǎn)品，它采用ATMEL公司可靠的CMOS工藝技術(shù)制造的高性能8位單片機，屬于標(biāo)準(zhǔn)的MCS-51的HCMOS產(chǎn)品。

它結(jié)合了CMOS的高速和高密度技術(shù)及CMOS的低功耗特征，它基于標(biāo)準(zhǔn)的MCS-51單片機體系結(jié)構(gòu)和指令系統(tǒng)，屬于89C51增強型單片機版本，集成了時鐘輸出和向上或向下計數(shù)器等更多的功能，適合于類似馬達控制等應(yīng)用場合。

89C52內(nèi)置8位中央處理單元、512字節(jié)內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲器RAM、8k片內(nèi)程序存儲器(ROM)32個雙向輸入/輸出(I/O)口、3個16位定時/計數(shù)器和5個兩級中斷結(jié)構(gòu)，一個全雙工串行通信口，片內(nèi)時鐘振蕩電路。此外，89C52還可工作于低功耗模式，可通過兩種軟件選擇空閑和掉電模式。在空閑模式下凍結(jié)CPU而RAM定時器、串行口和中斷系統(tǒng)維持其功能。掉電模式下，保存RAM數(shù)據(jù)，時鐘振蕩停止，同時停止芯片內(nèi)其它功能。89C52有PDIP(40pin)和PLCC(44pin)兩種封裝形式。

AT89C52是一個低電壓，高性能CMOS 8位單片機，片內(nèi)含8k bytes的可反復(fù)擦寫的Flash只讀程序存儲器和256 bytes的隨機存取數(shù)據(jù)存儲器(RAM)，器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲技術(shù)生產(chǎn)，兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS-51指令系統(tǒng)，片內(nèi)置通用8位中央處理器和Flash存儲單元，AT89C52單片機在電子行業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用。

AT89C52有40個引腳，32個外部雙向輸入/輸出(I/O)端口，同時內(nèi)含2個外中斷口，3個16位可編程定時計數(shù)器,2個全雙工串行通信口，2 個讀寫口線，AT89C52可以按照常規(guī)方法進行編程，也可以在線編程。其將通用的微處理器和Flash存儲器結(jié)合在一起，特別是可反復(fù)擦寫的 Flash存儲器可有效地降低開發(fā)成本。

AT89C52有PDIP、PQFP/TQFP及PLCC等三種封裝形式，以適應(yīng)不同產(chǎn)品的需求。

1、兼容MCS51指令系統(tǒng)

2、8kB可反復(fù)擦寫(大于1000次)Flash ROM;

3、32個雙向I/O口;

4、256x8bit內(nèi)部RAM;

5、3個16位可編程定時/計數(shù)器中斷;

6、時鐘頻率0-24MHz;

7、2個串行中斷，可編程UART串行通道;

8、2個外部中斷源，共6個中斷源;

9、2個讀寫中斷口線，3級加密位;

10、低功耗空閑和掉電模式，軟件設(shè)置睡眠和喚醒功能;

11、有PDIP、PQFP、TQFP及PLCC等幾種封裝形式，以適應(yīng)不同產(chǎn)品的需求。

AT89C52為8 位通用微處理器，采用工業(yè)標(biāo)

PDIP封裝的AT89C52引腳圖 準(zhǔn)的C51內(nèi)核，在內(nèi)部功能及管腳排布上與通用的8xc52 相同，其主要用于會聚調(diào)整時的功能控制。功能包括對會聚主IC 內(nèi)部寄存器、數(shù)據(jù)RAM及外部接口等功能部件的初始化，會聚調(diào)整控制，會聚測試圖控制，紅外遙控信號IR的接收解碼及與主板CPU通信等。主要管腳有：XTAL1(19 腳)和XTAL2(18 腳)為振蕩器輸入輸出端口，外接12MHz 晶振。RST/Vpd(9 腳)為復(fù)位輸入端口，外接電阻電容組成的復(fù)位電路。VCC(40 腳)和VSS(20 腳)為供電端口，分別接+5V電源的正負(fù)端。P0~P3 為可編程通用I/O 腳，其功能用途由軟件定義，在本設(shè)計中，P0 端口(32~39 腳)被定義為N1 功能控制端口，分別與N1的相應(yīng)功能管腳相連接，13 腳定義為IR輸入端，10 腳和11腳定義為I2C總線控制端口，分別連接N1的SDAS(18腳)和SCLS(19腳)端口，12 腳、27 腳及28 腳定義為握手信號功能端口，連接主板CPU 的相應(yīng)功能端，用于當(dāng)前制式的檢測及會聚調(diào)整狀態(tài)進入的控制功能。

P0 口

P0 口是一組8 位漏極開路型雙向I/O 口， 也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時，每位能吸收電流的

方式驅(qū)動8 個TTL邏輯門電路，對端口P0 寫“1”時，可作為高阻抗輸入端用。

在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器時，這組口線分時轉(zhuǎn)換地址(低8 位)和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。

在Flash編程時，P0 口接收指令字節(jié)，而在程序校驗時，輸出指令字節(jié)，校驗時，要求外接上拉電阻。

P1 口

P1 是一個帶內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口， P1 的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4 個TTL 邏輯

門電路。對端口寫“1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時可作輸入口。作輸入口使用時，因為內(nèi)部存在上拉

電阻，某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(IIL)。

與AT89C51 不同之處是，P1.0 和P1.1 還可分別作為定時/計數(shù)器2 的外部計數(shù)輸入(P1.0/T2)和輸入(P1.1/T2EX)，

參見表1。

Flash 編程和程序校驗期間，P1 接收低8 位地址。

表.P1.0和P1.1的第二功能

引腳號功能特性

P1.0T2，時鐘輸出

P1.1T2EX(定時/計數(shù)器2)

P2 口

P2 是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口，P2 的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4 個TTL 邏輯

門電路。對端口P2 寫“1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時可作輸入口，作輸入口使用時，因為內(nèi)部存在上拉電阻，某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(IIL)。

在訪問外部程序存儲器或16 位地數(shù)據(jù)存儲器(例如執(zhí)行MOVX @DPTR 指令)時，P2 口送出高8 位地址數(shù)據(jù)。在訪問8 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器(如執(zhí)行MOVX@RI 指令)時，P2 口輸出P2鎖存器的內(nèi)容。

Flash編程或校驗時，P2亦接收高位地址和一些控制信號。

P3 口

P3 口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口。P3 口輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4 個TTL 邏

輯門電路。對P3 口寫入“1”時，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。此時，被外部拉低的P3 口將用上拉電阻輸出電流(IIL)。

P3 口除了作為一般的I/O 口線外，更重要的用途是它的第二功能

P3 口還接收一些用于Flash閃速存儲器編程和程序校驗的控制信號。

RST

復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時，RST引腳出現(xiàn)兩個機器周期以上高電平將使單片機復(fù)位。

ALE/PROG

當(dāng)訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時，ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低8 位字

節(jié)。一般情況下，ALE 仍以時鐘振蕩頻率的1/6 輸出固定的脈沖信號，因此它可對外輸出時鐘或用于定時目的。要注意的是：每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個ALE 脈沖。

對Flash存儲器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖(PROG)。

如有必要，可通過對特殊功能寄存器(SFR)區(qū)中的8EH 單元的D0 位置位，可禁止ALE 操作。該位置位后，只有一條

MOVX 和MOVC指令才能將ALE 激活。此外，該引腳會被微弱拉高，單片機執(zhí)行外部程序時，應(yīng)設(shè)置ALE 禁止位無效。

PSEN

程序儲存允許(PSEN)輸出是外部程序存儲器的讀選通信號，當(dāng)AT89C52 由外部程序存儲器取指令(或數(shù)

據(jù))時，每個機器周期兩次PSEN 有效，即輸出兩個脈沖。在此期間，當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器，將跳過兩次PSEN信號。

EA/VPP

外部訪問允許。欲使CPU 僅訪問外部程序存儲器(地址為0000H—FFFFH)，EA 端必須保持低電平(接

地)。需注意的是：如果加密位LB1 被編程，復(fù)位時內(nèi)部會鎖存EA端狀態(tài)。

如EA端為高電平(接Vcc端)，CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。

Flash存儲器編程時，該引腳加上+12V 的編程允許電源Vpp，當(dāng)然這必須是該器件是使用12V編程電壓Vpp。

XTAL1

振蕩器反相放大器及內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端。

XTAL2

振蕩器反相放大器的輸出端。

數(shù)據(jù)存儲

編輯

AT89C52 有256 個字節(jié)的內(nèi)部RAM，80H-FFH 高128 個字節(jié)與特殊功能寄存器(SFR)地址是重疊的，也就是高128字節(jié)的RAM 和特殊功能寄存器的地址是相同的，但物理上它們是分開的。

當(dāng)一條指令訪問7FH 以上的內(nèi)部地址單元時，指令中使用的尋址方式是不同的，也即尋址方式?jīng)Q定是訪問高128 字節(jié)RAM 還是訪問特殊功能寄存器。如果指令是直接尋址方式則為訪問特殊功能寄存器。

例如，下面的直接尋址指令訪問特殊功能寄存器0A0H(即P2 口)地址單元。

MOV 0A0H，#data

間接尋址指令訪問高128 字節(jié)RAM，例如，下面的間接尋址指令中，R0 的內(nèi)容為0A0H，則訪問數(shù)據(jù)字節(jié)地址為0A0H，而不是P2 口(0A0H)。

MOV @R0，#data

堆棧操作也是間接尋址方式，所以，高128 位數(shù)據(jù)RAM 亦可作為堆棧區(qū)使用。

·定時器0和定時器1：

AT89C52的定時器0和定時器1 的工作方式與AT89C51 相同。