2011下半年各閃存廠商開始導入1X納米技術，并在第四季度量產(chǎn)，2012年市場產(chǎn)能將進一步擴大。預計SSD將在2012邁向成長期，下半年成本將達每單位GB 1美元水平，使其快速實現(xiàn)普及化。

2011年智能手機依然是市場最熱門消費產(chǎn)品，另一個焦點是平板電腦，兩種消費產(chǎn)品主要以內(nèi)嵌存儲為主，內(nèi)嵌容量較大，所以對NAND閃存產(chǎn)能消耗也比較大，一直未被關注的固態(tài)硬盤(SSD)在2011年年底需求開始升溫，或將成為2012年殺手級NAND閃存應用產(chǎn)品。

不過2011年閃存市場產(chǎn)品價格走勢似乎不太理想，產(chǎn)品價格一直呈下跌走勢，最大跌幅達48%。縱觀2011年價格走勢，市場需求在第一季度為淡季，價格成緩幅下跌走勢，3月受到日本大地震的影響，由于擔心市場供貨會出現(xiàn)大的缺口而導致供貨吃緊，因此在恐慌心理影響下，價格出現(xiàn)飆漲，漲幅達16%。日本地震確實震撼了存儲產(chǎn)業(yè)鏈，上游原材料廠嚴重受創(chuàng)，東芝就曾通知下游客戶其5、6月的NAND閃存芯片供給量將大幅減少50%。盡管如此，閃存價格在5月卻是跌幅最大，達14.5%，其主要是受到手機需求疲軟的影響。2011年8月上旬世界大學生運動會在深圳舉行，使得當?shù)?ldquo;山寨”市場受到嚴厲調查，導致5月以來深圳多家手機設計公司暫停營業(yè)，整個山寨機供應鏈受到相當大的沖擊，市場需求大幅降溫。

商機與危機并存，在2011年年底泰國的意外水災讓SSD成為焦點，NAND閃存價格的下跌讓SSD需求開始升溫，成為了2012年市場新的應用產(chǎn)品。SSD將是2012年各廠重點布局對象，并將為存儲產(chǎn)業(yè)帶來另一個春天。

2011年閃存市場主要廠商動向

目前NAND閃存上游廠商依然是四大陣營對壘，依次是三星、東芝/SanDisk、美光/英特爾、海力士。對于2011年存儲市場，NAND閃存原廠都持樂觀態(tài)度，在2011年里大手筆投資擴產(chǎn)，對于制程技術也是精益求精，納米制程技術從年初剛進入的2X等級到2011年年底開始轉進1X技術，2011是制程轉進最快的一年。

三星：在年初三星便表示2011年將執(zhí)行大規(guī)模資本支出，資本支出規(guī)模約23兆韓元(約206.54億美元)，較2010年增加6.5%，大規(guī)模的支出旨在抓住智能手機和平板電腦快速發(fā)展的機遇。位于京畿道華城的16 NAND閃存生產(chǎn)線從2011年9月已經(jīng)開始投入量產(chǎn)，初期生產(chǎn)規(guī)模約為每月2萬片12英寸晶圓，未來計劃將該生產(chǎn)線產(chǎn)能提升至每月20萬片以上。此外，三星于2011年年底表示，公司還計劃在中國設廠，從2013年開始生產(chǎn)NAND閃存芯片，投資規(guī)模高達40億美元。

2011年里三星主要是以27納米制程為主，但制程轉進速度也非常快，到年底便導入了1X納米，該公司7月量產(chǎn)基于20納米的32GB Micro SD，并將在2012年上半年開始1X納米級NAND閃存量產(chǎn)，制造高容量64GB的Micro SD卡。

東芝/SanDisk：東芝在2011年主要以24納米制程為主，取代了32納米制程技術。在年初美國消費電子展(CES)中展示了新一代24納米NAND閃存制程技術，4月發(fā)布基于24納米工藝的“SmartNAND”系列產(chǎn)品，并在第二季度量產(chǎn)。不久之后又推出了采用19納米制程技術的64Gb 2bps(X2)NAND閃存，2011年下半年進入量產(chǎn)階段。

東芝與SanDisk合資的12英寸Fab5廠于2011年8月開始出貨，預計產(chǎn)能將可以提升到20萬片，同時在2012年采用更先進的19納米制程。

美光/英特爾：美光在2011年主要以25納米制程為主，年初便以25納米NAND閃存技術推出“RealSSD C400”固態(tài)硬盤，并迅速量產(chǎn)。與此同時，20納米制程8GB NAND閃存開始送樣，并在下半年進入量產(chǎn)期。此外2011年12月投產(chǎn)20納米制程技術的16GB容量的NAND Flash芯片樣品，最高容量可提升到128GB。

美光與英特爾共同投資新加坡12英寸晶圓廠，以25納米制程切入生產(chǎn)，取代34納米，早期預估月產(chǎn)能約10萬片。

海力士：相對于其他NAND閃存原廠而言，海力士的制程相對落后，2011年主要制程為26納米技術，取代32納米制程。該公司在年初也曾表示將在2011年投資3.4兆韓元(約30.3億美元)進行廠房以及設備升級，金額約與2010年相近，在忠清北道清州廠增建NAND閃存專用廠M11，大部分為26納米制程設備，為了強化NAND閃存競爭力，海力士在2011年下半年也開始投入量產(chǎn)20納米制程NAND閃存。

海力士在“2011 Symposium on VLSI Technology”上發(fā)表了20納米工藝的64Gbit MLC NAND閃存，并稱這是業(yè)內(nèi)首次以20納米工藝實現(xiàn)大容量多值NAND閃存，然而未有更多的消息傳出。

市場變化趨勢

隨著智能手機的崛起，輕薄型電子產(chǎn)品成為市場發(fā)展趨勢，為了令產(chǎn)品具薄型化設計優(yōu)勢，筆記本電腦開始舍棄光驅。這樣的設計雖可讓產(chǎn)品顯得更薄，但傳統(tǒng)硬盤仍然限制了體積的進一步縮小，因此必須采用更趨薄化的硬盤設計或是直接換用SSD解決方案，以達到產(chǎn)品更為輕薄的目的。

蘋果iPad帶來的超薄型風潮，使得平板電腦成為了2011年新的亮點。市場具有代表性的MacBook Air、超極本(Ultrabook)將引領輕薄型電腦的市場熱潮，顯然，這些產(chǎn)品對SSD的采用將是必然的。

據(jù)估計，2011年超極本的出貨占比還不高，僅個位數(shù)約2.4%左右，而2012年出貨量可能提升到2,500萬臺，將市占率拉升至10.4%；到了2013年，預計出貨量可能達到4,300萬臺左右。超極本初期會先采用HDD或者是HDD加上SSD的模式，這也是過渡性的產(chǎn)品，未來一定會走向純SSD。在SSD容量配備上，現(xiàn)在內(nèi)建的SSD容量也不用256GB等高容量，可以從小容量32GB或64GB開始，降低產(chǎn)品成本刺激消費需求，等SSD每GB成本能降到1美元以內(nèi)再提升SSD容量。

另外隨著人們需求的提升，產(chǎn)品存儲容量也開始提高。從閃存市場報價可以看出，Micro SD從2011年下半年開始高容量產(chǎn)品價格一直呈直線下滑，以4GB和8GB容量產(chǎn)品價格為例，Micro SD 4GB上半年由年初的27.2元下跌至23.5元人民幣，下跌幅度大約在13.6%，下跌幅度一般；2011年下半年則由23.5元下跌至17.5元人民幣，下跌幅度大約25.5%，下半年下跌幅度大約是上半年的2倍；全年下跌幅度達35.6%，8GB價格全年下滑53.6%。高容量產(chǎn)品價格在2011年下跌幅度較深，使得市場對于容量熱忱度開始由原來的1GB、2GB需求轉向4GB、8GB，市場上產(chǎn)品配備的存儲器也開始轉向高容量。

對于內(nèi)嵌式存儲器，最新的市場產(chǎn)品應用便是eMMC。高端智能手機使用eMMC的容量至少在8GB以上，16GB、32GB也成為一般智能手機主流配備標準。輕薄型電腦內(nèi)嵌存儲的SSD容量初期從32GB起，以刺激市場需求，等NAND閃存價格進一步下跌，其容量配備將達256GB或512GB甚至更高。高容量需求在NAND閃存價格下跌的推動下將成為標準配置，使高標配形式逐漸普及化。

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