國內把半導體技術作為重點來抓，首先要突破的是3D NAND閃存，這方面主要是長江存儲科技在做，而在芯片制造工藝方面，國內比Intel、三星、TSMC落后的更多，這方面追趕還得看SMIC中芯國際。日前中芯國際CEO邱慈云表態(tài)今年晚些時候會投資研發(fā)7nm工藝，不過他并沒有給出國產7nm工藝問世時間，考慮到14nm工藝目標定在2018-2020年左右，估計國產的7nm工藝至少也得在2020年之后了。

中芯國際是國內最先進的半導體代工廠，2016年營收29億美元，同比增長30%，不過與全球晶圓代工一哥TSMC臺積電差距還是相當大的，后者去年營收約為300億美元，半導體工藝更是領先——TSMC早就量產16nm FinFET工藝了，今年還會量產10nm工藝，SIMC目前最先進的工藝還是28nm，主力工藝還是40nm、55nm等。

2015年比利時國王訪華時，中比雙方簽署了一系列合作協議，其中一條就是中芯國際、華為、高通與比利時微電子中心IMEC合作研發(fā)14nm FinFET工藝，預計會在2020年之前達成《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》提出的16/14納米工藝實現規(guī)模量產的目標。

中芯國際從28nm直接進入14nm，跳過了20nm節(jié)點，未來也很有可能跳過10nm節(jié)點，直接進入7nm節(jié)點。該公司CEO邱慈云博士日前對外表態(tài)稱今年晚些時候會投入R&D研發(fā)資金開發(fā)7nm工藝，他還提到近年來中芯國際加大了研發(fā)投入力度，R&D投資占據公司12-13%的營收，2016年資本支出也創(chuàng)紀錄地達到了27億美元。

邱博士并沒有提到國內7nm工藝的具體情況，目前看來只是開始投入研發(fā)資金，這一點上要比Intel、三星GF、TSMC早幾年就研發(fā)7nm工藝要晚得多，不過他們依然是全球第五家表態(tài)研發(fā)7nm工藝的半導體公司，隨著制程工藝越來越先進，全球有能力研發(fā)新工藝的晶圓廠越來越少。