前陣子蘋果iPhone 6S/Plus續(xù)航力表現與溫度落差都被歸咎于三星的工藝技術問題，但事實上似乎不是如此。

工藝是影響芯片性能與功耗表現的重要因素，對蘋果最新版本的iPhone 6S而言，似乎重要性要更高。

我們都知道，新版iPhone的A9芯片分別以臺積電的16nm與三星電子14nm制造。在部分用戶發(fā)現利用Geekbench這套測速程序在非常高壓的測試情境之下，使用不同來源芯片的iPhone有著截然不同的表現，使用臺積電16nm工藝A9的iPhone電池壽命明顯比使用三星電子14nm工藝的A9要來得長，同時溫度也要更低。

所以三星電子的14nm工藝遠比臺積電的16nm工藝糟糕?這結論，可能下的太早了。

根據Chipworks的芯片解析，三星確定使用較早的14nm LPE(low-power early)工藝，而臺積電則是有很大的機率使用其最新的16nm FinFET+。

我們相當清楚，16nm FinFET+是臺積電為了對抗三星在14nm工藝的功耗與面積優(yōu)勢而緊急提出來的方案，取代原本在性能與面積偏弱勢的16nm FinFET，由于只是工藝部分的小調整，既有的芯片設計很容易就可以從16nm FinFET升級到16nm FinFET+，當然，如果是像海思這類客戶已經開光罩投產，要用FinFET+可能還是要重新投片。

三星也提出14nm LPP(low-power plus)反制，在性能與功耗上都會比原本的LPE更好。

目前三星電子14nm LPP還未正式量產，最快導入該工藝的將是高通驍龍820及自家的Exynos M1，投產時間預計在2015年第四季。

從Chopworks的解析中可以發(fā)現，三星14nm LPE工藝在芯片面積方面要比臺積電的16nm更小，當然，這也符合業(yè)界的預期以及臺積電之前在法說會的說法。在面積上大約有10%的落差，這會許也是蘋果會選擇三星電子作為A9的主要代工伙伴的原因之一。

目前三星電子和臺積電在14nm與16nm之間的晶圓報價差距約在3成，如果加上面積的差異，且不計算良率的話，那么單位芯片的成本差距可能就會達到約4成，面對這么龐大的成本差距，即便二者在工藝性能上有差距，蘋果會如何取舍其實不言可喻。

當然16nm FinFET+的確有其性能優(yōu)勢，但不同工藝的A9在CPU的性能極端測試表現落差如此之大，真的只是單純工藝的因素嗎?

我們可以看看更多的測試細節(jié)，可以發(fā)現如果是測試GPU高負載運算，二者在功耗表現方面其實差距微乎其微，如果單純只是因為工藝的因素，不會CPU落差這么大，GPU卻幾乎沒有落差。

另外，在多數情況之下，基于不同工藝A9的手機在性能與功耗上其實沒有太大的不同，因此我們可以大膽推論CPU部分的設計可能出了問題。

從Chipworks的芯片照片也可以發(fā)現，不同工藝的A9在芯片布局方面也不一樣，當然，這是因為三星和臺積電在周邊的IP方案也不同，必須根據不同的工藝設計與優(yōu)化，但是不是因為這些搭配的差別，使得芯片上的布局出了問題，才是導致CPU在功耗方面落差如此大的元兇?

在極端情況之下的CPU負載測試雖然對于芯片體質是一大考驗，但對于判斷芯片的日常應用體驗其實一點幫助也沒有，跑3D游戲，大部分的功耗落在GPU上，看網頁與傳輸數據，基頻與Wi-Fi芯片功耗也要考慮進來，甚至屏幕也是功耗大戶。

另外，所有ARM架構高端處理器在高壓負載之下，溫度要是上升到一定程度就會強制降頻，換句話說CPU的高壓負載測試情況下，從滿電到沒電，應該有99%的時間都是在6成，甚至一半的頻率限制下運作，加上整個系統(tǒng)也有功耗預算限制，某些評論說三星電子工藝耗電的問題可能是因為比較不耐高頻運作，其實也無法反映CPU高壓測試的結果。

三星自己的14nm LPE工藝方案Exynos 7420早期曾有因為工藝質量不穩(wěn)定，導致不同批次在CPU電壓的需求有落差，因而功耗與溫度，甚至性能不同的問題發(fā)生，但從不同工藝A9的CPU高壓測試觀察，所有基于三星電子14nm LPP工藝的A9在電池壽命和溫度都有一致的結果，并沒有表現特別好、或者是接近臺積電版本測試結果的狀況，所以也可以排除可能是工藝質量不穩(wěn)定的推論，也證明三星電子14nm LPE雖然弱于臺積電，但質量應該算穩(wěn)定。畢竟客戶是蘋果，他們可不會接受質量落差太大的狀況。

另外，傳聞蘋果也要為了功耗落差的問題重新修改在三星電子投產的A9，如果該傳聞為真，也等同蘋果承認是自己設計的問題，加上三星電子在這陣風波中完全不吭聲，更可能落實了以上的推論。