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[導(dǎo)讀]臺積電近來多事之秋,于2018年6月完成管理層交班,也分別在2018年8月發(fā)生計(jì)算機(jī)病毒感染事件,和2019年1月爆發(fā)晶圓質(zhì)量瑕疵事件,但幸虧30年來,制程研發(fā)步步為營,穩(wěn)打穩(wěn)扎,保證先進(jìn)制程一路領(lǐng)先。

臺積電近來多事之秋,于2018年6月完成管理層交班,也分別在2018年8月發(fā)生計(jì)算機(jī)病毒感染事件,和2019年1月爆發(fā)晶圓質(zhì)量瑕疵事件,但幸虧30年來,制程研發(fā)步步為營,穩(wěn)打穩(wěn)扎,保證先進(jìn)制程一路領(lǐng)先。

2019年4月24日,三星電子公布了未來的投資計(jì)劃和目標(biāo),計(jì)劃在未來12年內(nèi)(1999年至2030年)投資約1200億美元加強(qiáng)系統(tǒng)LSI和晶圓代工業(yè)務(wù)方面的競爭力;并依靠低價搶下NVIDIA下一代GPU訂單,全然力挑臺積電。但現(xiàn)階段遭遇日本原材料禁運(yùn),抹上了一層陰影。

本文從發(fā)展歷程、生產(chǎn)基地、先進(jìn)制程、封裝布局等方面來梳理三星挑戰(zhàn)臺積電的勝算。

一、發(fā)展歷程

1、臺積電

1987年2月21日成立,臺積電正式成立,開創(chuàng)純晶圓代工新模式;1988年公司營收超過新臺幣10億;1991年公司實(shí)現(xiàn)盈利新臺幣5億,此后無一年虧損;1993年?duì)I收超過新臺幣100億;1994年9月在臺灣上市,當(dāng)年?duì)I收達(dá)新臺幣193億(約6億美元);1995年?duì)I收超過10億美元;1998年?duì)I收超過新臺幣500億;2000年?duì)I收首次超過1000億臺幣(新臺幣1660億);2008年?duì)I收超過100億美元(新臺幣3330億);2012年?duì)I收首次超過新臺幣5000億;2018年?duì)I收首次超過新臺幣10000億。2017年和2018年的市場占有率為56%。

作為專業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者,臺積電專注為全球Fabless公司、IDM公司和系統(tǒng)集成公司提供晶圓制造服務(wù)。自創(chuàng)立開始,臺積電即持續(xù)提供客戶最先進(jìn)的技術(shù)及臺積電TSMC COMPATIBLE設(shè)計(jì)服務(wù),在提供先進(jìn)的晶圓工藝技術(shù)與最佳的制造效率上已建立了良好的聲譽(yù)。

臺積電在擁有先進(jìn)技術(shù)后,將其轉(zhuǎn)換成生產(chǎn)優(yōu)勢,其中包括良率、可靠性、準(zhǔn)時交貨性、充足的產(chǎn)能以應(yīng)付客戶需求和生產(chǎn)周期等。技術(shù)與生產(chǎn)上的優(yōu)勢,轉(zhuǎn)換成與客戶的長期信任關(guān)系。

2、三星電子

2005年,三星電子開始進(jìn)入12英寸邏輯工藝晶圓代工領(lǐng)域,2017年5月12日,三星電子宣布調(diào)整公司業(yè)務(wù)部門,將晶圓代工業(yè)務(wù)部門從系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)部門中獨(dú)立出來,成立三星電子晶圓代工,主要負(fù)責(zé)為全球客戶制造非存儲芯片,從而與以臺積電為首的純晶圓代工公司競爭。

從2005年到2009年,三星電子的年代工營收不足4億美元。到2010年啃上蘋果(Appple),開始代工蘋果A系列處理器(包括A4、A5、A6、A7),代工營業(yè)收入出現(xiàn)爆長,2010年整體代工收入激增至12億美元(其中蘋果A系列處理器產(chǎn)品代工收入達(dá)8億美元)。由于蘋果手機(jī)等移動終端產(chǎn)品出貨激增,三星電子的晶圓代工營收水漲船高,到2013年達(dá)到39.5億美元,當(dāng)年蘋果的代工收入占到公司代工總收入的86%。可以說2010年至2013年三星電子的代工營收完全是靠蘋果在支撐。

由于20納米工藝制程良率無法突破等多方面的原因,2014年三星電子失去蘋果A系列處理器訂單,蘋果A8處理器全部交由臺積電(TSMC)代工;2015年好不容易搶到A9處理器部分訂單,但由于良率和功耗控制不如臺積電,導(dǎo)致2016年的A10處理器又全部由臺積電包圓。由于失去蘋果這個大客戶,導(dǎo)致2014年和2015年晶圓代工營收出現(xiàn)下滑。

為了填補(bǔ)產(chǎn)能,三星電子代工部門積極出擊,搶下高通(Qualcomm)應(yīng)用處理器和服務(wù)器芯片、超微半導(dǎo)體(AMD)的微處理器芯片、英偉達(dá)(Nvidia)的圖形處理芯片、安霸(Ambarella)的視覺處理芯片、特斯拉(Tesla)的自駕系統(tǒng)芯片的訂單,得以彌補(bǔ)蘋果跑單的窘境。2016年?duì)I收達(dá)到44億美元,超過2013年的水平,創(chuàng)下三星電子晶圓代工營收的新紀(jì)錄。

根據(jù)市場研究公司IC Insights的數(shù)據(jù)顯示,三星電子2017年晶圓代工營收達(dá)46億美元,在全球晶圓代工市場以6%的市占率排名第四,前三分別是臺積電(TSMC)的56%,格芯半導(dǎo)體(GlobalFoundries)的9%,聯(lián)電(UMC)的8.5%;2018年晶圓代工營收達(dá)100億美元,市占率達(dá)14%,排名全球第二。

2018年三星電子排名全球第二大晶圓代工公司,并非業(yè)績大增,實(shí)乃拆分部門導(dǎo)致。原因是晶圓代工部門自立門戶,不再隸屬于系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)。所以現(xiàn)在包括處理器芯片(Exynos等)、CIS圖像傳感器、顯示驅(qū)動芯片、電源管理芯片的生產(chǎn)收入都算作晶圓代工部門營收,因此營收一路高漲,市占率一夕飆高。

二、生產(chǎn)基地

1、臺積電

目前在臺灣擁有三座12英寸超大晶圓廠、四座8英寸晶圓廠和一座6英寸晶圓廠,在中國大陸有一座12英寸晶圓廠和一座8英寸晶圓廠,在美國擁有一座8英寸晶圓廠。位于臺灣的第四座12英寸超大晶圓廠FAB18的第一期也于2019年順利投產(chǎn)。

2018年提供261種不同的制程技術(shù),為481個客戶生產(chǎn)10436種不同產(chǎn)品,晶圓出貨量達(dá)1080萬片12英寸約當(dāng)晶圓量。

2019年,臺積電預(yù)計(jì)提供約1200萬片的12英寸約當(dāng)晶圓的年產(chǎn)能,其中7納米產(chǎn)能約100萬片12英寸晶圓。

3nm工廠也在計(jì)劃建設(shè)中。

2、三星電子

到2019年底,三星電子晶圓代工專屬線將增至7條,包括6條12英寸和3條8英寸。

目前,三星電子代工業(yè)務(wù)可以提供包括65納米、45納米、32/28納米HKMG、14納米FinFET、10納米FinFET、7納米FinFET EUV工藝,客戶包括蘋果、高通、超微半導(dǎo)體、賽靈思、英偉達(dá)、恩智浦(NXP)以及韓國本土公司Telechips等。

韓國器興(Kiheung)的S1,建成于2005年,是三星首條12英寸邏輯代工生產(chǎn)線,目前量產(chǎn)65納米至8納米低功耗芯片,產(chǎn)品主要用于計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)、智能手機(jī)、汽車、以及日益成長的物聯(lián)網(wǎng)市場等。

美國奧斯汀(Austin)的S2是由原8英寸廠改造而來;2010年8月開始潔凈室建設(shè),2011年4月開始12英寸邏輯產(chǎn)品投產(chǎn),當(dāng)年達(dá)產(chǎn)43000片;目前量產(chǎn)65納米至14納米產(chǎn)品。2010年設(shè)立研發(fā)中心,旨在為系統(tǒng)LSI部門開發(fā)高性能、低功耗、復(fù)雜的CPU和系統(tǒng)IP架構(gòu)和設(shè)計(jì)。

韓國華城(Hwasung)的S3,是2018年建成投產(chǎn)的12英寸邏輯生產(chǎn)線,目前主要生產(chǎn)10納米至8納米產(chǎn)品,將是三星7納米產(chǎn)品的主力生產(chǎn)廠。

韓國華城的S4,是原DRAM用產(chǎn)線FAB11進(jìn)行改造,目前CMOS影像傳感器(CIS)專用生產(chǎn)線。位于華城的12英寸DRAM產(chǎn)線FAB13也正在加緊改造為CMOS影像傳感器專用生產(chǎn)線。

韓國華城的EUV專用產(chǎn)線自2018年2月開工建設(shè)以來,正在加緊建設(shè)。工廠將投資60億美元,將于2019年下半年完成建設(shè)、2020年正式投產(chǎn)。初期以7納米產(chǎn)品為主,輔以EUV光刻機(jī)。

韓國器興的8英寸晶圓代工線新FAB6于2016年開放,包括原來的FAB6、FAB7、FAB8等三個廠,涵蓋從180納米到70納米工藝節(jié)點(diǎn),現(xiàn)有產(chǎn)能接近25萬片,制程技術(shù)包括嵌入式快閃記憶體(eFlash)、功率元件、影像感測器CIS,以及高電壓制程的生產(chǎn),主要針對韓國本土的Fabless。

三、制程

1、臺積電

自1987年成立以來,臺積電一直堅(jiān)持“建立內(nèi)部研發(fā)”戰(zhàn)略,為公司帶來了顯著的競爭優(yōu)勢。臺積電通過從臺灣工業(yè)技術(shù)研究院轉(zhuǎn)移3.5μm和2μm技術(shù)創(chuàng)辦公司,同時為飛利浦定制了3.0μm技術(shù)。僅僅一年之后,臺積電于1988年成功開發(fā)了自己的1.5μm技術(shù)。隨后進(jìn)行了一系列持續(xù)的成功開發(fā),包括1.2μm,1.0μm,0.8μm,0.6μm,0.5μm,0.3μm和0.25μm工藝。

1999年,臺積電發(fā)布了世界上第一個0.18μm低功耗工藝技術(shù)。從那時起,臺積電引領(lǐng)行業(yè)不斷縮小的線寬技術(shù),從0.13μm,到90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、16/12nm、10nm、7nm,再到今年的5nm工藝。

2018年臺積電營收超過新臺幣10000億,其中先進(jìn)制程技術(shù)(28納米及以下更先進(jìn)制程)的營收占整體營收的63%,而7納米的的營收占整體營收更是超過20%,成為第一大營收來源。

那么我們來看看臺積電在10納米以下工藝的布局情況。

N7:2017年4月7nm開始風(fēng)險生產(chǎn),2018年量產(chǎn),第三季開始貢獻(xiàn)營收,在2018年有40多個客戶產(chǎn)品流片,預(yù)計(jì)2019年還將有100多個新產(chǎn)品流片。與10nm FinFET工藝相比,7nm FinFET具有1.6倍邏輯密度,約20%的速度提升和約40%%的功耗降低。有兩個工藝制程可選,一是針對AP,二是針對HPC(高性能計(jì)算應(yīng)用)。

N7+:2018年8月進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)階段,2019年第三季開始量產(chǎn),是臺積電第一個使用EUV光刻解決方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。

N6:為強(qiáng)化7nm技術(shù),提升效能/成本優(yōu)勢且加速產(chǎn)品上市時間,2019年4月份推出的6nm制程技術(shù),采用EUV光刻解決方案,預(yù)計(jì)將在2020年第一季風(fēng)險試產(chǎn),第三季實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉N6工藝比N7工藝提供高出18%的邏輯密度,設(shè)計(jì)規(guī)則與N7完全兼容,使其全面的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)得以重復(fù)使用。

N5:5nm技術(shù)于2019年3月進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)階段,預(yù)期2020年第二季拉高產(chǎn)能并進(jìn)入量產(chǎn)。主力生產(chǎn)工廠是Fab 18。與7納米制程相較,5nm芯片密度增加80%,在同一運(yùn)算效能下可降低15%功耗,在同一功耗下可提升30%運(yùn)算效能。

N5P:N5P(5nm+)預(yù)計(jì)2020年第一季開始試產(chǎn),2021年進(jìn)入量產(chǎn)。與5nm制程相較在同一功耗下可再提升7%運(yùn)算效能,或在同一運(yùn)算效能下可再降低15%功耗。

3nm:目前沒有更多3nm的技術(shù)信息,但是3納米工廠的投資案已經(jīng)宣布,計(jì)劃投資超過新臺幣6000億元在新竹寶山興建,預(yù)計(jì)2020年動工,2022年底量產(chǎn)。

2nm:2019年每下二季宣布正式啟動2nm工藝的研發(fā),未來工廠將設(shè)置在位于新竹南方科技園。

2、三星電子

2005年三星電子進(jìn)入晶圓代工業(yè);2006年首個客戶簽約65納米;2009年45納米工藝開始接單,同年11月在半導(dǎo)體研究所成立邏輯工藝開發(fā)團(tuán)隊(duì),以強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù);2010年1月首個推出32納米HKMG工藝;2014年推出第一代14納米FinFET工藝;2016年10月17日,第一代10納米FinFET工藝量產(chǎn)。

那么我們來看看三星電子在10納米以下工藝的布局情況。

8LPP:8LPP在生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)換為EUV(Extreme Ultra Violet)光刻技術(shù)之前,具有最大的競爭優(yōu)勢。結(jié)合三星10nm技術(shù)的關(guān)鍵工藝流程創(chuàng)新,與10LPP相比,8LPP在性能和門電路密度方面提供了額外的優(yōu)勢。2018年11月成功量產(chǎn)Exynos 9系列(9820)。

7LPP:7LPP將是第一個使用EUV光刻解決方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。這里要強(qiáng)調(diào)兩點(diǎn),一是通過和ASML的合作,開發(fā)出了250W最大的EUV源功率,這是EUV進(jìn)入到大量生產(chǎn)中的最重要的里程碑,EUV光刻技術(shù)的部署將打破摩爾定律擴(kuò)展的障礙,為單一的納米半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展鋪平了道路;二是關(guān)鍵IP將于2019年上半年完成研發(fā),下半年將進(jìn)行投產(chǎn)。

5LPE:5LPE將采用三星獨(dú)特的智能縮放(Smart Scaling)解決方案,將其納入基于EUV的7LPP技術(shù)之上,可實(shí)現(xiàn)更大面積擴(kuò)展和超低功耗優(yōu)勢。

4LPE/LPP:4LPE/LPP是三星電子最后一次應(yīng)用高度成熟和行業(yè)驗(yàn)證的FinFET技術(shù),結(jié)合此前5LPE工藝的成熟技術(shù),芯片面積更小,性能更高,可以快速達(dá)到高良率量產(chǎn),也方便客戶升級。

3LPP:3LPP將第一次使用全新的MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET,多橋接通道場效應(yīng)晶體管)結(jié)構(gòu),基于GAAFET(Gate All Around FET,環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù)。GAAFET需要重新設(shè)計(jì)晶體管底層結(jié)構(gòu),克服當(dāng)前技術(shù)的物理、性能極限,增強(qiáng)柵極控制,性能大大提升。預(yù)計(jì)2020年投入風(fēng)險性試產(chǎn)。

四、封裝布局

1、臺積電

2008年開始先進(jìn)封裝布局。首先成立集成互連與封裝技術(shù)整合部門,2009年開始戰(zhàn)略布局三維集成電路(3D IC)系統(tǒng)整合平臺。

目前,臺積電先進(jìn)封裝技術(shù)WLSI(Wafer-Level-System-Integration)平臺包括既有的CoWoS封裝、InFO封裝,以及針對PM-IC等較低端芯片的扇入型晶圓級封裝(Fan-In WLP),還將于2021年推出系統(tǒng)級整合芯片(SoIC,System-on-integrated-chips)等封裝技術(shù),陣容更加齊整、堅(jiān)強(qiáng)。

CoWoS于2011年開發(fā)成功,張忠謀在第三季法說會上放言,臺積電要進(jìn)軍封裝領(lǐng)域。此舉震撼半導(dǎo)體業(yè)界,特別是封裝業(yè);到2013年量產(chǎn)時,只有可編程邏輯門陳列供應(yīng)商賽靈思(Xilinx)一家的28納米產(chǎn)品量產(chǎn)。前CoWoS已經(jīng)獲得NVIDIA、AMD、Google、XilinX、華為海思等高端HPC芯片訂單。

InFO技術(shù)于2016 年11月首度用于iPhone 7的A10處理器。InFO技術(shù)成功應(yīng)用于追求高性價比的移動通訊市場,AP產(chǎn)品是其主要客戶。

SoIC根植于CoWoS與WoW(多晶圓堆疊,Wafer-on-Wafer)技術(shù),SoIC特別倚重于CoW(Chip-on-wafer)設(shè)計(jì),這對于芯片業(yè)者來說,采用的IP都已經(jīng)認(rèn)證過一輪,生產(chǎn)上可以更成熟,良率也可以提升,也可以導(dǎo)入存儲器芯片應(yīng)用。更重要的是,SoIC能對10納米或以下的制程進(jìn)行晶圓級的鍵合技術(shù),這將有助于臺積電強(qiáng)化先進(jìn)工藝制程的競爭力。WoW技術(shù)透過硅通孔(TSV,Through-silicon Vias)互連連接的10微米孔彼此接觸,將多層邏輯運(yùn)算單元以立體方式堆疊在一起,架構(gòu)出高速、低延遲互連性能。雖然TSV互連早就運(yùn)用在DRAM 及3D NAND 等存儲器的生產(chǎn)技術(shù)上,但是用在邏輯運(yùn)算單元的量產(chǎn)上,卻還是首次。

2、三星電子

目前,三星電子正在全力推動FOPLP(面板級扇出型封裝,F(xiàn)an-Out Panel Level Packaging)技術(shù),已量產(chǎn)了FOPLP-PoP與I-Cube 2.5D先進(jìn)封裝技術(shù),希望可與臺積電的InFO、CoWoS封裝分庭抗禮。

I-Cube 2.5D:目前已經(jīng)量產(chǎn),可以實(shí)現(xiàn)4路HBM 2顯存堆棧。2020年則會推出3D SiP系統(tǒng)級封裝,適用于人工智能(AI)、高性能計(jì)算(HPC)、網(wǎng)絡(luò)和GFX,三星電子寄希望I-Cube 2.5D能和臺積電CoWoS封裝制程相抗衡。

FOPLP-PoP:針對移動終端用應(yīng)用處理器,號稱是抗衡臺積電InFO的封裝制程。2018年10月正式生產(chǎn)Galaxy Watch應(yīng)用處理器(AP)芯片。但目前看來,大規(guī)模量產(chǎn)還是不成熟。

五、結(jié)語

競技場上拼爹是不夠的,還是得憑實(shí)力說話。正如臺積電(TSMC)憑借尖端工藝技術(shù)(Technology)、優(yōu)質(zhì)服務(wù)(Service)、制造能力(Manufacture),與客戶(Customers)建立堅(jiān)實(shí)的伙伴關(guān)系,穩(wěn)定地創(chuàng)造了強(qiáng)而有力的成長。

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開關(guān)電源具有效率高的特性,而且開關(guān)電源的變壓器體積比串聯(lián)穩(wěn)壓型電源的要小得多,電源電路比較整潔,整機(jī)重量也有所下降,所以,現(xiàn)在的LED驅(qū)動電源

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LED驅(qū)動電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動LED發(fā)光的電壓轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

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