如果你無法忍受自己那臺老牛拉破車的電腦時，那就動手來升級吧。升級的最簡單方式不外乎多加一條內(nèi)存，電腦性能將由此獲得提升。不過當你將新買的內(nèi)存加插在電腦上開機時，可能意外地出現(xiàn)了藍屏，難道是新加內(nèi)存的問題?

在BIOS中調(diào)整內(nèi)存參數(shù)

很多用戶在升級購買內(nèi)存時，只看重了內(nèi)存的容量，并沒有太在意它的規(guī)格參數(shù)，甚至連品牌都沒有太在意，一味追求便宜的價格，因此有時就會出現(xiàn)新內(nèi)存和老內(nèi)存無法兼容的問題。當然，最妥當?shù)霓k法是將電腦抱到電腦城去現(xiàn)場升級，但不是所有用戶都愿意那樣當“搬運工”的，因此最好可以先把內(nèi)存參數(shù)了解一下再購買，或者是將買回的內(nèi)存設(shè)置一下再使用。

通常新買的內(nèi)存規(guī)格參數(shù)都會比原來的老內(nèi)存高一些，例如老內(nèi)存規(guī)格為宇瞻DDR3 1333 2GB，延遲時序CL=9，而新買的內(nèi)存為雜牌DDR3 1600 2GB，CL=7。在目前的主流主板BIOS中都有針對內(nèi)存的超頻設(shè)置選項，我們可以利用它們來對內(nèi)存參數(shù)進行設(shè)置，從而能讓它們和平相處，協(xié)同工作(如圖1)。

開機后按下DEL鍵進入主板BIOS的“OverDrive”界面，本例使用的是昂達A75T魔固主板，使用其他品牌型號主板的用戶需要自己找到相應(yīng)的界面?？梢钥吹紹IOS自動識別了內(nèi)存，將“Memory boot Mode”選為“Easy Memory”，“Memory Frequency”內(nèi)存頻率選項和“Memory Performance Mode”內(nèi)存高級模式選項都被設(shè)為“Auto”自動。一般來說，如果和原有的1333MHz內(nèi)存一起使用的時候，1600MHz的內(nèi)存將被默認降頻到1333MHz的主頻來運行，不會對硬件造成任何影響，但是在高級參數(shù)中，一些雜牌內(nèi)存在混用時時序規(guī)格會出現(xiàn)問題，因此需要將它們設(shè)置為和老內(nèi)存相同的數(shù)值。

取消“Memory Frequency”和“Memory Performance Mode”選項的“Auto”的設(shè)置，將前者設(shè)為“1333MHz” (如圖2)，而這時在“Memory Performance Mode”下的“CAS Latency”、“RAS/CAS Delay”、“Row Precharge Time”、“Min Active RAS”變?yōu)榭烧{(diào)，將它們設(shè)為9-9-9-30。然后保存重新開機，即可正常進入系統(tǒng)了。雖然并沒有發(fā)揮出新內(nèi)存的原有性能，但至少可以和老內(nèi)存的參數(shù)匹配了，混用變得更為穩(wěn)定。

小提示：有的時候在兩條內(nèi)存混插后，開機會出現(xiàn)點不亮的情況，這樣就進不了BIOS進行設(shè)置了。這個時候只有短接CMOS電池清除BIOS信息。在一些主板上會有一些貼心的設(shè)計，如本例這款主板上有一個Memory OK按鍵(如圖3)，按下它后，就可以將內(nèi)存的頻率及參數(shù)下調(diào)到能正常開機的水平，接著繼續(xù)進入BIOS再對它進行設(shè)置。

其實內(nèi)存的所有規(guī)格參數(shù)都是記錄在SPD芯片，在開機電腦會根據(jù)其中的參數(shù)運行內(nèi)存。對于一些在BIOS中沒有提供內(nèi)存參數(shù)調(diào)節(jié)選項的老主板，那么我們就只能用軟件來修改參數(shù)，也就是把參數(shù)寫入到SPD芯片中去，覆蓋掉原有的參數(shù)。

在這里使用SPD tool軟件，其修改內(nèi)存的參數(shù)比較多，但風險比較大，需要事先做好備份工作。首先只將新內(nèi)存插在電腦上，開機打開SPD tool，點擊菜單欄“File”→“Read”→“Module 0：Installed” (如圖4)，讀取該內(nèi)存的SPD信息。當讀取完后點擊“File”→“Save”，將它保存到電腦硬盤中，注意備份的文件名。

接著開始手動修改界面下方的各個選項，其中SDRAM Cycle time at Maximum Supported CAS Latency(內(nèi)存支持的最大CAS潛伏周期)，這里的值是1.25ns(800MHz)，改為1.50ns(666MHz)。接下來改Minimum Clock Cycle at CLX-1(最小CAS潛伏周期1)和Minimum Clock Cycle at CLX-2(最小CAS潛伏周期2)，把1.50ns(666MHz)和1.67ns(592MHz)分別改為1.67ns(592MHz)和1.93ns(518MHz)。向下找到Minimum Row Precharge Time(tRP)和Minimum RAS to CAS delay(tRCD)都改為30ns。

如果感覺這樣的設(shè)置比較麻煩，那么可以將老內(nèi)存的SPD參數(shù)讀出來，將其直接寫入到新內(nèi)存中(如圖5)。點擊菜單欄“File”→“Write”→“Module 0：Installed”，在出現(xiàn)提示時點“是”，在寫入成功后重啟電腦。

當然這還不能保證內(nèi)存刷新完全成功了，還需要使用MemTest軟件進行測試，它的測試原理就是不停地對內(nèi)存進行讀寫，從而發(fā)現(xiàn)內(nèi)存中存在錯誤的區(qū)域。具體方法請看2012年第1期《電腦報》E6版《內(nèi)存問題有木有 巧用閃存來測試》一文。與SPDtool功能類似的軟件還有Thaiphoon Burner等，大家可以舉一反三。在修改時建議電腦上只插一條內(nèi)存，這樣不容易出現(xiàn)誤操作。

編輯觀點：以上兩種方法實際上是針對內(nèi)存參數(shù)的下調(diào)，雖然讓新內(nèi)存性能有一定程度降低，但能以滿足適應(yīng)老內(nèi)存的最低參數(shù)的需要，可以讓兩條甚至多條內(nèi)存更好地混用。這不但有益于升級，如果用戶在無法組建雙通道時也可以使用這樣的方法來解決問題。當然，如果你的老內(nèi)存體質(zhì)較好的話，也可以上調(diào)參數(shù)，進行超頻使用。