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“一時’瑜’亮”——NUCLEO-F413ZH評測
- [導(dǎo)讀]
- 原文標(biāo)題為“既生‘瑜’，何生‘亮’？"聽起來似乎有點(diǎn)悲情，故此小編妄自將其改成”一時‘瑜’‘亮’“。412之后又出413，表面上看起來著實(shí)令人摸不著頭腦，本文將為你解開這個謎題。
3、對比
下面來看看意法半導(dǎo)體公司最近先后推出的這兩塊Nucleo-144開發(fā)板，估計很多人會認(rèn)為是同一款開發(fā)板，其實(shí)左邊的是NUCLEO-F412ZG開發(fā)板，右邊的是NUCLEO-F413ZH開發(fā)板，是不是有點(diǎn)卵生兄弟的感覺?
如果你仔細(xì)對照一番，就會發(fā)現(xiàn)其實(shí)兩款開發(fā)板除了MCU不同之外，其它的地方還真是完全一樣!!!
而STM32F412和STM32413都是高性能的STM32F4中的入門級產(chǎn)品，根據(jù)芯片編號，必然有著非常相似的片內(nèi)外設(shè)，讓我有種“既生瑜，何生亮?”的感覺。
仔細(xì)對照圖表看了一下，可以看出STM32413相比較STM32F412在存儲器、運(yùn)行時典型功耗、BAM模塊等有所不同，其中FLASH和RAM上均有提高，運(yùn)行時的功耗反而變大，BAM模塊改為了BAM+模塊，看來是一個增強(qiáng)型BAM模塊。
FLASH容量就不說了，這個運(yùn)行時每MHz的耗電量多出的3個uA在哪里?
BAM(Batch Acquisition Mode)大量數(shù)據(jù)采集模式在STM32系列MCU中也是十分常見的，這是意法半導(dǎo)體動態(tài)能效技術(shù)創(chuàng)新，可將傳感器數(shù)據(jù)直接傳入SRAM存儲器，同時CPU及閃存仍處于關(guān)斷狀態(tài)，這有利于開發(fā)人員高效使用微控制器的電源管理模式來降低功耗。只是在STM32F413微控制器中，BAM變成了增強(qiáng)型BAM(BAM+)，這里查了一下官方的數(shù)據(jù)手冊和參考文檔，發(fā)現(xiàn)這一增強(qiáng)在于BAM通過添加SRAM2來增強(qiáng)功能，SRAM2允許通過Ibus和Dbus執(zhí)行SRAM代碼，從而提高代碼執(zhí)行性能。這里也就是為什么STM32F413微控制器比STM32F412的RAM多了64KB空間(256kB的SRAM1，64kB的SRAM2)。其實(shí)SRAM1也允許通過Ibus和Dbus執(zhí)行SRAM代碼的功能，為什么還要單獨(dú)設(shè)置一個64KB的SRAM2呢?主要是可以利用SRAM1和SRAM2分別連接Ibus和Dbus，一個用來執(zhí)行RAM代碼，一個用來訪問數(shù)據(jù)，從而提高運(yùn)行效率，此外，可以單獨(dú)設(shè)置SRAM1和SRAM2的電源，更加方便的控制消耗的功耗!
關(guān)于增強(qiáng)型BAM相關(guān)的描述在STM32F413的數(shù)據(jù)手冊上也得到了印證，當(dāng)然更詳細(xì)的使用及注意事項(xiàng)可以查閱相關(guān)的參考手冊和應(yīng)用文檔，這里就不過多分析了。
下面再來對照一下STM32F412xG和STM32F413xH兩個微控制器的數(shù)據(jù)手冊的功能表，可以清楚的從表格上看出，STM32F413相比較STM32F412而言，還是有不少的提升，除了在FLASH和SRAM上的提升，定時器上增加了一個低功耗定時器;串行口USART/UART的數(shù)量更是達(dá)到10個;增加了一個CAN(共3個)和一個SAI;用于Σ-Δ調(diào)制器的數(shù)字濾波器;此外還增加了2個12位DAC。所有的這些增加，都明顯帶有工業(yè)控制應(yīng)用的烙印，可以看出，意法半導(dǎo)體新增加的這款STM32F413微控制器的一個明顯的定位是工業(yè)控制應(yīng)用!
經(jīng)過上面對于STM32F413和STM32F412的對比，我們可以簡單的看出，兩款MCU在硬件資源上有很多相似之處，特別是STM32F413的增強(qiáng)功能，使得這款芯片更適合在工業(yè)控制領(lǐng)域應(yīng)用。關(guān)于意法半導(dǎo)體新出的這款STM32F413微控制器的更詳細(xì)文檔及使用，大家可以參看參考手冊和豐富的應(yīng)用文檔支持。
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