3D NAND大戰(zhàn):美光奮起直追,三星直冒冷汗
有報(bào)告指出,預(yù)測(cè)3D NAND時(shí)代將要到來(lái)。報(bào)告稱(chēng),英特爾、美光、SK海力士(SK Hynix)、東芝、Western Digital的3D NAND應(yīng)該很快就會(huì)上市。估計(jì)第3、4季3D NAND產(chǎn)品將會(huì)大增。英特爾和美光的產(chǎn)品已經(jīng)差不多就緒,東芝和SK海力士則可能在Q4出貨。
據(jù)報(bào)道,美光9日宣布開(kāi)發(fā)出該公司第一款3D NAND芯片,采48層堆疊,容量為32GB。這款3D NAND將用于中高端智能機(jī),支援全新的儲(chǔ)存標(biāo)準(zhǔn)UFS2.1。Pacific Crest認(rèn)為,3D NAND戰(zhàn)役中,美光情勢(shì)有利。該公司的3D NAND盡管層數(shù)較少,但是密度高,而且美光無(wú)可損失。美光宣稱(chēng),新品效能比前代提升40%,尺寸更是業(yè)界最小,美光的3D NAND晶粒(die)比相同效能的平面NAND晶粒,體積縮小30%。新品已送樣給移動(dòng)設(shè)備廠,預(yù)定今年底廣泛出貨。
記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打!目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
美光移動(dòng)業(yè)務(wù)部門(mén)發(fā)言人Dan Bingham說(shuō),該公司第二代3D NAND將為64層,研發(fā)時(shí)程尚未公布。為了支援虛擬現(xiàn)實(shí)和串流影片需求,移動(dòng)設(shè)備的記憶體容量不斷增加,美光預(yù)估,2020年智能機(jī)的內(nèi)建記憶體或許會(huì)有1TB,和電腦差不多。
韓國(guó)三星電子為全球第一家量產(chǎn)3D架構(gòu)NAND型快閃記憶體(Flash Memory)的廠商,不過(guò)NAND Flash最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)追趕速度驚人,宣布領(lǐng)先全球同業(yè)、研發(fā)出堆疊64層的3D Flash產(chǎn)品,且進(jìn)行送樣。
東芝7月27日新聞稿宣布,已研發(fā)出64層的3D Flash制程技術(shù),并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨,且預(yù)計(jì)將透過(guò)甫于7月完工的四日市工廠“新第2廠房”進(jìn)行生產(chǎn)。
競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手急起直追,三星電子冒冷汗,將豪擲17萬(wàn)億韓元(150億美元),研發(fā)3D NAND flash和OLED,鞏固領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
據(jù)報(bào)道,三星電子今年下半還有17.2萬(wàn)億韓元的研發(fā)經(jīng)費(fèi),這筆錢(qián)會(huì)用在哪邊?三星高層Lee Myung-jin給出方向,聲稱(chēng)由于需求飆升,今年將專(zhuān)注于3D NAND和OLED面板。三星是頭一個(gè)開(kāi)發(fā)出3D NAND flash業(yè)者,目前仍是唯一有能力量產(chǎn)48層3D NAND flash的業(yè)者,為防對(duì)手搶單,今年三星將在韓國(guó)京畿道工廠增加更多產(chǎn)線。





