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[導(dǎo)讀]南亞科和華亞科20日將打頭陣召開法說,然力晶卻搶先公布第3季財報,稅后獲利19.36億元,若加計瑞晶獲利,第3季獲利可望逼近30億元;南亞科和華亞科則因?yàn)?0奈米制程轉(zhuǎn)換,產(chǎn)出不如預(yù)期,加上DDR3價格慢性崩盤,使得2

南亞科和華亞科20日將打頭陣召開法說,然力晶卻搶先公布第3季財報,稅后獲利19.36億元,若加計瑞晶獲利,第3季獲利可望逼近30億元;南亞科和華亞科則因?yàn)?0奈米制程轉(zhuǎn)換,產(chǎn)出不如預(yù)期,加上DDR3價格慢性崩盤,使得2家公司第3季虧損分別逾20億和30億元。展望第4季,若1Gb芯片價格跌到1美元,2Gb芯片跌破2美元,這3家臺DRAM廠恐將全數(shù)虧損。

力晶自結(jié)第3季(不含轉(zhuǎn)投資瑞晶)營收250.24億元,毛利率17.35%,營業(yè)凈利率12.89%,稅前獲利22.91億元、稅后獲利19.36億元,換算每股稅后0.34元;累計前3季稅后約122.39億元,每股獲利2.22元。力晶轉(zhuǎn)投資瑞晶第3季由于從65奈米轉(zhuǎn)換至63奈米制程速度快,7月全數(shù)產(chǎn)出都已是63奈米制程產(chǎn)品,成本大幅下降20%,若加計瑞晶獲利挹注,力晶第3季獲利上看30億元。

相較之下,南亞科和華亞科第3季財報則是持續(xù)虧損,虧損金額分別以20億和30億元起跳。南亞科和華亞科第3季財報不如預(yù)期,主要是受到50奈米制程轉(zhuǎn)換影響。華亞科7、8月期間因?yàn)槿珨?shù)停止溝槽式制程,產(chǎn)出大幅減少,導(dǎo)致成本大幅提升,加上DDR3價格逐月慢性崩盤走勢,使得南亞科和華亞科第3季虧損都將較第2季擴(kuò)大。

?o注意的是,由于1Gb容量DDR3芯片報價已跌破2美元,10月上旬2GB容量DDR3模塊報價又再重挫6~9%,這種慢性崩盤趨勢將一路持續(xù)至2010年底,預(yù)期年底1Gb容量DDR3芯片恐往1美元靠攏,2Gb芯片價格則約2美元,屆時全球能獲利的DRAM廠除三星電子(SamsungElectronics)外,恐怕是寥寥可數(shù)。

華亞科第4季底12吋晶圓廠13萬片產(chǎn)能將傾巢而出,可望大幅降低成本,雖然有利轉(zhuǎn)虧為盈,但以其成本結(jié)構(gòu)來看,若年底2Gb芯片價格力撐在2美元以上,第4季營運(yùn)轉(zhuǎn)盈才有機(jī)會,但若2Gb芯片價格跌破2美元,南亞科和華亞科第4季恐將持續(xù)面臨虧損壓力。

力晶第4季主要壓力還是來自于現(xiàn)貨價跌勢,若力晶全?銃i63奈米制程,成本頂多撐在1.4美元附近,一旦1Gb價格往1美元靠攏,力晶亦將承受由盈轉(zhuǎn)虧壓力;至于瑞晶狀況會好些,由于積極轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米,2Gb芯片成本不到1.5美元,屆時力晶可望獲得瑞晶獲利挹注。

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