聯(lián)電（2303）今在上海舉行卓越論壇，聯(lián)電執(zhí)行長顏博文指出，中國市場的發(fā)展對聯(lián)電相當重要，去年正式合并和艦科技是為在中國關鍵的布局，未來聯(lián)電將傾聽客戶需求，以提供中國IC設計業(yè)最佳性價比晶圓專工服務做為重要的目標。

聯(lián)電今于上海浦東舉辦2014卓越論壇，由執(zhí)行長顏博文率高階團隊出席，并邀請中國半導體行業(yè)協(xié)會執(zhí)行副理事長徐小田、中國半導體行業(yè)協(xié)會副理事長暨集成電路設計分會理事長魏少軍等人與會。

由于中國在全球智慧行動終端占有主導性的市場占比，也是全球3C產品在性價比競爭方面最領先的地區(qū)，因此聯(lián)電這次論壇以性價比為主題，針對中國IC（Integrated Circuit，積體電路）設計業(yè)客戶的需求，探討聯(lián)電如何為其量身打造最佳性價比的晶圓專工制造服務。

聯(lián)電在這次論壇各項專題依照4大面向分析在全球化競爭環(huán)境下，聯(lián)電如何為中國IC設計客戶提供最佳性價比解決方案。

其中，聯(lián)電強調，在獨立研發(fā)完成28奈米制程世代后，透過參加IBM研發(fā)聯(lián)盟，繼續(xù)挺進次世代制程研發(fā)，在晶圓專工產業(yè)最尖端的制程技術上將不會缺席。

另外，在特殊技術的廣度上，將涵蓋eFlash、CIS、eHV、BCD等特殊技術，制程則從8寸終極版的0.11奈米全鋁跨向12寸的55/40奈米。

同時，除晶圓制造服務外，聯(lián)電也透過和供應鏈夥伴合作，提供多元化的商業(yè)模式選擇，包括原有的光罩制作、凸塊制作（Wafer Bumping）、晶圓測試、封裝、2.5D 與 3D IC 矽穿孔（TSV）技術等。

至于為協(xié)助客戶將內部設計資源的效率發(fā)揮到極致，加速新產品上市，聯(lián)電規(guī)劃有的設計支援，新增或強化了包含P&R服務、CPU效能最佳化服務、第3方IP一站式服務、設計套件(FDK)客制化等項目。（蕭文康／臺北報導）