三星今年在晶圓代工市場布局腳步積極，并且連續(xù)兩年大幅拉升資本支出規(guī)模，研調機構拓墣示警，三星明年在晶圓代工市場全面進攻策略，將是沖擊半導體產業(yè)的最大變量，原因即在于三星將把存儲器產能大舉轉進晶圓代工，三星產能大規(guī)模提升后，將大幅縮小與臺積電的產能差距，加上包括格羅方德等大廠的來勢洶洶，預估臺積電明年在28納米制程的市占率將從今年的8成滑落至5成。
三星在半導體市場勢力已逐步由存儲器延伸至晶圓代工，為晶圓代工產業(yè)投下震撼彈，拓墣半導體研究中心副理陳蘭蘭指出，三星明年將全面進攻晶圓代工市場，除了連續(xù)兩年大舉提高資本支出外，三星大舉將存儲器產能轉進晶圓代工將大幅拉升代工產能，今年三星的代工產能約是臺積電的三分之一，預估到明年，雙方的產能差距將拉近為二分之一。
特別值得關注的是，三星的12寸晶圓廠產能今年已經超越聯(lián)電(2303)和格羅方德(GF)，三星將存儲器產能轉進代工的挹注下，加上格羅方德也積極擴充高階制程產能，臺積電明年來自產能開出導致低價競爭的壓力升溫，而臺積電今年受惠于28納米需求強勁，營運不斷創(chuàng)新高，隨著三星的大舉轉進與格羅方德積極切入，28納米供不應求狀況預料將在明年緩解，拓墣認為，臺積電今年在28納米制程市占高達8成的榮景難再現。