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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電(2330)、瑞薩電子今(28)日共同宣布,雙方已簽署協(xié)議,擴(kuò)大在微控制器(MCU)技術(shù)方面的合作至40納米嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)制程,以生產(chǎn)應(yīng)用于下一世代汽車及家電等消費(fèi)性產(chǎn)品的微控制器。 瑞薩電子先前已同

臺(tái)積電(2330)、瑞薩電子今(28)日共同宣布,雙方已簽署協(xié)議,擴(kuò)大在微控制器(MCU)技術(shù)方面的合作至40納米嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)制程,以生產(chǎn)應(yīng)用于下一世代汽車及家電等消費(fèi)性產(chǎn)品的微控制器。
瑞薩電子先前已同意采用臺(tái)積公司90納米嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程為該公司生產(chǎn)微控制器;在此40納米微控制器合作案中,瑞薩電子將委托臺(tái)積電(2330)生產(chǎn)40納米及更先進(jìn)制程的微控制器。

瑞薩電子與臺(tái)積公司將共同合作在MCU平臺(tái)與制造所需的先進(jìn)技術(shù)上取得領(lǐng)先地位,結(jié)合瑞薩電子支持高可靠性及高速優(yōu)勢(shì)的金屬氧化氮氧化矽(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon, MONOS)技術(shù)與臺(tái)積電高質(zhì)量技術(shù)的支持,包括先進(jìn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)制程與靈活的產(chǎn)能調(diào)度。
此外,藉由將此MONOS制程平臺(tái)提供給遍布全球的其它半導(dǎo)體供應(yīng)商,包括無(wú)晶圓廠(Fabless)公司及集成元件制造商(IDM),瑞薩電子與臺(tái)積電將致力于建置一個(gè)設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境,并且擴(kuò)大客戶群。
瑞薩電子資深副總巖元伸一表示,為了達(dá)到全球業(yè)務(wù)持續(xù)成長(zhǎng)的目標(biāo),臺(tái)積公司能夠提供其產(chǎn)品迅速量產(chǎn)的優(yōu)勢(shì),并且給予最大的彈性,因應(yīng)市場(chǎng)劇烈波動(dòng)時(shí)的需求。根據(jù)去年歷經(jīng)日本大地震沖擊多條生產(chǎn)線與客戶業(yè)務(wù)之后所學(xué)習(xí)到的經(jīng)驗(yàn),瑞薩已經(jīng)加快晶圓廠網(wǎng)絡(luò)(Fab Network)的布建,成為公司營(yíng)運(yùn)持續(xù)計(jì)劃(Business Continuity Plan, BCP)之中的一環(huán)。
臺(tái)積公司表示,相較于目前的90納米制程,采用40納米制程生產(chǎn)的微控制器產(chǎn)品具備更高速、更低功耗的優(yōu)勢(shì),而且芯片尺寸縮小逾50%,這些特性對(duì)于集成型微控制器的設(shè)計(jì)格外重要,該設(shè)計(jì)將邏輯芯片、存儲(chǔ)器及其它系統(tǒng)零組件壓縮至極小的面積上。



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