電子束技術(shù)聯(lián)盟「eBeam創(chuàng)始計劃(eBeam Initiative)」將于近日公布最新的技術(shù)藍圖，其中包括如何提升 20奈米與 14奈米晶圓制程良率的具體方法；該創(chuàng)始計劃的目的是改善光罩精確度與寫入時間，同時降低電子束微影技術(shù)的光罩成本。
eBeam創(chuàng)始計劃表示，在28奈米與20奈米以下邏輯制程節(jié)點，光罩規(guī)格通常在線寬上低于80奈米，讓維持光罩精準度與晶圓良率的困難度升高；也因為如此，光罩臨界尺寸(critical dimension，CDU)的一致性成為越來越重要的議題。該創(chuàng)始計劃參與成員正在導(dǎo)入包括光罩制程修正(mask process correction，MPC)等等電子束技術(shù)，以打造一個有效的生態(tài)系統(tǒng)。

「28奈米制程節(jié)點以及20奈米以下制程節(jié)點的兩個最大的光罩制作挑戰(zhàn)，就是精確度與發(fā)數(shù)(shot count)；」eBeam創(chuàng)始計劃的管理級贊助成員D2S執(zhí)行長Aki Fujimura表示：「光罩制作商必須持續(xù)在對于可達成高晶圓良率的光罩精準度需求，以及達成高精準度會產(chǎn)生的較長寫入時間、較高成本之間達成平衡?！?br>
eBeam創(chuàng)始計劃的最新聲明并指出，也是該計劃成員之一的電子束微影技術(shù)供應(yīng)商JEOL，已經(jīng)開始接受可改善光罩CDU的客戶訂單；「無論半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是將在可見的未來持續(xù)推進光學微影技術(shù)的極限，或是將轉(zhuǎn)移至EUV微影技術(shù)，提升光罩精確度都是達成高晶圓良率的關(guān)鍵?！笿EOL的SE業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理Wataru Wakamiya表示。

在2012年及未來，eBeam創(chuàng)始計劃成員將持續(xù)證明電子束技術(shù)的進展與可用性；該創(chuàng)始計劃將于2月12日至16日于美國舉行的SPIE先進微影技術(shù)研討會(SPIE Advanced Lithography Symposium)上發(fā)表最新技術(shù)藍圖，并發(fā)表一篇技術(shù)白皮書(MB-MDP Enables Circular Shots to Improve Mask Accuracy As Well As Shot Count，將同時刊登于該計劃官網(wǎng))。

此外eBeam創(chuàng)始計劃也將于SPIE會議上展示其成員 CEA-Leti 與Tela Innovations采用光學與電子束之復(fù)合式微影技術(shù)研發(fā)成果。

編譯：Judith Cheng

(參考原文： E-beam Initiative ready with updated roadmap，by Nicolas Mokhoff)