電子束技術(shù)聯(lián)盟「eBeam創(chuàng)始計(jì)劃(eBeam Initiative)」將于近日公布最新的技術(shù)藍(lán)圖，其中包括如何提升 20奈米與 14奈米晶圓制程良率的具體方法；該創(chuàng)始計(jì)劃的目的是改善光罩精確度與寫(xiě)入時(shí)間，同時(shí)降低電子束微影技術(shù)的光罩成本。
eBeam創(chuàng)始計(jì)劃表示，在28奈米與20奈米以下邏輯制程節(jié)點(diǎn)，光罩規(guī)格通常在線寬上低于80奈米，讓維持光罩精準(zhǔn)度與晶圓良率的困難度升高；也因?yàn)槿绱?，光罩臨界尺寸(critical dimension，CDU)的一致性成為越來(lái)越重要的議題。該創(chuàng)始計(jì)劃參與成員正在導(dǎo)入包括光罩制程修正(mask process correction，MPC)等等電子束技術(shù)，以打造一個(gè)有效的生態(tài)系統(tǒng)。

「28奈米制程節(jié)點(diǎn)以及20奈米以下制程節(jié)點(diǎn)的兩個(gè)最大的光罩制作挑戰(zhàn)，就是精確度與發(fā)數(shù)(shot count)；」eBeam創(chuàng)始計(jì)劃的管理級(jí)贊助成員D2S執(zhí)行長(zhǎng)Aki Fujimura表示：「光罩制作商必須持續(xù)在對(duì)于可達(dá)成高晶圓良率的光罩精準(zhǔn)度需求，以及達(dá)成高精準(zhǔn)度會(huì)產(chǎn)生的較長(zhǎng)寫(xiě)入時(shí)間、較高成本之間達(dá)成平衡?！?br>
eBeam創(chuàng)始計(jì)劃的最新聲明并指出，也是該計(jì)劃成員之一的電子束微影技術(shù)供應(yīng)商JEOL，已經(jīng)開(kāi)始接受可改善光罩CDU的客戶訂單；「無(wú)論半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是將在可見(jiàn)的未來(lái)持續(xù)推進(jìn)光學(xué)微影技術(shù)的極限，或是將轉(zhuǎn)移至EUV微影技術(shù)，提升光罩精確度都是達(dá)成高晶圓良率的關(guān)鍵。」JEOL的SE業(yè)務(wù)部門(mén)總經(jīng)理Wataru Wakamiya表示。

在2012年及未來(lái)，eBeam創(chuàng)始計(jì)劃成員將持續(xù)證明電子束技術(shù)的進(jìn)展與可用性；該創(chuàng)始計(jì)劃將于2月12日至16日于美國(guó)舉行的SPIE先進(jìn)微影技術(shù)研討會(huì)(SPIE Advanced Lithography Symposium)上發(fā)表最新技術(shù)藍(lán)圖，并發(fā)表一篇技術(shù)白皮書(shū)(MB-MDP Enables Circular Shots to Improve Mask Accuracy As Well As Shot Count，將同時(shí)刊登于該計(jì)劃官網(wǎng))。

此外eBeam創(chuàng)始計(jì)劃也將于SPIE會(huì)議上展示其成員 CEA-Leti 與Tela Innovations采用光學(xué)與電子束之復(fù)合式微影技術(shù)研發(fā)成果。

編譯：Judith Cheng

(參考原文： E-beam Initiative ready with updated roadmap，by Nicolas Mokhoff)