格羅方德半導體（GlobalFundries）在28納米高階制程上緊追臺積電（2330），該公司全球CEO Ajit Manocha昨（14）日表示，在28納米制程上已經(jīng)有客戶投產(chǎn)，其余客戶處于規(guī)格測試階段，預期2012年可望大規(guī)模產(chǎn)出。與臺積電今年底量產(chǎn)28納米制程相較，雙方差距已經(jīng)不到一年。

格羅方德半導體成軍之后，瞬間擠身全球第三大晶圓代工廠，與聯(lián)電的市占率差距在5％以內(nèi)，在28納米的先進制程上更是緊追臺積電，格羅方德半導體昨日舉行成軍以來第二度的技術(shù)論壇，規(guī)模更甚以往，不僅一線主管全員到齊，同時也全球正名為格羅方德半導體。

Ajit Manocha昨日指出，目前該公司在先進制程上仍舊產(chǎn)能滿載，呈現(xiàn)供不應求狀態(tài)，其中28納米制程的產(chǎn)品在德國的德勒斯登廠（Fab1）已經(jīng)投產(chǎn)，紐約廠則進入裝機階段，目前有一個客戶投單量產(chǎn)，其余測試或驗證中的設計定案（Tape out）約有30至35個，公司設定的量產(chǎn)目標為2012年，預計2013年之前將制程推進至20納米，并朝14納米目標前進。

在更先進的14納米制程上，臺積電已經(jīng)敲定采用EUV技術(shù)，格羅方德目前僅確定28納米制程采用Immersion技術(shù)，在一年多以前格羅方德雖然已經(jīng)針對14納米制程投資相關(guān)工具，但目前尚未敲定采何種技術(shù)。

相較于臺積電對三星步步進逼晶圓代工極為防備，格羅方德半導體采開放態(tài)度，與三星針對28納米高介電金屬閘極（HKMG）技術(shù)合作，并開放旗下共四座12寸晶圓廠，供客戶自由下單，目標鎖定智能型手機、平板計算機核心處理器訂單，對臺積電造成威脅，Ajit Manocha表示，格羅方德重視與三星這種IDM廠的合作關(guān)系，未來如果市場成熟，會有更多的策略合作伙伴。

臺積電在上季的法說會上表示，28納米制程預計今年底進入量產(chǎn)階段，可望占今年度營收比重的1％，外資法人普遍認為28納米制程臺積電將篤定全球第一，在生產(chǎn)的時程上，外資法人估計雙方差距在一年以上，隨著格羅方德全球正名、積極來臺曝光，28納米制程的量產(chǎn)競賽，將是晶圓代工產(chǎn)業(yè)未來的大戲。