2014年3月18日－設(shè)計工程師充分了解在應(yīng)付由charged board event (CBE) 所造成的較嚴(yán)重?fù)p壞時，提供符合IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的靜電放電 (ESD)保護(hù)功能可能并不足夠。這些極強的浪涌事件具有高峰值電流和快速上升時間特性，可能損壞智能手機、平板電腦、汽車信息娛樂設(shè)備和其它敏感的電子產(chǎn)品的I/O端口。認(rèn)識到這一事實，TE Connectivity旗下的電路保護(hù)業(yè)務(wù)部門推出了全新的硅ESD (SESD)系列器件， 這些器件的空氣放電額定值為±20kV 和±22kV，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于IEC 8kV 接觸放電和15kV空氣放電標(biāo)準(zhǔn)要求，可以幫助設(shè)計人員解決由CBE事件引起的普遍電路保護(hù)難題。

TE電路保護(hù)部產(chǎn)品經(jīng)理Nicole Palma表示：“在與設(shè)計工程師一起工作時，我們發(fā)現(xiàn)IEC的ESD保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)沒有真正解決可能導(dǎo)致產(chǎn)品故障的CBE問題。針對這一挑戰(zhàn)，我們提升了現(xiàn)有的小型低電容SESD器件產(chǎn)品線，提供20kV及更高的浪涌保護(hù)能力。這種更強大的保護(hù)能力可以幫助制造商提高產(chǎn)品可靠性，最大限度地減少現(xiàn)場返修(field return)，而這正是競爭異常激烈的計算機、移動、消費和汽車市場的關(guān)鍵設(shè)計考慮。”

此新一代SESD產(chǎn)品同時具有單向和雙向配置，以及1、2和4通道器件，采用微小型0201和0402尺寸及標(biāo)準(zhǔn)直通(flow-through)封裝。除了提供20kV接觸放電性能，這些器件的浪涌保護(hù)能力(4通道陣列為2.2A，1和2通道器件為2.5A)有助于提供更穩(wěn)健的性能。

SESD器件的典型輸入電容在高頻譜下為0.15pF (雙向)和0.30pF (單向)，能幫助滿足HDMI、eSATA和其它高速信號要求。它們的低鉗位電壓 (<15V) 有助于達(dá)到快速啟動時間和最大限度地減少能量通泄 (energy let-through)。此外，SESD器件具有極低的泄漏電流(50nA)，幫助在必須節(jié)約能源的應(yīng)用中降低功耗。