三星(Samsung)30日發(fā)布業(yè)界首款8Gb的低功耗第四代雙倍資料率(LPDDR4)行動動態(tài)隨機存取記憶體(Mobile DRAM)。為符合未來高階行動裝置將漸漸往64位元處理器、超高解析度(UHD)螢?zāi)坏雀咭?guī)格設(shè)計靠攏，三星針對此需求開發(fā)出高傳輸速率、高效能、高記憶體密度容量的8Gb LPDDR4記憶體，期能率先插旗未來的超高階行動裝置市場版圖。

三星電子記憶體業(yè)務(wù)與行銷部門執(zhí)行副總裁Young-Hyun Jun預(yù)期，這款次世代的LPDDR4 DRAM將刺激DRAM市場快速成長，三星更預(yù)期它未來將成為該市場中市占最多的產(chǎn)品，席卷整個DRAM市場。三星亦將持續(xù)以先進技術(shù)帶領(lǐng)DRAM產(chǎn)業(yè)前進，并協(xié)助全球的原始設(shè)備制造商(OEM)業(yè)者能以此高效能的DRAM晶片開發(fā)出先進的高規(guī)行動裝置。

據(jù)了解，三星8Gb LPDDR4系采用20奈米(nm)制程，在單一晶粒(Die)上具有1GB的儲存空間，這也是目前市場中最高密度儲存容量的DRAM產(chǎn)品；而三星也將透過四片8Gb LPDDR4晶粒封裝成一具有4GB大容量的LPDDR4 DRAM。

三星8Gb LPDDR4行動DRAM除在單一晶片密度儲存容量有所提升外，還可提供比現(xiàn)有低功耗第三代雙倍資料率(LPDDR3)記憶體高出約50%的效能，以及功耗降低約40%的表現(xiàn)，可滿足未來高階智慧型手機、平板機種將漸漸往64位元處理器靠攏的高規(guī)格需求。

此外，三星8Gb LPDDR4亦采用低電壓擺幅中斷邏輯(Low-voltage Swing Terminated Logic, LVSTL)輸入/輸出(I/O)介面，該項技術(shù)經(jīng)由三星向固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)申請而成為LPDDR4 DRAM的標準規(guī)格?；贚VSTL介面，LPDDR4晶片的資料傳輸率可達3200Mbit/s，是目前采用20奈米制程之LPDDR3 DRAM晶片的兩倍。

三星表示，該產(chǎn)品未來將鎖定高階行動裝置市場，包含大螢?zāi)坏某呓馕龆戎腔坌?strong>手機、平板電腦及超薄型筆記型電腦(Ultra-slim Notebook)，以及部分講究高性能表現(xiàn)的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。

據(jù)了解，三星已于2013年11月發(fā)布全球體積最小的6Gb LPDDR3且封裝后記憶體容量可達3GB的DRAM模組，而這款8Gb LPDDR4亦將在2014年正式出貨，競相問世的次世代DRAM將讓三星在該市場的競爭力更加如虎添翼。