[導(dǎo)讀]RFMD宣布其晶圓代工服務(wù)部已更新其制程設(shè)計套件（PDK），以搭配安捷倫（Agilent）最近推出的Advanced DesignSystem（ADS）2011EDA軟件。強化的PDK可立即向目前的和潛在的RFMD晶圓代工服務(wù)客戶供貨，以用于RFMD的氮化
RFMD宣布其晶圓代工服務(wù)部已更新其制程設(shè)計套件（PDK），以搭配安捷倫（Agilent）最近推出的Advanced DesignSystem（ADS）2011EDA軟件。強化的PDK可立即向目前的和潛在的RFMD晶圓代工服務(wù)客戶供貨，以用于RFMD的氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）制程工藝。
RFMD的PDK可支持完整的ADS前至后端MMIC設(shè)計流程，具備可擴展組件，內(nèi)建設(shè)計規(guī)則檢查器，以及ADS2011的布局功能。PDK可與ADS2011、ADS2009Update1及ADS2008 Update2無縫搭配，使RFMD的晶圓代工服務(wù)客戶可獲益于ADS2011的顯著性能優(yōu)勢。
RFMD的GaN和GaAs制程工藝提供客戶代工服務(wù)，并擁有RFMD先進的周期時間支持。RFMD的晶圓代工產(chǎn)品包括GaN1（用于高功率的GaN），基于SiC制程工藝的0.5微米GaN，可發(fā)揮65VCW作業(yè)，并針對4GHz及以下最高性能而優(yōu)化。RFMD的GaN1電源工藝提供了400V以上的高擊穿電壓，而RFMD的GaN2則為SiC制程工藝0.5微米GaN，提供高性能通訊系統(tǒng)的高線性度。GaN工藝由RFMD位于北卡羅萊納州格林斯博羅的廠房制造，其為全球最大的III-V晶圓廠之一。
格林斯博羅廠也生產(chǎn)HBT8D，它是RFMD的大容量InGap工藝，主要用于手機和混合訊號應(yīng)用，另IPC3為集成無源器件工藝，其透過高功率兼容性補足了RFMD的GaN工藝產(chǎn)品陣容。
其他RFMD晶圓代工產(chǎn)品包括低噪聲的0.25微米GaAs pHEMT工藝FD25，以及高功率0.3微米GaAspHEMT工藝FD30，兩者均支持達25GHz的應(yīng)用。RFMD的工藝陣容還包括FET1H，其為0.6微米的GaAspHEMT工藝，以及FET2D，其為0.6微米GaAs E/D pHEMT工藝。RFMD的pHEMT工藝由該公司的英國NewtonAycliffe廠制造。
關(guān)于RFMD
RF Micro Devices,Inc.公司（Nasdaq股市代號：RFMD）是高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體工藝設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者。RFMD產(chǎn)品可幫助實現(xiàn)全球移動性，提供加強的連接性，以及支持移動設(shè)備、無線基礎(chǔ)設(shè)施、無線局域網(wǎng)（WLAN或WiFi）、有線電視（CATV）/寬帶、智能能源/高級計量基礎(chǔ)設(shè)施（AMI）以及航空和國防市場中的高級功能。RFMD半導(dǎo)體工藝多樣化產(chǎn)品組合以及RF系統(tǒng)專業(yè)工藝享有業(yè)界知名度，是全球頂尖移動設(shè)備、客戶終端設(shè)備以及通信設(shè)備提供商的首選供應(yīng)商。
RFMD的PDK可支持完整的ADS前至后端MMIC設(shè)計流程，具備可擴展組件，內(nèi)建設(shè)計規(guī)則檢查器，以及ADS2011的布局功能。PDK可與ADS2011、ADS2009Update1及ADS2008 Update2無縫搭配，使RFMD的晶圓代工服務(wù)客戶可獲益于ADS2011的顯著性能優(yōu)勢。
RFMD的GaN和GaAs制程工藝提供客戶代工服務(wù)，并擁有RFMD先進的周期時間支持。RFMD的晶圓代工產(chǎn)品包括GaN1（用于高功率的GaN），基于SiC制程工藝的0.5微米GaN，可發(fā)揮65VCW作業(yè)，并針對4GHz及以下最高性能而優(yōu)化。RFMD的GaN1電源工藝提供了400V以上的高擊穿電壓，而RFMD的GaN2則為SiC制程工藝0.5微米GaN，提供高性能通訊系統(tǒng)的高線性度。GaN工藝由RFMD位于北卡羅萊納州格林斯博羅的廠房制造，其為全球最大的III-V晶圓廠之一。
格林斯博羅廠也生產(chǎn)HBT8D，它是RFMD的大容量InGap工藝，主要用于手機和混合訊號應(yīng)用，另IPC3為集成無源器件工藝，其透過高功率兼容性補足了RFMD的GaN工藝產(chǎn)品陣容。
其他RFMD晶圓代工產(chǎn)品包括低噪聲的0.25微米GaAs pHEMT工藝FD25，以及高功率0.3微米GaAspHEMT工藝FD30，兩者均支持達25GHz的應(yīng)用。RFMD的工藝陣容還包括FET1H，其為0.6微米的GaAspHEMT工藝，以及FET2D，其為0.6微米GaAs E/D pHEMT工藝。RFMD的pHEMT工藝由該公司的英國NewtonAycliffe廠制造。
關(guān)于RFMD
RF Micro Devices,Inc.公司（Nasdaq股市代號：RFMD）是高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體工藝設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者。RFMD產(chǎn)品可幫助實現(xiàn)全球移動性，提供加強的連接性，以及支持移動設(shè)備、無線基礎(chǔ)設(shè)施、無線局域網(wǎng)（WLAN或WiFi）、有線電視（CATV）/寬帶、智能能源/高級計量基礎(chǔ)設(shè)施（AMI）以及航空和國防市場中的高級功能。RFMD半導(dǎo)體工藝多樣化產(chǎn)品組合以及RF系統(tǒng)專業(yè)工藝享有業(yè)界知名度，是全球頂尖移動設(shè)備、客戶終端設(shè)備以及通信設(shè)備提供商的首選供應(yīng)商。
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