經(jīng)過(guò)近一年的推進(jìn)工作，美國(guó)羅格斯大學(xué)趙建輝教授的第三代半導(dǎo)體碳化硅（ＳｉＣ）外延及器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，目前已確定落戶中關(guān)村海淀園。

該項(xiàng)目中試及初期生產(chǎn)場(chǎng)地最終確定在海淀東升科技園，目前已簽訂租賃協(xié)議。該項(xiàng)目致力于開(kāi)拓第三代半導(dǎo)體碳化硅的全球市場(chǎng)，建設(shè)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)群，形成中國(guó)的“碳化硅谷”。