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    DRAM 8英寸線將逐漸退出

  隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步,90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴(kuò)大,首先在競(jìng)爭(zhēng)最激烈的存儲(chǔ)器制造中呈現(xiàn)。

  臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示,2006年是轉(zhuǎn)折點(diǎn),DRAM中的8英寸芯片性價(jià)比已不具有優(yōu)勢(shì),一批較早的8英寸芯片廠,已無(wú)法采用0.11微米工藝來(lái)制造512Mb的DDR2存儲(chǔ)器。

  臺(tái)灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認(rèn)為,五大集團(tuán)三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達(dá)主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè),全球DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)應(yīng)用中,有55%用于PC中。預(yù)計(jì)2007年臺(tái)式機(jī)中存儲(chǔ)器用量將增加46%;而筆記本中將增加63%;服務(wù)器中將增加47%;而消費(fèi)電子產(chǎn)品及手機(jī)中也分別有56%及69%的增長(zhǎng)。所以,2007年DRAM總需求將有57.4%的增長(zhǎng)。但在供給方面,2007年中DRAM的8英寸芯片生產(chǎn)線的自然淘汰率將占20%至30%,其中有的8英寸線升級(jí)至12英寸或者改成其他用途。

  不同品種有其相應(yīng)的特征尺寸及生存周期,完全由市場(chǎng)來(lái)決定,目前DRAM已進(jìn)入80納米量產(chǎn)時(shí)代,而模擬電路中0.18微米仍是國(guó)際先進(jìn)水平。所以各種不同的硅片尺寸都有其相應(yīng)的生存之道,但是大尺寸硅片逐步取代小尺寸是自然規(guī)律。如右圖所示。

  中國(guó)芯片制造仍在初級(jí)階段

  自華虹NEC在中國(guó)建成第一個(gè)8英寸生產(chǎn)線至今,中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)正在逐步成長(zhǎng)壯大。雖然也有中芯國(guó)際的12英寸芯片生產(chǎn)線以及全國(guó)8英寸硅片的產(chǎn)能規(guī)模已達(dá)每月30萬(wàn)片以上,但是從總體看,產(chǎn)業(yè)的水平仍處在初級(jí)階段,其現(xiàn)狀如下:

  有12英寸及90納米的代工能力,但至少落后于臺(tái)積電等世界一流代工企業(yè)一年以上。目前在高端產(chǎn)品代工方面仍以標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器為主。而在邏輯電路代工方面,由于90納米技術(shù)進(jìn)展緩慢,加上缺乏頂級(jí)fabless公司的大訂單,造成新建12英寸的產(chǎn)能擴(kuò)展緩慢。

  0.18微米及以上的代工,由于同質(zhì)化,缺乏特長(zhǎng)工藝能力,加上臺(tái)積電等打壓,致使硅片平均銷售價(jià)格下降,毛利率低,而造成企業(yè)效益不夠理想。

  中國(guó)芯片制造業(yè),從結(jié)構(gòu)上看大部分6英寸及8英寸舊線的贏利狀況較好,目前可能是全球唯一還在增建8英寸芯片生產(chǎn)線的地區(qū)。

  在12英寸新線建設(shè)中,中國(guó)仍處在擴(kuò)張的態(tài)勢(shì),中芯國(guó)際除了在北京有Fab4之外,上海的Fab8已處于設(shè)備安裝階段,另一條武漢的中芯12英寸生產(chǎn)線已加快步伐,預(yù)計(jì)2007年底可能提前進(jìn)行設(shè)備安裝。但是面臨一個(gè)做什么產(chǎn)品的決策問(wèn)題,可以預(yù)計(jì)DRAM及NAND閃存是個(gè)正確的選擇。

  目前唯一在中國(guó)大肆擴(kuò)張的是無(wú)錫海力士及意法的合資存儲(chǔ)器廠,其進(jìn)展速度超出業(yè)界的預(yù)期。至2007年底擴(kuò)充硅片月產(chǎn)能將為8英寸5萬(wàn)片及12英寸6萬(wàn)片,將成為中國(guó)最大的芯片制造廠。

  從全球8英寸芯片廠范圍看,唯有中國(guó)內(nèi)地還在逐年擴(kuò)張,但是由于種種原因,速度已經(jīng)減緩,因此可以預(yù)計(jì),在未來(lái)三年內(nèi),臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體廠的西移,是影響內(nèi)地半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)的主要因素。但是在近時(shí)期內(nèi)中國(guó)內(nèi)地不太可能成為全球最大的8英寸芯片廠基地。 (本文作者為美國(guó)應(yīng)用材料公司顧問(wèn))

  -專家觀點(diǎn)

  中國(guó)芯片制造業(yè)突圍策略

  我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)根本問(wèn)題是基礎(chǔ)薄弱,盡管近年來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在設(shè)計(jì)、制造、封裝,包括設(shè)備及材料等方面都有長(zhǎng)足的進(jìn)步,產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)逐年完善,但是缺乏品牌及世界一流的公司來(lái)支撐。為了下一步更健康地發(fā)展,提出以下一些思路,供業(yè)界探討。

  首先,要明白建成什么樣的芯片制造業(yè)。實(shí)際上,在發(fā)展中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)中,以下三點(diǎn)才是根本及生存基礎(chǔ):集成電路產(chǎn)業(yè)涉及國(guó)家安全;高科技受西方國(guó)家控制;必須要做強(qiáng),至少有2至3個(gè)國(guó)際一流品牌,才不致輕易被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手打垮。因此,依此思路許多問(wèn)題應(yīng)該能迎刃而解。如發(fā)展國(guó)產(chǎn)CPU主要為國(guó)家安全,不可能完全拿經(jīng)濟(jì)利益來(lái)考量。又如12英寸芯片生產(chǎn)線一定要上,但必須以企業(yè)為主體,而且國(guó)家在政策上要給予支持。在適當(dāng)時(shí)候,要支持中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)的兼并壯大。不能滿足于一條芯片生產(chǎn)線有3至5萬(wàn)片月產(chǎn)能。再如從國(guó)家利益出發(fā),扶植1至2家企業(yè)搞IDM模式也很有必要。

  其次,要改善芯片自給率。要把改善芯片自給率作為芯片產(chǎn)業(yè)的一個(gè)重要目標(biāo)來(lái)考核,同時(shí)國(guó)家要有相應(yīng)的政策與措施配合。近年來(lái)雖然芯片產(chǎn)業(yè)從數(shù)量上增加迅速,但是芯片自給率的改善并不能讓人滿意。

  第三,正確認(rèn)識(shí)來(lái)自臺(tái)灣地區(qū)的影響。中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體工業(yè)己與我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體業(yè)緊密結(jié)合在一起。目前臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體業(yè)處于國(guó)際先進(jìn)地位:IC設(shè)計(jì)業(yè)居全球第二,代工和封裝業(yè)居全球首位,集成電路總產(chǎn)值己超過(guò)韓國(guó)居全球第三。但是臺(tái)灣島內(nèi)發(fā)展半導(dǎo)體有先天性缺陷阻礙其進(jìn)一步成長(zhǎng)。主要問(wèn)題有以下四方面:市場(chǎng)小;人才短缺;電力不足;地震多。因此,向外擴(kuò)展,尤其是西移內(nèi)地是必然趨勢(shì)。

  可以相信,西移內(nèi)地是有階段性,總是以封測(cè)業(yè)起步,然后才是中低檔的芯片制造業(yè)。雙方業(yè)界都有擔(dān)心,利弊在哪里?不管如何,當(dāng)今世界合作雙贏是潮流。反之,擔(dān)心臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)西移后,會(huì)影響內(nèi)地半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展也沒(méi)有必要。其中有一條是根本,不能抱有僥幸心理,認(rèn)為0.18微米制程開(kāi)放后,可能不會(huì)打價(jià)格戰(zhàn),那是注定要失望的。唯一的辦法就是面對(duì)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng),增強(qiáng)自身的實(shí)力。

  第四,創(chuàng)立新思維,一切為客戶降低成本??v觀西方國(guó)際大公司,面對(duì)日益競(jìng)爭(zhēng)加劇的態(tài)勢(shì)在想什么?可以告知,是創(chuàng)立新思維,一切為客戶降低成本。只有幫助客戶降低成本后,讓客戶有利可圖,才有可能得到更多的訂單,獲得利潤(rùn)。如果僅停留在降低自身產(chǎn)品成本的理念,客戶并沒(méi)有感覺(jué)到真正的實(shí)惠,那您的訂單也是不會(huì)到來(lái),所以這是一個(gè)根本理念上的差別。由此,對(duì)于每一個(gè)客戶要進(jìn)行深刻分析及調(diào)查研究,關(guān)注客戶正在想什么,能給客戶的成本下降做哪些貢獻(xiàn)。

  第五,兼并。市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)是殘酷的,通過(guò)兼并、壯大是工業(yè)發(fā)展的正確道路??v觀國(guó)際上那些大公司的發(fā)展歷程,除了剛開(kāi)始時(shí)依靠自身努力,公司由小到大外,到一定時(shí)機(jī),肯定用兼并方法來(lái)發(fā)展壯大,這也是最經(jīng)濟(jì)省時(shí)的方法。中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)遲早要進(jìn)入這個(gè)階段,目前可能已到時(shí)候。

  理性地看待中國(guó)半導(dǎo)體業(yè),僅是表明要實(shí)事求是地看待成績(jī),同時(shí)也要認(rèn)清發(fā)展中可能遇到的問(wèn)題。創(chuàng)立中國(guó)的品牌,發(fā)展12英寸芯片生產(chǎn)線及選擇一兩個(gè)廠嘗試IDM模式,會(huì)有力推動(dòng)IC設(shè)計(jì)業(yè)的進(jìn)步及改善芯片自給率。以市場(chǎng)為準(zhǔn)則,通過(guò)兼并活動(dòng)將是加快中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的迅速壯大的有效方法之一。
DRAM 8英寸線將逐漸退出

  隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步,90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴(kuò)大,首先在競(jìng)爭(zhēng)最激烈的存儲(chǔ)器制造中呈現(xiàn)。

  臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示,2006年是轉(zhuǎn)折點(diǎn),DRAM中的8英寸芯片性價(jià)比已不具有優(yōu)勢(shì),一批較早的8英寸芯片廠,已無(wú)法采用0.11微米工藝來(lái)制造512Mb的DDR2存儲(chǔ)器。

  臺(tái)灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認(rèn)為,五大集團(tuán)三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達(dá)主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè),全球DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)應(yīng)用中,有55%用于PC中。預(yù)計(jì)2007年臺(tái)式機(jī)中存儲(chǔ)器用量將增加46%;而筆記本中將增加63%;服務(wù)器中將增加47%;而消費(fèi)電子產(chǎn)品及手機(jī)中也分別有56%及69%的增長(zhǎng)。所以,2007年DRAM總需求將有57.4%的增長(zhǎng)。但在供給方面,2007年中DRAM的8英寸芯片生產(chǎn)線的自然淘汰率將占20%至30%,其中有的8英寸線升級(jí)至12英寸或者改成其他用途。

  不同品種有其相應(yīng)的特征尺寸及生存周期,完全由市場(chǎng)來(lái)決定,目前DRAM已進(jìn)入80納米量產(chǎn)時(shí)代,而模擬電路中0.18微米仍是國(guó)際先進(jìn)水平。所以各種不同的硅片尺寸都有其相應(yīng)的生存之道,但是大尺寸硅片逐步取代小尺寸是自然規(guī)律。如右圖所示。

  中國(guó)芯片制造仍在初級(jí)階段

  自華虹NEC在中國(guó)建成第一個(gè)8英寸生產(chǎn)線至今,中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)正在逐步成長(zhǎng)壯大。雖然也有中芯國(guó)際的12英寸芯片生產(chǎn)線以及全國(guó)8英寸硅片的產(chǎn)能規(guī)模已達(dá)每月30萬(wàn)片以上,但是從總體看,產(chǎn)業(yè)的水平仍處在初級(jí)階段,其現(xiàn)狀如下:

  有12英寸及90納米的代工能力,但至少落后于臺(tái)積電等世界一流代工企業(yè)一年以上。目前在高端產(chǎn)品代工方面仍以標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器為主。而在邏輯電路代工方面,由于90納米技術(shù)進(jìn)展緩慢,加上缺乏頂級(jí)fabless公司的大訂單,造成新建12英寸的產(chǎn)能擴(kuò)展緩慢。

  0.18微米及以上的代工,由于同質(zhì)化,缺乏特長(zhǎng)工藝能力,加上臺(tái)積電等打壓,致使硅片平均銷售價(jià)格下降,毛利率低,而造成企業(yè)效益不夠理想。

  中國(guó)芯片制造業(yè),從結(jié)構(gòu)上看大部分6英寸及8英寸舊線的贏利狀況較好,目前可能是全球唯一還在增建8英寸芯片生產(chǎn)線的地區(qū)。

  在12英寸新線建設(shè)中,中國(guó)仍處在擴(kuò)張的態(tài)勢(shì),中芯國(guó)際除了在北京有Fab4之外,上海的Fab8已處于設(shè)備安裝階段,另一條武漢的中芯12英寸生產(chǎn)線已加快步伐,預(yù)計(jì)2007年底可能提前進(jìn)行設(shè)備安裝。但是面臨一個(gè)做什么產(chǎn)品的決策問(wèn)題,可以預(yù)計(jì)DRAM及NAND閃存是個(gè)正確的選擇。

  目前唯一在中國(guó)大肆擴(kuò)張的是無(wú)錫海力士及意法的合資存儲(chǔ)器廠,其進(jìn)展速度超出業(yè)界的預(yù)期。至2007年底擴(kuò)充硅片月產(chǎn)能將為8英寸5萬(wàn)片及12英寸6萬(wàn)片,將成為中國(guó)最大的芯片制造廠。

  從全球8英寸芯片廠范圍看,唯有中國(guó)內(nèi)地還在逐年擴(kuò)張,但是由于種種原因,速度已經(jīng)減緩,因此可以預(yù)計(jì),在未來(lái)三年內(nèi),臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體廠的西移,是影響內(nèi)地半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)的主要因素。但是在近時(shí)期內(nèi)中國(guó)內(nèi)地不太可能成為全球最大的8英寸芯片廠基地。 (本文作者為美國(guó)應(yīng)用材料公司顧問(wèn))

  -專家觀點(diǎn)

  中國(guó)芯片制造業(yè)突圍策略

  我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)根本問(wèn)題是基礎(chǔ)薄弱,盡管近年來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在設(shè)計(jì)、制造、封裝,包括設(shè)備及材料等方面都有長(zhǎng)足的進(jìn)步,產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)逐年完善,但是缺乏品牌及世界一流的公司來(lái)支撐。為了下一步更健康地發(fā)展,提出以下一些思路,供業(yè)界探討。

  首先,要明白建成什么樣的芯片制造業(yè)。實(shí)際上,在發(fā)展中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)中,以下三點(diǎn)才是根本及生存基礎(chǔ):集成電路產(chǎn)業(yè)涉及國(guó)家安全;高科技受西方國(guó)家控制;必須要做強(qiáng),至少有2至3個(gè)國(guó)際一流品牌,才不致輕易被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手打垮。因此,依此思路許多問(wèn)題應(yīng)該能迎刃而解。如發(fā)展國(guó)產(chǎn)CPU主要為國(guó)家安全,不可能完全拿經(jīng)濟(jì)利益來(lái)考量。又如12英寸芯片生產(chǎn)線一定要上,但必須以企業(yè)為主體,而且國(guó)家在政策上要給予支持。在適當(dāng)時(shí)候,要支持中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)的兼并壯大。不能滿足于一條芯片生產(chǎn)線有3至5萬(wàn)片月產(chǎn)能。再如從國(guó)家利益出發(fā),扶植1至2家企業(yè)搞IDM模式也很有必要。

  其次,要改善芯片自給率。要把改善芯片自給率作為芯片產(chǎn)業(yè)的一個(gè)重要目標(biāo)來(lái)考核,同時(shí)國(guó)家要有相應(yīng)的政策與措施配合。近年來(lái)雖然芯片產(chǎn)業(yè)從數(shù)量上增加迅速,但是芯片自給率的改善并不能讓人滿意。

  第三,正確認(rèn)識(shí)來(lái)自臺(tái)灣地區(qū)的影響。中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體工業(yè)己與我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體業(yè)緊密結(jié)合在一起。目前臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體業(yè)處于國(guó)際先進(jìn)地位:IC設(shè)計(jì)業(yè)居全球第二,代工和封裝業(yè)居全球首位,集成電路總產(chǎn)值己超過(guò)韓國(guó)居全球第三。但是臺(tái)灣島內(nèi)發(fā)展半導(dǎo)體有先天性缺陷阻礙其進(jìn)一步成長(zhǎng)。主要問(wèn)題有以下四方面:市場(chǎng)小;人才短缺;電力不足;地震多。因此,向外擴(kuò)展,尤其是西移內(nèi)地是必然趨勢(shì)。

  可以相信,西移內(nèi)地是有階段性,總是以封測(cè)業(yè)起步,然后才是中低檔的芯片制造業(yè)。雙方業(yè)界都有擔(dān)心,利弊在哪里?不管如何,當(dāng)今世界合作雙贏是潮流。反之,擔(dān)心臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)西移后,會(huì)影響內(nèi)地半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展也沒(méi)有必要。其中有一條是根本,不能抱有僥幸心理,認(rèn)為0.18微米制程開(kāi)放后,可能不會(huì)打價(jià)格戰(zhàn),那是注定要失望的。唯一的辦法就是面對(duì)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng),增強(qiáng)自身的實(shí)力。

  第四,創(chuàng)立新思維,一切為客戶降低成本??v觀西方國(guó)際大公司,面對(duì)日益競(jìng)爭(zhēng)加劇的態(tài)勢(shì)在想什么?可以告知,是創(chuàng)立新思維,一切為客戶降低成本。只有幫助客戶降低成本后,讓客戶有利可圖,才有可能得到更多的訂單,獲得利潤(rùn)。如果僅停留在降低自身產(chǎn)品成本的理念,客戶并沒(méi)有感覺(jué)到真正的實(shí)惠,那您的訂單也是不會(huì)到來(lái),所以這是一個(gè)根本理念上的差別。由此,對(duì)于每一個(gè)客戶要進(jìn)行深刻分析及調(diào)查研究,關(guān)注客戶正在想什么,能給客戶的成本下降做哪些貢獻(xiàn)。

  第五,兼并。市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)是殘酷的,通過(guò)兼并、壯大是工業(yè)發(fā)展的正確道路??v觀國(guó)際上那些大公司的發(fā)展歷程,除了剛開(kāi)始時(shí)依靠自身努力,公司由小到大外,到一定時(shí)機(jī),肯定用兼并方法來(lái)發(fā)展壯大,這也是最經(jīng)濟(jì)省時(shí)的方法。中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)遲早要進(jìn)入這個(gè)階段,目前可能已到時(shí)候。

  理性地看待中國(guó)半導(dǎo)體業(yè),僅是表明要實(shí)事求是地看待成績(jī),同時(shí)也要認(rèn)清發(fā)展中可能遇到的問(wèn)題。創(chuàng)立中國(guó)的品牌,發(fā)展12英寸芯片生產(chǎn)線及選擇一兩個(gè)廠嘗試IDM模式,會(huì)有力推動(dòng)IC設(shè)計(jì)業(yè)的進(jìn)步及改善芯片自給率。以市場(chǎng)為準(zhǔn)則,通過(guò)兼并活動(dòng)將是加快中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的迅速壯大的有效方法之一。
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關(guān)鍵字: LED 設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)電源

電動(dòng)汽車(EV)作為新能源汽車的重要代表,正逐漸成為全球汽車產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向。電動(dòng)汽車的核心技術(shù)之一是電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng),而絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件,其性能直接影響到電動(dòng)汽車的動(dòng)力性能和...

關(guān)鍵字: 電動(dòng)汽車 新能源 驅(qū)動(dòng)電源

在現(xiàn)代城市建設(shè)中,街道及停車場(chǎng)照明作為基礎(chǔ)設(shè)施的重要組成部分,其質(zhì)量和效率直接關(guān)系到城市的公共安全、居民生活質(zhì)量和能源利用效率。隨著科技的進(jìn)步,高亮度白光發(fā)光二極管(LED)因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸取代傳統(tǒng)光源,成為大功率區(qū)域...

關(guān)鍵字: 發(fā)光二極管 驅(qū)動(dòng)電源 LED

LED通用照明設(shè)計(jì)工程師會(huì)遇到許多挑戰(zhàn),如功率密度、功率因數(shù)校正(PFC)、空間受限和可靠性等。

關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動(dòng)電源 功率因數(shù)校正

在LED照明技術(shù)日益普及的今天,LED驅(qū)動(dòng)電源的電磁干擾(EMI)問(wèn)題成為了一個(gè)不可忽視的挑戰(zhàn)。電磁干擾不僅會(huì)影響LED燈具的正常工作,還可能對(duì)周圍電子設(shè)備造成不利影響,甚至引發(fā)系統(tǒng)故障。因此,采取有效的硬件措施來(lái)解決L...

關(guān)鍵字: LED照明技術(shù) 電磁干擾 驅(qū)動(dòng)電源

開(kāi)關(guān)電源具有效率高的特性,而且開(kāi)關(guān)電源的變壓器體積比串聯(lián)穩(wěn)壓型電源的要小得多,電源電路比較整潔,整機(jī)重量也有所下降,所以,現(xiàn)在的LED驅(qū)動(dòng)電源

關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動(dòng)電源 開(kāi)關(guān)電源

LED驅(qū)動(dòng)電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的電壓轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

關(guān)鍵字: LED 隧道燈 驅(qū)動(dòng)電源
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