為了提升機械硬盤存儲容量，科技人員們想盡了各種辦法。新加坡科技研究局的數(shù)據(jù)存儲研究院又提出了一種“基于顆粒的磁性存儲”技術(shù)，有望將硬盤容量提升十倍之多，也就是最高可以實現(xiàn)50TB。Melissa Chua和她的同事正在努力使用存儲介質(zhì)薄膜上的單個磁性顆粒來存儲每一個數(shù)據(jù)比特，而不像現(xiàn)在那樣需要多個顆粒。這種新的思路可以大大提高存儲介質(zhì)的穩(wěn)定性，并且降低寫入所需的磁場強度。

Melissa Chua表示：“我們希望這種基于顆粒的磁性存儲能將存儲密度提升一個數(shù)量級，達到每平方英寸10Tb。”

我們知道，硬盤碟片的表面覆蓋著一層薄薄的磁性膜，其中有著大量緊緊相鄰的納米尺寸顆粒，用來存儲數(shù)據(jù)。隨著存儲密度的不斷提高，存儲每個比特位的表面積已經(jīng)逐漸和這些顆粒的大小差不多了。

為了達成單顆粒存儲，Melissa Chua借助了兩種理論模型，一種使用了對顆粒內(nèi)和寫入磁頭內(nèi)磁場的簡化描述，可以實現(xiàn)更快、更簡單的存儲過程，另一種則通過各種參數(shù)統(tǒng)計了硬盤寫入時磁方向的轉(zhuǎn)換過程，而這些參數(shù)來自對顆粒、寫入磁頭磁場的詳盡模擬。

科研人員們成功將以上成果用在了基于顆粒的存儲過程中。他們模擬了兩種模型中單個顆粒的切換，然后對比各自的性能，再對模型參數(shù)進行反復(fù)調(diào)整，最終達成了很好的平衡，并且可以根據(jù)需要使用不同的模型。

Melissa Chua稱，兩種模型都經(jīng)過了系統(tǒng)級的測試，可在未來的磁存儲技術(shù)中使用。