在本周的FMS 2018國際閃存會議上，三星、SK Hynix、美光、英特爾以及國內(nèi)的紫光公司都展示了他們在存儲芯片技術(shù)的新進(jìn)展，QLC閃存可以說是這次FMS峰會的一個重點(diǎn)。東芝公司也在FMS 2018會議上公布了他們在96層堆棧BiCS 4閃存技術(shù)的情況，指出其QLC閃存在1500次P/E循環(huán)之后依然沒有變化，憑借1.33Tb的核心容量，QLC閃存可以輕松作出85TB容量的U.2硬盤。

東芝公司96層堆棧的BiCS 4技術(shù)閃存之前我們也報道過，在這次的閃存峰會上，東芝公司又介紹了更多資料，還公布了新的高性能閃存XL-Flash，日本PCWatch網(wǎng)站做了報道，來看看他們分享的最新進(jìn)展。

QLC閃存無疑是各大存儲芯片公司今年下半年及未來幾年的重點(diǎn)，QLC閃存的基礎(chǔ)知識就不說了，其Cell單元中可以存儲4bit數(shù)據(jù)，容量比MLC、TLC閃存更大，但是代價就是有16中電壓變化，導(dǎo)致控制更加復(fù)雜，寫入速度更低，而且壽命更低，也就是P/E循環(huán)更少。

在這個問題上，東芝提到他們的96層堆棧BiCS 4技術(shù)的QLC閃存在1500次P/E循環(huán)之后也沒有看到明顯的劣化跡象，這代表著QLC閃存的實際P/E壽命不止1500次，而早前美光/英特爾公布的QLC閃存P/E壽命是1000次，所以在壽命這個問題上，3D NAND時代的QLC閃存沒什么好擔(dān)心的，情況比TLC閃存剛問世時要好太多了。

QLC閃存帶來的好處就是容量密度更大，東芝的QLC閃存核心容量可以做到1.33Tb，比業(yè)界其他公司高出33%，在M.2 22110規(guī)格上可以做到20TB容量，U.2規(guī)格的SSD硬盤可達(dá)85TB容量。

東芝之前就提到他們做出了單封裝2.66TB的閃存，內(nèi)部封裝了16顆1.33Tb容量的NAND核心，總?cè)萘窟_(dá)到了2.66TB，BGA封裝，尺寸14x18mm，152pin針腳。

96層堆棧的NAND閃存模型

除了容量更大的QLC閃存，東芝還推出了面向高性能的XL-Flash閃存，這種閃存延遲極低，主要面向企業(yè)級市場。

這個XL-Flash閃存實際上相當(dāng)于一個使用SLC技術(shù)的3D NAND閃存，SLC/MLC/TLC閃存在結(jié)構(gòu)上并沒有太大區(qū)別，TLC閃存如何犧牲容量也可以按照SLC閃存的模式運(yùn)行，東芝的XL-Flash閃存還需要在主控及外圍電路上做些改變。

與TLC閃存相比，東芝的XL-Flash閃存讀取延遲只有前者的1/10，與新一代非易失性存儲芯片相比還有更好的并行性。

東芝的XL-Flash閃存主要用于企業(yè)級市場，它可以與QLC閃存相結(jié)合，替代目前的存儲組合，比如DRAM+HDD，QLC閃存可以取代HDD存儲部分，XL-Flash可以用廉價的成本取代DRAM內(nèi)存部分，兩者組合后平均延遲只有前者的一半。

QLC閃存雖然容量密度高于TLC閃存，不過數(shù)據(jù)讀寫性能上是不如TLC閃存的，這也是東芝推XL-Flash閃存的一部分原因，東芝希望延遲更低的XL-Flash閃存能夠彌補(bǔ)QLC閃存性能下降帶來的影響。