格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)近日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場提供了一個最佳解決方案。

雖然某些設(shè)備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工藝，為成本敏感型應(yīng)用提供了一條最佳途徑。憑借業(yè)內(nèi)最低的0.4伏工作電壓，該平臺實現(xiàn)了超低動態(tài)功耗、更低的熱效應(yīng)和更為精巧的終端產(chǎn)品規(guī)格。該平臺提供的芯片尺寸比28nm工藝小20%，掩膜少10%，而且其浸沒式光刻層比foundry FinFET工藝少近50%，為聯(lián)網(wǎng)設(shè)備在性能、功耗和成本方面實現(xiàn)了最佳組合點(diǎn)。

格羅方德半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Sanjay Jha表示：“22FDX平臺能夠讓我們的客戶在性能、功耗和成本之間實現(xiàn)最佳平衡的差異化產(chǎn)品。該平臺在業(yè)內(nèi)率先提供針對晶體管特性的實時系統(tǒng)軟件控制功能：系統(tǒng)設(shè)計人員能夠動態(tài)平衡功耗、性能和漏電。此外，針對聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中的射頻和模擬集成，該平臺可提供最佳的擴(kuò)展性和最高的能效。”

22FDX采用了格羅方德公司位于德國德累斯頓的最先進(jìn)的300mm生產(chǎn)線上的量產(chǎn)28nm平臺。該工藝建立在近20年對歐洲最大的半導(dǎo)體晶圓廠的持續(xù)投資之上，掀開了“薩克森硅谷”發(fā)展史上的一個新篇章。格羅方德半導(dǎo)體在德累斯頓為22FDX平臺投入了2.5億美元，用于技術(shù)研發(fā)和啟動22FDX的生產(chǎn)，從而將公司自2009年以來對Fab 1的總投資增至超過50億美元。公司還將加大投資提高生產(chǎn)力以滿足客戶需求。格羅方德半導(dǎo)體正與多家歐洲領(lǐng)先的研發(fā)和行業(yè)機(jī)構(gòu)開展合作，以便為22FDX建設(shè)一個強(qiáng)大的生態(tài)系統(tǒng)，縮短產(chǎn)品上市時間，并為其制定一個全面的路線圖。

格羅方德半導(dǎo)體的22FDX平臺實現(xiàn)了用軟件控制晶體管特性，能夠?qū)崟r平衡靜態(tài)功耗、動態(tài)功耗和性能。22FDX平臺由一系列面向不同應(yīng)用的差異化產(chǎn)品構(gòu)成：

22FD-ulp：對于主流低成本智能手機(jī)市場，基礎(chǔ)版超低功耗產(chǎn)品提供了FinFET的替代方案。與0.9伏的28nm HKMG相比，22FX-ulp通過采用體偏壓技術(shù)，將功耗效率提升70%以上，提供了可媲美FinFET的功耗和性能。對于某些物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)類應(yīng)用，該平臺在優(yōu)化后可工作于0.4V的電壓，在功耗效率上比28nm HKMG提升了90%。

22FD-uhp：對于集成模擬的聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，22FD-uhp產(chǎn)品在優(yōu)化后，可實現(xiàn)與FinFET相同的超高性能，同時最大程度減少能耗。22FD-uhp定制化功能包括正向體偏壓、應(yīng)用優(yōu)化的金屬堆棧，以及支持0.95V的加壓。

22FD-ull：面向可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)市場的超低漏電產(chǎn)品，具備與22FX-ulp相同的低功耗能力，同時又將漏電電流降至1pa/um。較低的運(yùn)行功耗、超低漏電和靈活的體偏壓技術(shù)，這一組合使能耗大幅減少，從而為新型電池供電型可穿戴設(shè)備創(chuàng)造了條件。、

22FD-rfa：射頻模擬產(chǎn)品，可提高數(shù)據(jù)速率，減省50%的功耗，并降低系統(tǒng)成本，以滿足LTE-A蜂窩收發(fā)器、高階MIMO WiFi整合型芯片、毫米波雷達(dá)等大容量RF應(yīng)用的嚴(yán)格要求。RF活動設(shè)備后門功能可減少或消除RF信號路徑上的復(fù)雜補(bǔ)償電路，讓RF設(shè)計人員能夠更好地發(fā)揮設(shè)備內(nèi)在的Ft性能。