美國明尼阿波利斯，中國上海（2005年3月14日）--FSI國際有限公司（納斯達克：FSII）今日在此間宣布推出一項新的研發(fā)成果，這項新的鎳鉑去除工藝旨在幫助集成電路制造商在65-nm技術節(jié)點實現(xiàn)自我對準金屬硅化物(Salicide)的形成。FSI使用其ZETA®噴霧式清洗系統(tǒng)開發(fā)出了這項PlatNiStrip™工藝，并且與領先的集成電路制造商合作，在65-nm試驗線設備上對該工藝進行了驗證。這項低成本的工藝可以在標準的ZETA系統(tǒng)上采用行業(yè)標準的化學品實現(xiàn)。此次在上海舉辦的SEMICONChina 2005上進行的發(fā)布，表明了FSI愿意與中國領先集成電路制造商合作，把全球最先進的工藝技術介紹到中國。

IC集成電路制造商過去都采用鎳硅化合物在65nm節(jié)點來實現(xiàn)自我對準金屬硅化物的形成，但是在整個的工藝制程中，鎳硅化合物可能不具備足夠穩(wěn)定的耐熱性來滿足各種溫度。研究人員發(fā)現(xiàn)，加入少量的鉑（約5%）可以大幅增加合成金屬硅化物薄膜的熱穩(wěn)定性。但傳統(tǒng)的鎳去除方法如硫磺酸-過氧化氫解決方案，不能有效地去除鉑，結(jié)果導致在晶圓表面存在鉑的殘留物。

FSI的新PlatNiStrip™工藝，通過混合酸方案的使用可以同時去除鎳和鉑且無殘留，對于金屬硅化物、氧化物以及氮化物有較高選擇性，可以實現(xiàn)鎳鉑金屬硅化物薄膜的集成。

“FSI在自我對準金屬硅化物形成的金屬物去除方面擁有長期而成功經(jīng)驗，這項工藝正是建立在此基礎之上”FSI董事長兼首席執(zhí)行官DonMitchell這樣說到?！霸谧晕覍式饘俟杌锝饘偃コ龖梅矫妫^20家領先的集成電路制造商使用FSI批量噴霧清洗系統(tǒng)進行大批量生產(chǎn)?！?br />
ZETA系統(tǒng)最適于這項應用，因為其特有的化學品混合及傳送技術可確?？涛g速度一致性和可選擇性，因此具有穩(wěn)定可靠的工藝性能。有關ZETA系統(tǒng)的進一步介紹，請訪問FSI中文網(wǎng)站：http://china.fsi-intl.com。

“中國大陸的領先集成電路制造廠商越來越重視引入先進技術，上海正在成為一個新的半導體制造業(yè)技術中心，”DonMitchell補充道：“作為一家高度重視技術研發(fā)投入的領先公司，F(xiàn)SI愿意將其最先進的技術介紹給中國用戶，這是我們選擇在上海發(fā)布我們?nèi)碌?5nmPlatNiStrip工藝的原因。”

FSIZETA噴霧式清洗系統(tǒng)包括用于200mm-300mm晶圓尺寸的全自動配置和用于200mm-150mm晶圓尺寸的半自動配置。實踐證明ZETA系統(tǒng)的應用范圍很廣，包括FEOL光刻膠去除和灰化去膠后清洗、后段（BEOL）灰化后去膠后清洗、自我對準金屬硅化物去除、晶圓凸塊技術和晶圓回收。該系統(tǒng)運用離心噴霧技術，晶圓在一個密閉的氮氣凈化室中干進和干出。FSI的通用化學品傳送技術在可控制化學品成分和溫度情況下制備化學試劑，并直接輸送到晶圓表面。ZETA系統(tǒng)售價為100萬到280萬美元。

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