臺積電針對16納米FinFET制程開發(fā)進入第四代，統(tǒng)稱為12納米制程技術(shù)，力旺開始配合12納米開發(fā)相關(guān)的NeoFuse IP，繼16納米精簡版FinFET制程后，臺積電和力旺在先進制程上再度合作。

臺積電16納米制程經(jīng)歷16納米FinFET、16FF+和16FFC三代技術(shù)，拿下蘋果(Apple)、聯(lián)發(fā)科、海思、賽靈思及NVIDIA等訂單后，即將進入16納米第四代制程技術(shù)，臺積電也罕見地改變策略推出改版制程，也就是12納米制程技術(shù)，吸引更多客戶投單以提升12吋晶圓廠的產(chǎn)能利用率。

隨著臺積電進入12納米制程世代，非揮發(fā)性嵌入式eNVM IP供應商力旺也配合臺積電的12納米制程開發(fā)NeoFuse IP。力旺指出，12納米FinFET制程是16納米FinFET系列的第四代，與前幾代相比，12納米具備更低漏電特性和成本優(yōu)勢，力旺和臺積電已經(jīng)從16納米FinFET第一代一路配合到最新的第四代制程，在每一代制程平臺上都布建NeoFuse IP。

此外，在16納米精簡版FinFET(16FFC)制程上，力旺也完成完成可靠度驗證，且已有客戶于產(chǎn)品中內(nèi)嵌NeoFuse IP，并完成設計定案(Tape Out)。

力旺指出，16FFC制程和16納米強效型FinFET(16FF+)制程相比，具有更符合主流市場需求的成本和低功耗的優(yōu)勢，獲得許多終端應用的青睞，包括智能手機、消費性電子、穿戴式裝置等，同時，力旺的NeoFuse IP除了廣泛地被客戶使用在16納米精簡型FinFET制程中，其寫入時的耐熱度更提升至125度，也使得操作更有彈性，并且可支持更高端的應用。

整體來看，力旺的NeoFuse IP在臺積電的16納米FinFET制程各世代的演進過程中，均率先完成可靠度驗證，展現(xiàn)力旺在高端制程技術(shù)上的開發(fā)能力，以及與臺積電的穩(wěn)固技術(shù)伙伴關(guān)系。