LSI Logic 90納米工藝ASIC突破密度極限

時間：2005-07-06 20:48:00

關(guān)鍵字： ASIC LOGIC LSI BSP

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LSI邏輯近日宣布：計劃采用本公司G90™（90納米）工藝生產(chǎn)下一代RapidChip®平臺ASIC系列產(chǎn)品。新的硅片將為系統(tǒng)設(shè)計師提供90納米制程最大的集成度及性能優(yōu)勢，并提供RapidChip平臺ASIC技術(shù)所擁有的快速上市、NRE支出減少、工程成本降低等優(yōu)勢。RapidChip G90系列產(chǎn)品使設(shè)計工程師可利用平臺ASIC技術(shù)的優(yōu)勢，廣泛用于包括通訊、存儲、工業(yè)、醫(yī)療、國防和高端消費電子等在內(nèi)的應(yīng)用系統(tǒng)。

RapidChip G90系列產(chǎn)品提供不同配置的門數(shù)、內(nèi)存資源、I/O、PLL及高速SerDes（Serializer/Deserializer），以滿足客戶的各種不同應(yīng)用。以下列有RapidChip G90系列產(chǎn)品的部分特色：

l    最高達10M ASIC可用門；
l    高達20Mb的分散MatrixRAM™內(nèi)存：
       Seamless內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)、配合靈活RCell內(nèi)存和高密度MatrixRAM，提供最大的靈活性，滿足    客戶對內(nèi)存的需要；
l    高達集成8.5 Gbps SerDes的64個通道；
l    性能高達500MHz；
l    支持業(yè)界最新的串行接口標準，包括PCI Express (5 Gbps), FibreChannel (8.5 Gbps), Serial RIO (6 Gbps), SATA/SAS (6 Gbps), HyperTransport 2.0 (2 Gbps), Gigabit 以太網(wǎng), XAUI, 和SPI4；
l    Landing Zone™處理器支持業(yè)界標準ARM, MIPS和ZSP架構(gòu)內(nèi)核，運行頻率高達400 MHz；
l    業(yè)界領(lǐng)先的并行內(nèi)存接口，支持高達400 MHz/800 Mbps (DDR2)：
       支持包括FBDIMM, DDR1, DDR2和QDR2等在內(nèi)的內(nèi)存接口標準；
l    提供多種標準封裝選擇，也可以定制FPBGA封裝。
LSI邏輯同樣提供從RapidChip 90nm工藝到經(jīng)驗證的LSI邏輯基于單元ASIC工藝的無縫移植，以滿足大批量應(yīng)用。由于LSI邏輯RapidChip平臺ASIC和基于單元的ASIC均采用共同的處理技術(shù)，IP，高級封裝等，因此使RapidChip seamless移植到基于單元的ASIC成為可能。