LSI邏輯近日宣布：計(jì)劃采用本公司G90™（90納米）工藝生產(chǎn)下一代RapidChip®平臺(tái)ASIC系列產(chǎn)品。新的硅片將為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供90納米制程最大的集成度及性能優(yōu)勢(shì)，并提供RapidChip平臺(tái)ASIC技術(shù)所擁有的快速上市、NRE支出減少、工程成本降低等優(yōu)勢(shì)。RapidChip G90系列產(chǎn)品使設(shè)計(jì)工程師可利用平臺(tái)ASIC技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，廣泛用于包括通訊、存儲(chǔ)、工業(yè)、醫(yī)療、國(guó)防和高端消費(fèi)電子等在內(nèi)的應(yīng)用系統(tǒng)。

RapidChip G90系列產(chǎn)品提供不同配置的門(mén)數(shù)、內(nèi)存資源、I/O、PLL及高速SerDes（Serializer/Deserializer），以滿足客戶的各種不同應(yīng)用。以下列有RapidChip G90系列產(chǎn)品的部分特色：

l    最高達(dá)10M ASIC可用門(mén)； 
l    高達(dá)20Mb的分散MatrixRAM™內(nèi)存： 
       Seamless內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)、配合靈活RCell內(nèi)存和高密度MatrixRAM，提供最大的靈活性，滿足    客戶對(duì)內(nèi)存的需要；
l    高達(dá)集成8.5 Gbps SerDes的64個(gè)通道； 
l    性能高達(dá)500MHz； 
l    支持業(yè)界最新的串行接口標(biāo)準(zhǔn)，包括PCI Express (5 Gbps), FibreChannel (8.5 Gbps), Serial RIO (6 Gbps), SATA/SAS (6 Gbps), HyperTransport 2.0 (2 Gbps), Gigabit 以太網(wǎng), XAUI, 和SPI4； 
l    Landing Zone™處理器支持業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)ARM, MIPS和ZSP架構(gòu)內(nèi)核，運(yùn)行頻率高達(dá)400 MHz； 
l    業(yè)界領(lǐng)先的并行內(nèi)存接口，支持高達(dá)400 MHz/800 Mbps (DDR2)： 
       支持包括FBDIMM, DDR1, DDR2和QDR2等在內(nèi)的內(nèi)存接口標(biāo)準(zhǔn)；
l    提供多種標(biāo)準(zhǔn)封裝選擇，也可以定制FPBGA封裝。
LSI邏輯同樣提供從RapidChip 90nm工藝到經(jīng)驗(yàn)證的LSI邏輯基于單元ASIC工藝的無(wú)縫移植，以滿足大批量應(yīng)用。由于LSI邏輯RapidChip平臺(tái)ASIC和基于單元的ASIC均采用共同的處理技術(shù)，IP，高級(jí)封裝等，因此使RapidChip seamless移植到基于單元的ASIC成為可能。