蘋果與三星都在3D集成電路技術(shù)上發(fā)力。掌握該項(xiàng)技術(shù)將決定誰將贏得未來消費(fèi)電子終端的霸主地位。

以下為全文摘譯：

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僵局將被3D芯片堆疊技術(shù)打破，該技術(shù)將創(chuàng)造新一代高性能低能耗的系統(tǒng)。

這可能被Globalfoundries用來壓低競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電代工的2.5D芯片價(jià)格—如果它制造得出來的話。也可能被三星用來蠶食蘋果的智能手機(jī)和平板市場(chǎng)。還有可能被英偉達(dá)用來從AMD手中搶占GPU市場(chǎng)份額，并且在精神上擊潰對(duì)方。

FPGA供應(yīng)商會(huì)描述今年二月國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上將兩個(gè)65nm串行器安在FPGA旁的產(chǎn)品，同樣蜂窩基站中ADC和DAC也可以安裝在FPGA旁。因此，這些成本相對(duì)較高，小批量產(chǎn)品的應(yīng)用正在慢慢擴(kuò)大。

像AMD和Nvidia這樣的顯卡芯片廠商很希望在他們的GPU旁的硅中層介質(zhì)中安裝3D內(nèi)存，這樣產(chǎn)品就能有更高的性能和更低的能耗。但仍沒有足夠的理由花費(fèi)10倍的額外費(fèi)用去制造它。

潛在客戶稱3D存儲(chǔ)器公司還沒有準(zhǔn)備好提供高容量產(chǎn)品，也許要到明年才可以。他們還預(yù)計(jì)推出可支持的JEDECHBM接口圖形處理器的版本。但同時(shí)，價(jià)格仍舊是個(gè)問題。

三星已經(jīng)有了所有的業(yè)務(wù)——DRAM，閃存，處理器和工廠，現(xiàn)已批量銷售4G內(nèi)存堆棧一段時(shí)間了，因此它具有一定的3D IC生產(chǎn)能力。

上周的ARM開發(fā)者大會(huì)上，三星向與會(huì)者演示了3D內(nèi)存的樣品以及使用JedecWide IO接口的獵戶座處理器。它與傳統(tǒng)的獨(dú)立SoC及存儲(chǔ)器的智能手機(jī)相比能耗更低。但三星對(duì)其何時(shí)產(chǎn)品化不予置評(píng)。

“真” 3D堆棧在使用硅晶穿孔技術(shù)連接邏輯和內(nèi)存的使用者如智能手機(jī)的SoC上仍舊存在一些問題 。比如沒有人知道如何去冷卻邏輯、如何使用EDA工具和技能展示TSV依舊是不成熟的。

當(dāng)使用3D集成電路制造智能手機(jī)合算時(shí)，三星的工程師都會(huì)有一個(gè)好想法。鑒于三星在移動(dòng)終端領(lǐng)域的銷量已經(jīng)領(lǐng)先于蘋果，發(fā)展這項(xiàng)新的充滿挑戰(zhàn)的技術(shù)將會(huì)是三星帶來的壓力消失的時(shí)候。

同時(shí)，觀戰(zhàn)者中的資深工程師指出的一個(gè)點(diǎn)讓每個(gè)人都感到驚訝。他拆解了蘋果iPhone5S中的A7處理器，處理器采用非常非常簡(jiǎn)單的六層結(jié)構(gòu)—其中兩層為信號(hào)層及地面信號(hào)層，他說。存儲(chǔ)器本質(zhì)上是在簡(jiǎn)單的電路板的另一側(cè)。

他的拆解表明，蘋果已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一個(gè)3D半導(dǎo)體的低成本路徑。把大部分的智能放在SoC上，并使用一個(gè)簡(jiǎn)單的PC板作為“窮人版的3D半導(dǎo)體。”

也許下一代iPhone會(huì)將柔性電路或玻璃或有機(jī)插板插進(jìn)SoC和內(nèi)存之間。這是一個(gè)能讓無晶圓廠公司與晶圓廠企業(yè)巨頭如三星垂直競(jìng)爭(zhēng)的創(chuàng)舉。

所以大家非常關(guān)心幾件事：蘋果和三星將會(huì)在移動(dòng)終端領(lǐng)域做出什么動(dòng)作？還有臺(tái)積電與Globalfoundries及美光與SK海力士2.5D芯片的定價(jià)是多少？

誰會(huì)先掌握3D芯片技術(shù)呢？