加州大學的研究人員們深入探索在奈米磁鐵(nanomagnet)中奈米材料合成的最新發(fā)展。根據(jù)加州大學柏克萊分校機械工程系教授Liwei Lin表示,研究人員們發(fā)現(xiàn),采用外覆絕緣層的磁性奈米粒子可使高頻的芯片電感器尺寸縮小,同時提升性能,同時,藉由其高截止頻率提供良好的導磁率,從而降低在高頻作業(yè)時的渦流損耗?!?p style='text-align:center;text-indent: 0px;'>
芯片電感器技術(shù)并未發(fā)生像電晶體技術(shù)一樣的進展電晶體技術(shù)在過去40年來一直遵循摩爾定律。電感器在電路上算是一款被動元件被歸類于“超越摩爾定律”的領(lǐng)域,因此整合的是不會因摩爾定律而微縮的RF與MEMS等非數(shù)位化功能。
芯片電感器架構(gòu)需要較大的面積,因為在其金屬走線之間需要一定的長度、匝數(shù)、厚度與空間,以實現(xiàn)適當?shù)碾姼信c性能。然而,對于要求較大的面積則可能會因為在旋轉(zhuǎn)線圈和半導體基板之間產(chǎn)生寄生效應而造成電感損失。
因此,電感器在微型化時必須添加磁性材料,但在這方面也帶來其他的技術(shù)限制,例如制程方案、相容于標準制程,以及材料的穩(wěn)定度,Liwei Lin說,磁性材料在磁導率和頻率響應方面存在一些限制。
新的電感器制造技術(shù)采用絕緣的奈米復合磁性物質(zhì)作為填充材料來減少芯片電感器尺寸,以及提高達80%的電感,從而使芯片電感器縮減至少50%。此外,Liwei Lin強調(diào),它還具有使作業(yè)頻率范圍從GHz級擴展至10GHz的潛力。
他預計電感器技術(shù)的這些進展可望在未來3-5年內(nèi)落實應用于芯片制程中。





