摘要：  橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體宣布，意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術(shù)榮獲全球兩大知名電子技術(shù)專業(yè)媒體電子工程專輯(EEtimes)和電子技術(shù)設(shè)計(EDN)的2013年度電子成就獎(ACE)能源技術(shù)獎。

關(guān)鍵字：  電子成就獎，半導(dǎo)體

電子成就獎旨在于表彰那些改變電子世界和影響人們工作、生活和娛樂方式的技術(shù)產(chǎn)品背后的人們和企業(yè)。

半導(dǎo)體技術(shù)榮獲電子成就獎 src="/News/UploadFile/2008/201358141543561.jpg" width=399 height=255>

FD-SOI制程是28納米及以下技術(shù)節(jié)點的傳統(tǒng)半導(dǎo)體制程的升級換代技術(shù)，此項技術(shù)的優(yōu)點是速度更快，制造更簡單，功耗更低，現(xiàn)正準備投產(chǎn)。FD- SOI榮獲能源技術(shù)類獎是因為這項技術(shù)能夠在兩個不同方面降低能耗和碳排放。首先，F(xiàn)D-SOI晶片制程較傳統(tǒng)CMOS制程節(jié)省15%的步驟，可直接評估單位晶片制造能耗節(jié)省效果。更重要的是，根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略，F(xiàn)D-SOI晶片本身可節(jié)約20%至50%的能耗，使終端設(shè)備更快散熱，電池壽命更長。

意法半導(dǎo)體主管數(shù)字產(chǎn)品部前工序制程研發(fā)的執(zhí)行副總裁Joel Hartmann在領(lǐng)獎時表示：“榮獲能源技術(shù)獎證明FD-SOI是一個能夠同時滿足低功耗和高性能需求的突破性技術(shù)，使芯片廠商能夠提供滿足‘每瓦性能’和‘每美元每瓦性能’雙重標準的產(chǎn)品?！?/P>

入圍電子成就獎最后一輪評選的意法半導(dǎo)體多名高管中，意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼模擬產(chǎn)品、MEMS和傳感器產(chǎn)品部總經(jīng)理Benedetto Vigna是年度行政獎的后選人，雖然半導(dǎo)體市場縮減2%，但在他的卓越領(lǐng)導(dǎo)下，意法半導(dǎo)體在MEMS移動和手機市場的占有率接近50%。

意法半導(dǎo)體還有四款產(chǎn)品作為“終極產(chǎn)品”入圍了電子成就獎：處理器類STM32F3系列ARM Cortex M 微控制器;開發(fā)工具類M24LR Discovery Kit能源收集開發(fā)工具;傳感器類市場首款雙核陀螺儀;接口類“Mystique”高速主動協(xié)議雙向轉(zhuǎn)換器。