據(jù)臺灣媒體報道，中國積極扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，喊出2025年自制率要達(dá)70%。 IC Insights分析認(rèn)為，缺乏核心技術(shù)下，要實(shí)現(xiàn)2025年的目標(biāo)并不太實(shí)際，大基金奧援下資金面沒有問題，但核心技術(shù)會是障礙，且內(nèi)存專利上項(xiàng)目眾多，未來恐有專利戰(zhàn)的疑慮。

中國在2015年釋出《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、《中國制造2025》，明確訂定2020年中國IC內(nèi)需市場自制率要達(dá)40%，2025年將進(jìn)一步提高至70%的政策目標(biāo)外。

IC Insights舉例，早在1980年代的美國可見一斑，當(dāng)初美國政府試圖推行一項(xiàng)政策，要求供應(yīng)軍用芯片的產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)能實(shí)現(xiàn)全部美國化，即是從晶圓與封裝材料、半導(dǎo)體設(shè)備到芯片制造、封裝測試更階段，至少有一家美國公司。 在30年前，芯片制造產(chǎn)業(yè)遠(yuǎn)不如現(xiàn)在復(fù)雜，但那時候半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈就已衍伸出幾千個環(huán)節(jié)，因此美國政府最終不得不廢止了這項(xiàng)政策。 對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來說，市占率達(dá)不到100%，談自給率就沒有意義。

IC Insights指出，《中國制造2025》的目標(biāo)仰賴2基本個要素：資金和技術(shù)，要實(shí)現(xiàn)2025年自制率達(dá)70%的目標(biāo)，兩方面都無法偏廢。 在大基金的支持下，資金不會成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)2025年目標(biāo)的障礙。

但I(xiàn)C Insights認(rèn)為，中國不具備填充新建產(chǎn)能所需的集成電路技術(shù)是最大的障礙。 從2014年開始，中國試圖通過收購國外半導(dǎo)體公司的方式來得到技術(shù)，包括：芯成科技(ISSI)與豪威科技(OmniVision)。 但現(xiàn)在絕大多數(shù)外國政府對中國在集成電路產(chǎn)業(yè)上的野心十分警惕，中國資本收購國外IC公司的難度已經(jīng)非常高。 IC Insights甚至認(rèn)為，中國通過收購國外IC公司獲取技術(shù)的機(jī)會高峰已降緩。

近期不乏報導(dǎo)指出，新建晶圓制造產(chǎn)線的中國公司準(zhǔn)備大量招聘三星、海力士、英特爾中國工廠的IC工程師。 IC Insights認(rèn)為，以2005年臺積電與中芯國際的專利訴訟案來看采用這種方法來發(fā)展IC設(shè)計有其風(fēng)險

IC Insights進(jìn)一步分析，一旦中國內(nèi)存量產(chǎn)，可預(yù)期三星、海力士、美光、英特爾、東芝可能會在專利上面做文章。 由于上述幾大內(nèi)存廠商在DRAM與NAND閃存制造生產(chǎn)歷史已有數(shù)10年，內(nèi)存技術(shù)專利申請眾多，產(chǎn)品線拓展很寬，沒有新廠商能夠在不侵犯現(xiàn)有專利的情況下發(fā)展處新型的DRAM與NAND技術(shù)。

2016年全球IC制造產(chǎn)業(yè)規(guī)模為1120億美元，其中中國IC制造(包含國外公司在中國的工廠)的市占率為11.6%，比5年前的2011年市占率僅提升不到兩個百分點(diǎn)。 雖然從2016年到2021年，中國IC制造年復(fù)合增長率被預(yù)測為18%，但2016年中國IC制造規(guī)模僅130億美元，基數(shù)非常低。