搶食亞洲代工商機(jī) 晶圓廠模擬/先進(jìn)制程攻勢齊發(fā)
[導(dǎo)讀]晶圓廠正積極拓展亞洲市場布局?？春脕喼迣π袆雍臀锫?lián)網(wǎng)(IoT)裝置晶片的強(qiáng)勁需求，可望帶動先進(jìn)奈米制程及類比混合訊號制程商機(jī)，主要晶圓廠正紛紛投資擴(kuò)產(chǎn)。其中，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近期更攜手三星(Samsung
晶圓廠正積極拓展亞洲市場布局?？春脕喼迣π袆雍臀锫?lián)網(wǎng)(IoT)裝置晶片的強(qiáng)勁需求，可望帶動先進(jìn)奈米制程及類比混合訊號制程商機(jī)，主要晶圓廠正紛紛投資擴(kuò)產(chǎn)。其中，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近期更攜手三星(Samsung)，推進(jìn)14奈米鰭式電晶體(FinFET)商用腳步，并加速推動新加坡8寸廠轉(zhuǎn)型計劃，期增加12寸晶圓產(chǎn)能，以提高類比混合訊號等特殊制程的成本競爭力。
格羅方德新加坡廠區(qū)資深副總裁暨總經(jīng)理洪啟財認(rèn)為，中國大陸IC設(shè)計業(yè)者在國家政策扶植下快速崛起，未來格羅方德將持續(xù)在該市場投注技術(shù)資源，爭取更多新秀晶片商青睞。
格羅方德新加坡廠區(qū)資深副總裁暨總經(jīng)理洪啟財表示，行動和物聯(lián)網(wǎng)裝置開發(fā)商致力追求高整合、低功耗和小尺寸設(shè)計，不僅刺激晶圓代工產(chǎn)業(yè)奮力邁進(jìn)28奈米以下先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，亦帶動嵌入式快閃記憶體(FlashMemory)、電源管理晶片(PMIC)、射頻天線(RFAntenna)、顯示器驅(qū)動和車用晶片等所需的40～180奈米類比混合訊號特殊制程需求高漲，因而激勵晶圓廠加緊擴(kuò)充產(chǎn)能。
以臺積電為例，近年即不斷拉升資本支出，強(qiáng)攻28/20奈米高介電系數(shù)金屬閘極(HKMG)、16奈米FinFET與3DIC等先進(jìn)邏輯制程，以滿足處理器廠開發(fā)更高整合度系統(tǒng)單晶片(SoC)的需求。同時，臺積電董事長張忠謀也提到，物聯(lián)網(wǎng)火速發(fā)展，可望掀動下一波半導(dǎo)體業(yè)的巨幅成長，而相關(guān)設(shè)備所需的感測器、PMIC和射頻晶片等皆須運(yùn)用類比混合訊號特殊制程，因此該公司亦積極部署新一代高壓(HV)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和各種RF材料制程產(chǎn)線，以搶占市場先機(jī)。
無獨(dú)有偶，格羅方德亦分頭擴(kuò)張先進(jìn)邏輯、類比混合訊號特殊制程產(chǎn)線。洪啟財透露，該公司位于德國的Fab1廠，目前已達(dá)到每月五到八萬片28奈米晶圓出貨；而近期與三星展開合作后，旗下美國紐約Fab8廠，更可望在今年底到明年初開出每月6萬片的20和14奈米產(chǎn)能，給予一線處理器大廠強(qiáng)力支援。
至于類比混合訊號制程方面，格羅方德則利用2013年購入茂德的12寸廠設(shè)備，促進(jìn)其新加坡Fab6從8寸轉(zhuǎn)型成12寸廠，以提升技術(shù)和成本競爭力。洪啟財強(qiáng)調(diào)，在行動和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品出貨急速成長的帶動下，晶圓廠近期在PMIC、RF晶片和驅(qū)動器的訂單可說是應(yīng)接不暇，幾乎各家的8寸廠皆處于滿載狀態(tài)；著眼于此，格羅方德遂率先啟動8寸廠轉(zhuǎn)型計劃，期利用切割效率較佳，且具長期投資效益的12寸晶圓，快速沖高40～90奈米特殊制程產(chǎn)能。
據(jù)悉，格羅方德Fab6廠可望于今年底完成全線轉(zhuǎn)換，并將挹注每月2萬片12寸晶圓產(chǎn)能，促進(jìn)其8寸和12寸晶圓出貨占比，從六成/四成翻轉(zhuǎn)為四成/六成，以強(qiáng)化各種類比混合訊號IC的接單能力?，F(xiàn)階段，該公司在亞洲IC設(shè)計市場也取得不錯成績，分別與MagnaChip和東芝(Toshiba)合作開發(fā)55奈米高壓制程，以及40和65奈米低耗電FFSA(FitFastStructuredArray)方案。
洪啟財分析，未來晶圓廠追求「LeadingEdge」技術(shù)應(yīng)分為兩個層面，一是針對SoC設(shè)計，加快奈米制程演進(jìn)腳步，以大幅縮減晶片線寬；另外則是因應(yīng)電源或RF等類比解決方案，以最合適的制程節(jié)點(diǎn)開發(fā)特殊材料和生產(chǎn)技術(shù)。不僅如此，隨著IC設(shè)計商降低制造成本的需求日益殷切，晶圓廠全面轉(zhuǎn)向12寸晶圓生產(chǎn)將是大勢所趨；預(yù)期該公司新的12寸廠在年底加入生產(chǎn)行列后，將大幅增進(jìn)在亞洲IC設(shè)計市場的影響力。
格羅方德新加坡廠區(qū)資深副總裁暨總經(jīng)理洪啟財認(rèn)為，中國大陸IC設(shè)計業(yè)者在國家政策扶植下快速崛起，未來格羅方德將持續(xù)在該市場投注技術(shù)資源，爭取更多新秀晶片商青睞。
格羅方德新加坡廠區(qū)資深副總裁暨總經(jīng)理洪啟財表示，行動和物聯(lián)網(wǎng)裝置開發(fā)商致力追求高整合、低功耗和小尺寸設(shè)計，不僅刺激晶圓代工產(chǎn)業(yè)奮力邁進(jìn)28奈米以下先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，亦帶動嵌入式快閃記憶體(FlashMemory)、電源管理晶片(PMIC)、射頻天線(RFAntenna)、顯示器驅(qū)動和車用晶片等所需的40～180奈米類比混合訊號特殊制程需求高漲，因而激勵晶圓廠加緊擴(kuò)充產(chǎn)能。
以臺積電為例，近年即不斷拉升資本支出，強(qiáng)攻28/20奈米高介電系數(shù)金屬閘極(HKMG)、16奈米FinFET與3DIC等先進(jìn)邏輯制程，以滿足處理器廠開發(fā)更高整合度系統(tǒng)單晶片(SoC)的需求。同時，臺積電董事長張忠謀也提到，物聯(lián)網(wǎng)火速發(fā)展，可望掀動下一波半導(dǎo)體業(yè)的巨幅成長，而相關(guān)設(shè)備所需的感測器、PMIC和射頻晶片等皆須運(yùn)用類比混合訊號特殊制程，因此該公司亦積極部署新一代高壓(HV)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和各種RF材料制程產(chǎn)線，以搶占市場先機(jī)。
無獨(dú)有偶，格羅方德亦分頭擴(kuò)張先進(jìn)邏輯、類比混合訊號特殊制程產(chǎn)線。洪啟財透露，該公司位于德國的Fab1廠，目前已達(dá)到每月五到八萬片28奈米晶圓出貨；而近期與三星展開合作后，旗下美國紐約Fab8廠，更可望在今年底到明年初開出每月6萬片的20和14奈米產(chǎn)能，給予一線處理器大廠強(qiáng)力支援。
至于類比混合訊號制程方面，格羅方德則利用2013年購入茂德的12寸廠設(shè)備，促進(jìn)其新加坡Fab6從8寸轉(zhuǎn)型成12寸廠，以提升技術(shù)和成本競爭力。洪啟財強(qiáng)調(diào)，在行動和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品出貨急速成長的帶動下，晶圓廠近期在PMIC、RF晶片和驅(qū)動器的訂單可說是應(yīng)接不暇，幾乎各家的8寸廠皆處于滿載狀態(tài)；著眼于此，格羅方德遂率先啟動8寸廠轉(zhuǎn)型計劃，期利用切割效率較佳，且具長期投資效益的12寸晶圓，快速沖高40～90奈米特殊制程產(chǎn)能。
據(jù)悉，格羅方德Fab6廠可望于今年底完成全線轉(zhuǎn)換，并將挹注每月2萬片12寸晶圓產(chǎn)能，促進(jìn)其8寸和12寸晶圓出貨占比，從六成/四成翻轉(zhuǎn)為四成/六成，以強(qiáng)化各種類比混合訊號IC的接單能力?，F(xiàn)階段，該公司在亞洲IC設(shè)計市場也取得不錯成績，分別與MagnaChip和東芝(Toshiba)合作開發(fā)55奈米高壓制程，以及40和65奈米低耗電FFSA(FitFastStructuredArray)方案。
洪啟財分析，未來晶圓廠追求「LeadingEdge」技術(shù)應(yīng)分為兩個層面，一是針對SoC設(shè)計，加快奈米制程演進(jìn)腳步，以大幅縮減晶片線寬；另外則是因應(yīng)電源或RF等類比解決方案，以最合適的制程節(jié)點(diǎn)開發(fā)特殊材料和生產(chǎn)技術(shù)。不僅如此，隨著IC設(shè)計商降低制造成本的需求日益殷切，晶圓廠全面轉(zhuǎn)向12寸晶圓生產(chǎn)將是大勢所趨；預(yù)期該公司新的12寸廠在年底加入生產(chǎn)行列后，將大幅增進(jìn)在亞洲IC設(shè)計市場的影響力。
下載文檔
