在電力電子設(shè)備高度依賴可靠電源的今天,開關(guān)電源的綜合保護(hù)設(shè)計已成為保障系統(tǒng)穩(wěn)定運行的核心技術(shù)。基于LM339四電壓比較器的綜合保護(hù)方案,憑借其高集成度、低成本和快速響應(yīng)特性,成為中小功率開關(guān)電源保護(hù)電路的主流選擇。本文將系統(tǒng)解析該方案在過壓、欠壓及過熱保護(hù)中的創(chuàng)新應(yīng)用。
在開關(guān)電源設(shè)計中,電磁干擾(EMI)問題始終是工程師必須攻克的核心挑戰(zhàn)。差模干擾與共模干擾作為兩大主要干擾類型,其抑制效果直接決定了產(chǎn)品能否通過CISPR32、CISPR25等國際電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)。本文將結(jié)合高頻PCB設(shè)計理論與實戰(zhàn)案例,系統(tǒng)闡述基于PCB布局的差模/共模干擾抑制策略。
在工業(yè)控制、消費電子、汽車電子等領(lǐng)域,0-1A 區(qū)間的負(fù)載電流檢測需求極為普遍,例如智能家居中的電機驅(qū)動、便攜式設(shè)備的充電管理、工業(yè)傳感器的供電監(jiān)控等場景。這類應(yīng)用不僅要求電流檢測的精度達(dá)標(biāo),還對方案的成本、功耗、體積提出嚴(yán)格限制。單電源低側(cè)電流感應(yīng)方案憑借結(jié)構(gòu)簡單、成本可控、抗干擾能力強的優(yōu)勢,成為解決 0-1A 負(fù)載電流精準(zhǔn)檢測的理想選擇。
在電子設(shè)備日益普及的當(dāng)下,電源質(zhì)量對設(shè)備穩(wěn)定運行的影響愈發(fā)凸顯。電源濾波器作為保障電源質(zhì)量的關(guān)鍵部件,卻常被普通用戶忽視。本文將從基礎(chǔ)概念出發(fā),詳細(xì)解讀電源濾波器的核心知識,并圍繞 “如何選擇適合自己的 EMI 濾波器” 展開深度分析,幫助讀者輕松掌握相關(guān)技能。
在 LED 照明系統(tǒng)中,恒流驅(qū)動器是保障光源穩(wěn)定工作的 “心臟”,而二極管與電容作為電路中的關(guān)鍵被動元件,直接決定了驅(qū)動器的效率、可靠性與輸出穩(wěn)定性。本文將從電路原理出發(fā),系統(tǒng)拆解二極管與電容在恒流驅(qū)動器中的功能定位、應(yīng)用場景及選型邏輯,幫助工程師與技術(shù)愛好者深入理解二者的核心價值。
隨著新能源技術(shù)與儲能系統(tǒng)的快速發(fā)展,超級電容憑借功率密度高、充放電速度快、循環(huán)壽命長等優(yōu)勢,在電動汽車、軌道交通、可再生能源儲能等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,超級電容單體電壓較低(通常為 2.5-3.8V),實際應(yīng)用中需將多個單體串聯(lián)以滿足系統(tǒng)電壓需求。由于超級電容單體間存在容量、內(nèi)阻、漏電流等參數(shù)差異,串聯(lián)使用時易出現(xiàn)電壓不均衡現(xiàn)象,導(dǎo)致部分單體過充或過放,嚴(yán)重影響超級電容組的使用壽命與系統(tǒng)安全性。因此,高效可靠的均壓技術(shù)成為超級電容儲能系統(tǒng)發(fā)展的關(guān)鍵。
在集成電路(IC)工作過程中,穩(wěn)定的電源供應(yīng)是確保其性能可靠的核心前提。而電源網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性直接決定了供電質(zhì)量 —— 當(dāng)電源進(jìn)入 IC 各引腳的阻抗過高時,易引發(fā)電壓波動、噪聲干擾等問題,嚴(yán)重時甚至導(dǎo)致電路功能失效。電源去耦技術(shù)作為抑制阻抗升高的核心手段,通過合理的電容配置、布局優(yōu)化及布線設(shè)計,可有效降低電源網(wǎng)絡(luò)阻抗,為 IC 提供穩(wěn)定的供電環(huán)境。
在工業(yè)控制、新能源發(fā)電、數(shù)據(jù)中心等復(fù)雜場景中,多電源系統(tǒng)憑借冗余供電能力和靈活的能源分配優(yōu)勢,成為保障關(guān)鍵設(shè)備穩(wěn)定運行的核心架構(gòu)。然而,多電源并行運行時,電壓波動、電流沖擊及電磁耦合產(chǎn)生的系統(tǒng)噪聲,不僅會干擾監(jiān)控模塊對電壓、電流、功率等關(guān)鍵參數(shù)的精準(zhǔn)采集,還可能引發(fā)設(shè)備誤觸發(fā)、數(shù)據(jù)傳輸錯誤,甚至導(dǎo)致核心部件損壞。因此,如何在多電源系統(tǒng)監(jiān)控場景下將噪聲降至最低,已成為提升系統(tǒng)可靠性的核心課題。
在開關(guān)電源的運行過程中,啟動浪涌電流是一個不容忽視的問題。它不僅可能導(dǎo)致電源內(nèi)部元器件損壞,還會對電網(wǎng)造成干擾,影響其他用電設(shè)備的正常工作。因此,深入研究抑制開關(guān)電源啟動浪涌電流的方法具有重要的現(xiàn)實意義。
在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、高耐壓能力等,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。然而,正是由于這些獨特的性能特點,使得碳化硅 MOSFET 在實際應(yīng)用中面臨著一些特殊的挑戰(zhàn),其中米勒效應(yīng)帶來的影響尤為突出,這也使得米勒鉗位對于碳化硅 MOSFET 顯得特別重要。
在這個電子設(shè)備不離身的時代,充電器作為設(shè)備的 “能量補給站”,其重要性不言而喻。隨著科技的飛速發(fā)展,氮化鎵充電器逐漸走進(jìn)大眾視野,它與我們常見的普通充電器相比,有著諸多顯著的區(qū)別。這些區(qū)別不僅體現(xiàn)在技術(shù)層面,更直接影響著我們的使用體驗。接下來,就讓我們深入探究氮化鎵充電器和普通充電器的不同之處。
在電力電子設(shè)備朝著高頻化、小型化發(fā)展的進(jìn)程中,正激式開關(guān)電源憑借其電路結(jié)構(gòu)簡潔、電壓調(diào)整率高、帶負(fù)載能力強等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、通信設(shè)備、消費電子等領(lǐng)域。然而,隨著開關(guān)頻率的不斷提升,其產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)問題日益突出,其中傳導(dǎo)電磁干擾作為影響設(shè)備電磁兼容性(EMC)的關(guān)鍵因素,不僅會導(dǎo)致電源自身性能不穩(wěn)定,還可能對周邊電子設(shè)備造成嚴(yán)重的干擾,甚至引發(fā)整個電子系統(tǒng)的故障。因此,深入研究正激式開關(guān)電源傳導(dǎo)電磁干擾的產(chǎn)生機理與抑制技術(shù),對提升電源產(chǎn)品的可靠性和市場競爭力具有重要意義。
在開關(guān)電源設(shè)計領(lǐng)域,Boost 電路作為一種常見的升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),被廣泛應(yīng)用于電池供電設(shè)備、LED 驅(qū)動、新能源發(fā)電等場景。其核心功能是將輸入的低壓直流電轉(zhuǎn)化為更高電壓的直流電,滿足后級電路的供電需求。然而,在實際應(yīng)用中,時常會出現(xiàn)升壓輸出遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出設(shè)計預(yù)期值的情況,這種異常不僅可能導(dǎo)致后級負(fù)載設(shè)備損壞,還可能引發(fā)電路過熱、元件燒毀等安全隱患。本文將從電路原理出發(fā),深入分析 Boost 電路升壓超預(yù)期的常見原因,并提供系統(tǒng)性的排查與解決辦法。
在電源設(shè)計領(lǐng)域,開關(guān)頻率是決定系統(tǒng)性能的核心參數(shù)之一,它如同天平的支點,一頭連接著電源的體積與重量,另一頭關(guān)聯(lián)著效率與穩(wěn)定性。然而,工程師在設(shè)定開關(guān)頻率時,并非可以隨意選擇 —— 從器件特性到電磁兼容,從散熱需求到成本控制,多重限制因素相互交織,共同構(gòu)成了開關(guān)頻率的 “選擇邊界”。深入理解這些制約條件,才能在電源設(shè)計中實現(xiàn)性能與實用性的最佳平衡。
無線電能傳輸(Wireless Power Transfer, WPT)技術(shù)憑借其安全、便捷、無接觸的優(yōu)勢,已廣泛應(yīng)用于電動汽車充電、醫(yī)療設(shè)備供電、物聯(lián)網(wǎng)傳感器供電等領(lǐng)域。在 WPT 系統(tǒng)中,功率放大器作為核心能量轉(zhuǎn)換與放大單元,其輸出功率、帶寬、效率及穩(wěn)定性直接決定了整個系統(tǒng)的傳輸性能。ATA-1220E 作為一款高性能寬帶功率放大器,具備輸出功率大、帶寬覆蓋廣、線性度優(yōu)異等特點,為 WPT 系統(tǒng)的高效運行提供了潛在解決方案。本文圍繞 ATA-1220E 寬帶功率放大器在 WPT 系統(tǒng)中的應(yīng)用展開研究,通過搭建實驗平臺,從輸出功率穩(wěn)定性、傳輸效率、帶寬適配性及抗干擾能力四個維度,分析其在不同工況下的性能表現(xiàn),旨在為 WPT 系統(tǒng)的功率放大單元選型與優(yōu)化提供實驗依據(jù)。